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公开(公告)号：CN102473609A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080026689.5
申请日：2010-07-29
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/509 , C23C16/54 , H01L31/04 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/509 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 该成膜装置(10)包括：阴极单元(68)；以及离开所述阴极单元(68)并对置配置的阳极(67)，该阴极单元(68)包括：电极板(76)，施加有电压；温度调整流体用流路(92)，设置在所述电极板(76)上，温度调整流体在该温度调整流体用流路中循环；簇射极板(75)，与所述电极板(76)接触，并具有用于向基板(W)的被成膜面供给工艺气体的多个孔(74)；热交换用板(91)，设置在所述电极板(76)与所述簇射极板(75)之间，并与所述电极板(76)和所述簇射极板(75)接触；以及气体流路(107)，设置在所述热交换用板(91)上，并将所述工艺气体导入到所述热交换用板(91)，且将被导入到所述热交换用板(91)的工艺气体引导至所述簇射极板(75)的所述多个孔(74)。
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公开(公告)号：CN1702024B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200510073790.7
申请日：2005-05-24
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置，是具备真空处理室(20)、(22)、(24)和基板搬运器(40)、和预备室(14)的立式真空处理装置(10)，其特征是，在预备室(14)内以及真空处理室(20)、(22)、(24)内设置往去路(16)和返回路(18)这两个搬送路径的同时，在真空处理室(24)内具备将基板搬运器从往去路(16)转移至返回路(18)的转移机构。
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公开(公告)号：CN102473609B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080026689.5
申请日：2010-07-29
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/509 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/509 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 该成膜装置(10)包括：阴极单元(68)；以及离开所述阴极单元(68)并对置配置的阳极(67)，该阴极单元(68)包括：电极板(76)，施加有电压；温度调整流体用流路(92)，设置在所述电极板(76)上，温度调整流体在该温度调整流体用流路中循环；簇射极板(75)，与所述电极板(76)接触，并具有用于向基板(W)的被成膜面供给工艺气体的多个孔(74)；热交换用板(91)，设置在所述电极板(76)与所述簇射极板(75)之间，并与所述电极板(76)和所述簇射极板(75)接触；以及气体流路(107)，设置在所述热交换用板(91)上，并将所述工艺气体导入到所述热交换用板(91)，且将被导入到所述热交换用板(91)的工艺气体引导至所述簇射极板(75)的所述多个孔(74)。
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公开(公告)号：CN102473608A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080025630.4
申请日：2010-07-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4587
Abstract: 该成膜装置(10)包括：成膜室(11)，在重力方向上具有上部(22)，以基板(W)的被成膜面与重力方向平行的方式配置所述基板(W)；电极单元(31)，可装卸地设置于所述成膜室(11)，并具有被施加电压的平板状的阴极(75)以及与所述阴极(75)分开并对置配置的阳极(67)；装卸用轨道(41)，设置在所述成膜室(11)的所述上部，并沿着从所述成膜室(11)引出所述电极单元(31)的方向设置，用于引导所述电极单元(31)。
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公开(公告)号：CN102959681B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201180030323.X
申请日：2011-06-22
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: B08B7/00 , C23C16/24 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本申请公开了一种成膜装置及成膜装置的维护方法。在成膜室的两侧的侧面下部分别设置有各两处、总计四处点火部。点火部在对可燃性的副生成物点火时通电。在成膜室的侧面上形成有用于测定成膜室内的压力的第一检测部。在成膜室的侧面下部形成有第二检测部。在成膜室的上部形成有测定成膜室内的空间温度的第三检测部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102959681A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180030323.X
申请日：2011-06-22
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/205 , C23C16/44 , H01L31/04
CPC classification number: B08B7/00 , C23C16/24 , C23C16/4405 , C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01L31/1876 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本申请公开了一种成膜装置及成膜装置的维护方法。在成膜室的两侧的侧面下部分别设置有各两处、总计四处点火部。点火部在对可燃性的副生成物点火时通电。在成膜室的侧面上形成有用于测定成膜室内的压力的第一检测部。在成膜室的侧面下部形成有第二检测部。在成膜室的上部形成有测定成膜室内的空间温度的第三检测部。
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公开(公告)号：CN102369602A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080015594.3
申请日：2010-04-06
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1876 , H01L21/67173 , H01L21/67207 , H01L21/6776 , H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/1824 , H01L31/202 , H01L31/206 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 该光电转换装置的制造系统为在形成于基板上的透明导电膜上依次层压有p型半导体层、i型半导体层以及n型半导体层的光电转换装置的制造系统，包括：I层成膜反应室，至少包括沿着搬送所述基板的搬送方向依次配置的第一成膜部、第二成膜部以及第三成膜部，用于对所述i型半导体层进行成膜；以及多个门阀，分割所述第一成膜部、所述第二成膜部以及所述第三成膜部，使得在所述搬送方向上所述第二成膜部的长度大于所述第一成膜部以及所述第三成膜部的长度。
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公开(公告)号：CN102301487A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080005941.4
申请日：2010-01-29
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L31/04
CPC classification number: C23C16/54 , C23C16/24 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 该光电转换装置的制造方法为在基板(1)上形成的透明导电膜(2)上依次层压第一光电转换单元(3)和第二光电转换单元(4)的光电转换装置(10)的制造方法，在多个第一等离子体CVD反应室(62、63、64、65)中，分别形成第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)、第一n型半导体层(33)和第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在形成第二i型半导体层(42)之前，向第二等离子体CVD反应室(72)内供给含p型杂质的气体，在所述第二等离子体CVD反应室(72)中，在大气中暴露过的所述第二p型半导体层(41)上形成所述第二i型半导体层(42)，在所述第二i型半导体层(42)上形成所述第二n型半导体层(43)。
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公开(公告)号：CN101916716A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010246804.1
申请日：2005-05-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , B65G49/06
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置，是具备真空处理室(20、22、24)和基板搬运器(40)、和预备室(14)的立式真空处理装置(10)，其特征是，在预备室(14)内以及真空处理室(20、22、24)内设置往去路(16)和返回路(18)这两个搬送路径的同时，在真空处理室(24)内具备将基板搬运器从往去路(16)转移至返回路(18)的转移机构。
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公开(公告)号：CN1702024A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510073790.7
申请日：2005-05-24
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置，是具备真空处理室(20)、(22)、(24)和基板搬运器(40)、和预备室(14)的立式真空处理装置(10)，其特征是，在预备室(14)内以及真空处理室(20)、(22)、(24)内设置往去路(16)和返回路(18)这两个搬送路径的同时，在真空处理室(24)内具备将基板搬运器从往去路(16)转移至返回路(18)的转移机构。
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