公开(公告)号：CN115810544A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211103102.7

申请日：2022-09-09

申请人： 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

发明人： 朽木克博 ,  片冈惠太 ,  菊田大悟 ,  三宅裕树 ,  市川周平 ,  长里喜隆

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/872

摘要： 在用于基于氧化镓的半导体衬底的表面处理方法中，通过以150V或更大的自偏压进行干蚀刻，使所述基于氧化镓的半导体衬底的表面平坦化。在使所述基于氧化镓的半导体衬底的表面平坦化之后，用含有H2SO4的化学溶液清洗基于氧化镓的半导体衬底的表面，以暴露基于氧化镓的半导体衬底的表面上的台阶阶梯结构。

公开(公告)号：CN105633162A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510811532.8

申请日：2015-11-20

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 高谷秀史 ,  朽木克博 ,  青井佐智子 ,  宫原真一朗

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66492

摘要： 本发明涉及一种改善沟道长度与击穿电压的此消彼长的关系的半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具有在表面上形成有沟槽的半导体基板、沟槽内的栅绝缘层以及栅电极。在沟槽的侧面上形成有高低差。沟槽的侧面具有上部侧面、高低差的表面、下部侧面。半导体基板具有：第一导电型的第一区域，其在上部侧面处与栅绝缘层相接；第二导电型的体区，其以从与第一区域相接的位置跨至与高低差相比靠下侧的位置的方式而被配置，并且在第一区域的下侧的上部侧面处与栅绝缘层相接；第一导电型的第二区域，其被配置于体区的下侧，并在下部侧面处与栅绝缘层相接；第一导电型的侧部区域，其在高低差的表面处与栅绝缘层相接，并与第二区域相连。

公开(公告)号：CN117501452A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202280043315.7

申请日：2022-05-23

申请人： 株式会社电装

发明人： 出口昌孝 ,  村松润哉 ,  片冈惠太 ,  朽木克博 ,  青柳勲 ,  富永孝 ,  冈地凉辅 ,  香山贵志

IPC分类号： H01L29/78

摘要： 构成沟槽栅极结构的半导体元件(15)的多个主单元(14)包括多个第一单元(141)和第二单元(142)，上述第二单元为了预测第一单元的故障而具有比第一单元更容易通过通电使栅极绝缘膜破坏的结构，并且数量比第一单元少。此外，在半导体元件的驱动时，对第一单元的栅极和第二单元的栅极施加共通的栅极驱动电压。测量电气特性并检测由驱动时的通电引起的第二单元的故障。为了不向故障的第二单元施加栅极驱动电压，将故障的第二单元的栅极与第一单元的栅极电分离。基于第二单元的故障来预测第一单元的故障。

公开(公告)号：CN111788661B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN201980012903.2

申请日：2019-01-29

申请人： 株式会社电装

发明人： 大西徹 ,  朽木克博 ,  山本建策

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/04 ,  H01L29/16

摘要： 碳化硅半导体器件的制造方法可以包括：在碳化硅衬底上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成栅电极。栅极绝缘膜的形成可以包括通过在氮气氛下热氧化碳化硅衬底而在碳化硅衬底上形成氧化物膜。

公开(公告)号：CN114556588A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201980101194.5

申请日：2019-10-11

申请人： 株式会社电装

发明人： 斋藤顺 ,  片冈惠太 ,  山下侑佑 ,  渡边行彦 ,  朽木克博 ,  浦上泰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/12

摘要： 一种开关元件，具有沟槽型的多个栅极电极。半导体基板具有：n型的漂移区域，在各所述沟槽的底面以及侧面与栅极绝缘膜相接；p型的体区域，在所述漂移区域的上侧与所述栅极绝缘膜相接；p型的多个底部区域，配置于所述沟槽的正下方并且是从所述栅极绝缘膜离开的位置；以及p型的连接区域，将各所述底部区域与所述体区域连接。使相邻的所述底部区域之间的间隔耗尽化所需的耗尽层伸展距离的一半比使体区域与沟槽的下端之间的间隔耗尽化所需的耗尽层伸展距离以及使底部区域与沟槽的下端之间的间隔耗尽化所需的耗尽层伸展距离长。

公开(公告)号：CN115088080A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN201980102660.1

申请日：2019-12-03

申请人： 株式会社电装

发明人： 斋藤顺 ,  片冈惠太 ,  山下侑佑 ,  渡边行彦 ,  朽木克博 ,  阴泳信

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

摘要： 一种半导体装置，外周区域具有p型的多个表面耐压区域和配置在比上述多个表面耐压区域靠下侧的p型的多个深部耐压区域。将内周侧表面耐压区域与外周侧表面耐压区域之间的间隔的宽度设为Ws(m)，将上述内周侧表面耐压区域与上述外周侧表面耐压区域之间的表面间隔区域的n型杂质浓度设为Ns(m－3)，将位于上述表面耐压区域与上述深部耐压区域之间的深度范围内的漂移区域的n型杂质浓度设为Nv(m－3)，将上述内周侧表面耐压区域与特定深部耐压区域之间的间隔的宽度设为W v1(m)，将上述外周侧表面耐压区域与特定深部耐压区域之间的间隔的宽度设为Wv2(m)时，满足Nv(Wv1+Wv2)2＜Ns·Ws2的关系。

公开(公告)号：CN111788661A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201980012903.2

申请日：2019-01-29

申请人： 株式会社电装

发明人： 大西徹 ,  朽木克博 ,  山本建策

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/04 ,  H01L29/16

摘要： 碳化硅半导体器件的制造方法可以包括：在碳化硅衬底上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成栅电极。栅极绝缘膜的形成可以包括通过在氮气氛下热氧化碳化硅衬底而在碳化硅衬底上形成氧化物膜。

公开(公告)号：CN116964460A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280018192.1

申请日：2022-02-14

申请人： 株式会社电装

发明人： 村松润哉 ,  冈地涼辅 ,  朽木克博 ,  富永孝 ,  出口昌孝

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/52

摘要： 一种状态判断装置，具有初始波形存储部(10)、波形获取部(11)、元件温度获取部(12)、过去波形存储部(13)、故障状态判断部(14)。故障状态判断部(14)基于初始的栅极电压的时间波形、当前的栅极电压的时间波形、元件温度、过去的栅极电压的时间波形，对时间波形进行分类并判断I GBT(100)的故障状态。

公开(公告)号：CN114762128A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201980102398.0

申请日：2019-11-22

申请人： 株式会社电装

发明人： 斋藤顺 ,  阴泳信 ,  片冈惠太 ,  山下侑佑 ,  渡边行彦 ,  朽木克博

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/12

摘要： 开关元件具备设置有沟槽的半导体基板、栅极绝缘膜以及栅极电极。半导体基板具有源极区、体区、漂移区、第一电场缓和区以及连接区。漂移区在体区的下侧的沟槽的侧面及沟槽的底面与栅极绝缘膜相接。第一电场缓和区被配置于漂移区的内部，与沟槽的底面隔开间隔地被配置于沟槽的下部，沿着沟槽的底面延伸。连接区以到达第一电场缓和区的方式从体区向下侧突出，在从上方俯视时，在与沟槽交叉的方向上较长地延伸。在将连接区的介电常数设为ε(F/cm)、将连接区的临界电场强度设为Ec(V/cm)、将元电荷设为e(C)、将从上方俯视位于沟槽的下部的连接区时的p型杂质的面密度设为Q(cm‑2)时，满足Q>ε·Ec/e。