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公开(公告)号：CN101356703B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200780001450.0
申请日：2007-08-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18322 , B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/18338 , H01S5/18355 , H01S5/3202 , H01S5/34313 , H01S5/423 , H01S2304/00 , H04N1/1135 , H04N1/1912 , H04N1/1917
Abstract: 一种垂直腔面发射激光器结构的面发射激光二极管(100)，包括：基板(101)及形成于基板上的台结构，该台结构中包含电流限制结构，其中该电流限制结构包含导电电流限制区域(108A)和围绕该导电电流限制区域的绝缘区域，该绝缘区域为形成导电电流限制区域的半导体材料的氧化物，且其中该电流限制区域的中心在垂直于激光振荡方向的平面内从该台结构的中心偏移。
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公开(公告)号：CN1943020B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200680000155.9
申请日：2006-02-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L21/67103 , B82Y20/00 , H01L21/31662 , H01L21/67109 , H01L21/67253 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68785 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/32366 , H01S5/34306 , H01S5/34353 , H01S5/423 , H01S2304/04
Abstract: 半导体氧化设备包含：可密封氧化室；设置于氧化室内并用来支撑半导体样品的基座；设置于氧化室外并用于向氧化室供应水蒸汽的供应部分；监测窗，其设置于氧化室的顶壁内，并且设置于能够面对支撑于基座上的半导体样品的位置处；监测部分，其设置于氧化室之外，并且能够经由监测窗面对支撑于基座上的半导体样品；移动机构，其用于沿垂直方向移动基座和监测部分的其中之一或者移动基座和监测部分二者；中断部分，其用来中断对半导体样品的氧化；用来在由监测部分获得的图像的基础上获得半导体样品的一部分的氧化速率、以及在氧化速率的基础上获得所需的附加氧化量的部分；以及用来对半导体样品的一部分附加氧化附加氧化量的部分。
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公开(公告)号：CN101356703A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200780001450.0
申请日：2007-08-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18322 , B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/18338 , H01S5/18355 , H01S5/3202 , H01S5/34313 , H01S5/423 , H01S2304/00 , H04N1/1135 , H04N1/1912 , H04N1/1917
Abstract: 一种垂直腔面发射激光器结构的面发射激光二极管(100)，包括：基板(101)及形成于基板上的台结构，该台结构中包含电流限制结构，其中该电流限制结构包含导电电流限制区域(108A)和围绕该导电电流限制区域的绝缘区域，该绝缘区域为形成导电电流限制区域的半导体材料的氧化物，且其中该电流限制区域的中心在垂直于激光振荡方向的平面内从该台结构的中心偏移。
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公开(公告)号：CN1943020A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200680000155.9
申请日：2006-02-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L21/67103 , B82Y20/00 , H01L21/31662 , H01L21/67109 , H01L21/67253 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68785 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/32366 , H01S5/34306 , H01S5/34353 , H01S5/423 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸气的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。
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公开(公告)号：CN102970035A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210419400.7
申请日：2012-07-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H03L7/26
CPC classification number: G04F5/14 , H03L7/26 , Y10T29/49002
Abstract: 公开了一种原子振荡器，包括碱金属单元，将激光束照射至该碱金属单元的光源，以及检测穿过该碱金属单元的光的光检测器。该碱金属单元包括第一元件、第二元件、单元内部以及碱金属原材料。在第一元件中，第一玻璃衬底结合于形成第一开口部分的第一衬底的第二表面。在第二元件中，第二玻璃衬底结合于形成第二开口部分的第二衬底的第四表面。该单元内部通过将第一表面结合至第三表面，由第一开口部分和第二开口部分形成。该碱金属原材料由该单元内部所封装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102664348A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210152025.4
申请日：2008-11-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18358 , B41J2/45 , H01S5/0021 , H01S5/18313 , H01S5/423
Abstract: 公开一种表面发射激光器，其能够容易地制造，具有更高的产率和更长的使用寿命。在表面发射激光器中，选择性氧化层被包括作为上半导体分布式布拉格反射器的低折射率层的一部分；包括选择性氧化层的低折射率层包括邻接选择性氧化层的两个中间层和邻接中间层的两个低折射率层。中间层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的，低折射率层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的。该构型使得能够提供对氧化层的厚度和氧化速率更多的控制，从而使得能够降低氧化层的厚度的变化。
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公开(公告)号：CN102474073A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002926.9
申请日：2011-05-18
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G03G15/04 , B41J2/442 , B41J2/471 , G02B26/10 , H01S5/18 , H01S5/18313 , H01S5/18355 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 一种表面发射激光器器件，包括设置在发射区域内并被构造成导致在发生区域内在周边部分的反射率不同于在中心部分的反射率的透明介电层。在表面发射激光器器件中，在发射区域中，接触层的厚度在具有相对高反射率的区域和具有相对低反射率的区域之间不同。接触层设置在上部多层膜反射镜的高折射率层上，并且在具有相对低反射率的区域内，高折射率层和接触层的总光学厚度偏离从发射区域发射的激光的四分之一振荡波长的奇数倍。
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公开(公告)号：CN102255242A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110110011.1
申请日：2006-02-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01L21/67103 , B82Y20/00 , H01L21/31662 , H01L21/67109 , H01L21/67253 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68785 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/32366 , H01S5/34306 , H01S5/34353 , H01S5/423 , H01S2304/04
Abstract: 一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。
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公开(公告)号：CN105934887A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201580005894.6
申请日：2015-01-26
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H03L7/26 , G04F5/14 , H01L23/345 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01S5/005 , H01S5/02248 , H01S5/02453 , H01S5/183 , H05K1/028 , H05K1/0296 , H05K1/11 , H05K1/189 , H05K3/0052 , H05K2201/052 , H05K2201/055 , H05K2201/056 , H05K2201/09063 , H05K2201/10075 , H05K2201/10174 , H05K2201/2018 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种原子振荡器，包括气体隔室和多个部件。多个部件包括用于气体隔室的温度控制装置；发射激励光以激励封装在气体隔室中的原子的激励光源；用于激励光源的温度控制装置；以及检测穿过气体隔室的激励光的光接收元件。多个部件被安装在具有引线的绝缘膜上。
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公开(公告)号：CN102439806B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201080022491.X
申请日：2010-03-15
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: B32B37/14 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一种制造表面发射激光器的方法，包括层叠透明介电层在层叠体的上表面上；形成第一抗蚀剂图案在介电层的上表面上，第一抗蚀剂图案包括限定台地结构的外周的图案和保护与发射区域中包括的相对高反射率部分和相对低反射率部分中的一个相对应的区域的图案；通过利用第一抗蚀剂图案作为掩膜蚀刻介电层；以及形成包括与整个发射区域相对应的区域的第二抗蚀剂图案。这些步骤在形成台地结构之前执行。
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