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公开(公告)号：CN101889347A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119750.3
申请日：2008-11-20
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L29/04 , H01L21/338 , H01L21/363 , H01L29/221 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/00
CPC分类号： H01L29/045 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02554 , H01L29/22 , H01L29/221 , H01L29/868 , H01L33/28
摘要： 本发明提供一种ZnO系半导体元件，能够在层叠侧主面具有C面的MgZnO基板上生长平坦的ZnO系半导体层。该ZnO系半导体元件采用主面具有C面的MgxZn1-xO(0≤x＜1)基板，并在以使所述主面的法线向基板晶轴的m轴c轴平面投影的投影轴与c轴所形成的Φm角满足0＜Φm≤3的方式形成的主面上，使ZnO系半导体层(2～5)外延生长。然后，在ZnO系半导体层(5)上形成p电极(8)，在MgxZn1-xO基板(1)的下侧形成n电极(9)。这样，通过在MgxZn1-xO基板(1)的表面形成沿m轴方向规则地排列的台阶，能够防止台阶积累现象，并且提高层叠在基板(1)上的半导体层的膜的平坦性。
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公开(公告)号：CN107403716A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710363619.2
申请日：2012-11-28
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02628 , H01L29/221 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 本发明公开了形成金属氧化物薄膜的涂布液、金属氧化物薄膜、场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法。一种用于形成金属氧化物薄膜的涂布液包含：无机铟化合物；无机钙化合物或无机锶化合物，或这两种化合物；以及有机溶剂。通过涂布所述涂布液而形成的氧化物半导体用于场效应晶体管的活性层。
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公开(公告)号：CN103839996A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410033307.1
申请日：2014-01-22
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L29/221 , H01L29/42316 , H01L29/66462
摘要： 本发明公开了一种基于复合漏极的槽栅高压器件及其制作方法，自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN隔离层、本征AlGaN层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上间隔设有源极、栅极和复合漏极，所述栅极和复合漏极之间还设有线性AlGaN层，线性AlGaN层上设有p-GaN层，P-GaN层上设有基极，上述结构的顶层还间隔淀积有钝化层，所述钝化层的间隔内淀积有加厚电极。本发明在器件导通时的导通电阻得到减小，而在截止状态时的击穿电压得到提高，兼顾了器件击穿电压的提高与导通电阻的减小，同时采用槽栅结构，增强了栅极对沟道2DEG的调控作用，提高了器件的频率性能。
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公开(公告)号：CN101553930A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200680015722.8
申请日：2006-03-28
申请人： 莫克斯特罗尼克斯有限公司
CPC分类号： H01L33/28 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01G9/00 , C01G11/00 , C01G11/006 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/16 , C30B29/46 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02554 , H01L21/0256 , H01L21/02565 , H01L21/02568 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02617 , H01L29/22 , H01L29/221 , H01S5/0213 , H01S5/3018
摘要： 本发明提供用于改良半导体装置的性能的材料和结构，包括ZnBeO合金材料、ZnCdOSe合金材料、可含有Mg以用于晶格匹配目的的ZnBeO合金材料和BeO材料。ZnBeO合金系统中的Be的原子分数x(即，Zn1－xBexO)可变化以将ZnO的能带隙增加至大于ZnO的能带隙的值。ZnCdOSe合金系统中的Cd的原子分数y和Se的原子分数z(即，Zn1－yCdyOi－zSez)可变化以将ZnO的能带隙减小至小于ZnO的能带隙的值。通过使用挑选的掺杂元素，所形成的每一合金可为不掺杂、或p型或n型掺杂。这些合金可单独使用或组合使用以形成可发射一个范围波长值的活性光子层、异质结构如单个和多个量子井以及超晶格层或覆层，和制造光学的和电子的半导体装置。这些结构可应用于改良半导体装置的功能、能力和性能。
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公开(公告)号：CN106132901A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580012984.8
申请日：2015-03-09
申请人： 住友金属矿山株式会社
CPC分类号： H01L21/02565 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/62695 , C04B2235/3286 , C04B2235/3852 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01L21/02422 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1225 , H01L29/221 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： 在通过溅射法制作氧化物半导体薄膜的情况下，提供得到低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体，以及使用所述氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟和镓、含有氮、并且不含有锌。以Ga/(In+Ga)原子数比计，镓的含量为0.20以上且0.60以下，并且实质上不含有GaN相。另外，优选不含有Ga2O3相。对于将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜而言，能够使载流子浓度3×1018cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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公开(公告)号：CN106103379A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580012927.X
