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    穿隧磁阻元件的制造方法
    1.
    发明授权
    穿隧磁阻元件的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN103250263B

    公开(公告)日：2015-07-01

    申请号：CN201180058075.X

    申请日：2011-12-20

    Applicant: 株式会社爱发科 ,  国立大学法人东北大学

    Inventor： 山本弘辉 ,  森田正 ,  大野英男 ,  池田正二

    IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    Abstract: 本发明提供了一种无需MgO成膜工序的垂直磁化型磁性元件的制造方法。本发明的磁阻元件(1)的制造方法包括在基体(10)上层压第一层(30)，该第一层(30)由包含Co、Ni和Fe中的至少一种的材料构成。接着，在第一层(30)上层压由Mg构成的第二层(40)。接着，对包括所述第一层(30)和所述第二层(40)的层压体实施氧化处理，使第二层(40)的Mg氧化为MgO。接着，对所述层压体实施加热处理，使第二层(40)结晶，并使第一层(30)垂直磁化。根据该制造方法，可在不产生由MgO成膜所引起的问题的情况下，制造出CoFeB-MgO系材料的垂直磁化型磁性元件。

    阴极组件
    3.
    发明公开
    阴极组件 无效

    公开(公告)号：CN107109632A

    公开(公告)日：2017-08-29

    申请号：CN201680003515.4

    申请日：2016-03-15

    Applicant: 株式会社爱发科

    Inventor： 中村真也 ,  山本弘辉

    IPC: C23C14/34 ,  C23C14/00

    CPC classification number: C23C14/3407 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3491

    Abstract: 本发明提供了一种溅射装置用阴极组件，其可抑制在背板的延展部和靶侧面之间发生异常放电，同时能够抑制颗粒粉尘产生的阴极组件。所述阴极组件具有：绝缘材质的靶(2)；与该靶的一面接合的背板(3)；以及以背板的靶侧为下，与比靶的外周端更向外延伸的背板的下侧的延展部(31)相对设置的环形遮蔽板(4)；背板具有相对于延展部凸出设置的接合部(32)，使遮蔽板的内周边部(41)位于在靶已接合在该接合部上的状态下从接合部向外探出的靶的探出部(21)和背板的延展部之间的间隙中。

    溅射装置
    4.
    发明授权
    溅射装置 有权

    公开(公告)号：CN106715749B

    公开(公告)日：2019-02-12

    申请号：CN201580047418.0

    申请日：2015-07-15

    Applicant: 株式会社爱发科

    Inventor： 山本弘辉 ,  难波隆宏 ,  神井正敦 ,  小梁慎二 ,  近藤智保 ,  森本直树

    IPC: C23C14/34 ,  H01L43/12

    Abstract: 本发明提供一种能够以良好的薄膜厚度分布均匀性形成结晶性进一步提高的绝缘材料膜的溅射装置。本发明的溅射装置(SM)具有在设置了绝缘材料靶(4)的真空室(1)内保持待处理基板(W)与该绝缘材料靶相对的台架(2)，设置有旋转驱动台架的驱动装置(3)，向绝缘材料靶施加高频电力的溅射电源(E1)，以及向真空室内导入稀有气体的气体导入装置(13，14)，在该溅射装置(SM)中，基板与绝缘材料靶的溅射面之间的间隔(d3)设置在40mm～150mm的范围内。

    绝缘体靶
    5.
    发明公开
    绝缘体靶 无效

    公开(公告)号：CN105408515A

    公开(公告)日：2016-03-16

    申请号：CN201580001472.1

    申请日：2015-06-02

    Applicant: 株式会社爱发科

    Inventor： 小梁慎二 ,  山本弘辉 ,  田口洋治 ,  难波隆宏

    IPC: C23C14/34

    CPC classification number: H01J37/3417 ,  C23C14/082 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/345

    Abstract: 本发明提供一种绝缘体靶，在组装到溅射装置上并向其施加交流电时其可防止在屏蔽件和靶之间的间隙处发生放电。本发明的在溅射装置中使用的绝缘体靶(2)在组装到溅射装置SM上时，在绝缘体靶(2)周围配置有屏蔽件(5)，绝缘体靶(2)具有板状的靶材(21)，其被屏蔽件环绕；以及环状的支撑件(22)，以靶材的一面为进行溅射的溅射面(2a)，该支撑件(22)具有与靶材的另一面的外周边部相连接，从靶材的周面向外伸出并距离屏蔽件规定间隔的延伸部(22a)，在向绝缘体靶施加交流电对溅射面进行溅射时，该支撑件的阻抗大于等于靶材的阻抗。

    穿隧磁阻元件的制造方法
    7.
    发明公开
    穿隧磁阻元件的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN103250263A

    公开(公告)日：2013-08-14

    申请号：CN201180058075.X

    申请日：2011-12-20

    Applicant: 株式会社爱发科 ,  国立大学法人东北大学

    Inventor： 山本弘辉 ,  森田正 ,  大野英男 ,  池田正二

    IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    Abstract: 本发明提供了一种无需MgO成膜工序的垂直磁化型磁性元件的制造方法。本发明的磁阻元件(1)的制造方法包括在基体(10)上层压第一层(30)，该第一层(30)由包含Co、Ni和Fe中的至少一种的材料构成。接着，在第一层(30)上层压由Mg构成的第二层(40)。接着，对包括所述第一层(30)和所述第二层(40)的层压体实施氧化处理，使第二层(40)的Mg氧化为MgO。接着，对所述层压体实施加热处理，使第二层(40)结晶，并使第一层(30)垂直磁化。根据该制造方法，可在不产生由MgO成膜所引起的问题的情况下，制造出CoFeB-MgO系材料的垂直磁化型磁性元件。

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