公开(公告)号：CN101261973A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810082599.2

申请日：2008-03-05

申请人： 株式会社瑞萨科技

发明人： 三角和幸 ,  畑内和士 ,  高田泰纪 ,  安田直世 ,  新川秀之 ,  福留胜幸

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49541 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/60 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6638 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48253 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的在于得到可防止内部引线的表面摩擦而出现伤痕的半导体装置。在下垫板(13)的周围设置多个内部引线(14)。在下垫板(13)与多个内部引线(14)之间的区域设置有接地的GND引线(16)。半导体芯片(17)与多个内部引线(14)分别被多个导线(21)连接。半导体芯片(17)与GND引线(16)被GND导线(22)连接。GND导线(22)配置在多个导线(21)之间。邻接的内部引线(14)的前端的间隔为0.2mm以下。