申请日：2015-03-09
申请人： 住友金属矿山株式会社
CPC分类号： H01L21/02565 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/62695 , C04B2235/3286 , C04B2235/3852 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01L21/02422 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1225 , H01L29/221 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟和镓，含有氮而不含有锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.005以上且小于0.20，并且实质上不含GaN相。另外，所述氧化物烧结体优选不具有Ga2O3相。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为1.0×1018cm‑3以下，载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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公开(公告)号：CN104081510A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201280068540.2
申请日：2012-11-28
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02628 , H01L29/221 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 一种用于形成金属氧化物薄膜的涂布液，包含：无机铟化合物；无机钙化合物或无机锶化合物，或这两种化合物；以及有机溶剂。通过涂布所述涂布液而形成的氧化物半导体用于场效应晶体管的活性层。
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公开(公告)号：CN100524859C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200680009523.6
申请日：2006-03-23
申请人： 罗姆股份有限公司
CPC分类号： H01L29/221 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02472 , H01L21/02505 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02609 , H01L21/02631 , H01L29/045 , H01L29/225 , H01L29/7787 , H01L33/16 , H01L33/28 , H01S5/0422 , H01S5/2224 , H01S5/2231 , H01S5/327
摘要： 本发明提供一种即使形成具有ZnO系化合物半导体层的异质结的叠层部从而形成半导体元件，也不会引起驱动电压的上升，而且使结晶性良好、元件特性优异的氧化锌系化合物半导体元件。在由以A面(11-20)或M面(10-10)作为主面的MgxZn1-xO(0≤x≤0.5)构成的基板(1)的主面上，与主面平行的面在{11-20}面或{10-10}面上取向、并且与主面垂直的面在{0001}面上取向而外延生长ZnO系化合物半导体单晶层(2～6)。
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公开(公告)号：CN107425049A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710367112.4
申请日：2017-05-23
申请人： 华南理工大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/221 , H01L29/227 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
CPC分类号： H01L29/0603 , H01L29/221 , H01L29/227 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
摘要： 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种类岛状电子传输的薄膜晶体管及制备方法。所述薄膜晶体管由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；所述有源层为非连续的类岛状TCO薄膜和低载流子浓度材料薄膜组成的叠层结构，其中低载流子浓度材料薄膜连接相邻两个类岛状TCO薄膜，形成一个导电通道。本发明采用非连续的类岛状TCO薄膜能够有效降低其导电性，而低载流子的薄膜连接两个相邻TCO薄膜，使电子能够在相邻晶粒间有效传输并且维持一个理想的关态电流。
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公开(公告)号：CN106684153A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510751333.2
申请日：2015-11-05
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
发明人： 戴明志
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/22 , H01L27/12 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L29/2203 , H01L29/221
摘要： 本发明公开一种自驱动发光薄膜晶体管，包括：半导体层包括第一表面以及第二表面；源极以及漏极，间隔设置于所述第一表面，且源极和漏极之间接一第一电压；绝缘层，设置于所述第二表面；栅极，设置于所述绝缘层远离所述半导体层的表面，所述栅极接一第二电压；其中，所述半导体层为氧化物半导体层，且当空穴和电子分别从所述漏极和源极注入所述氧化物半导体层，并在所述氧化物半导体层中复合时会产生光线射出。本发明还提供一种使用上述自驱动发光薄膜晶体管的自驱动发光薄膜晶体管阵列及显示装置。
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