公开(公告)号：CN110459474B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201910564636.1

申请日：2019-06-27

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗 ,  雍万飞

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12

摘要： 本申请公开了一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置，薄膜晶体管的制作方法包括步骤：在衬底上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层以及金属层；在金属层上方形成光阻层；使用半透膜在所述光阻层上形成预设图案，使所述光阻层对应沟道区形成厚度小于所述光阻层其它部位的光阻薄层；第一次湿蚀刻得到与所述预设图案的光阻层相对应的金属层；第一次干蚀刻得到与所述预设图案的光阻层相对应的有源层、欧姆接触层，并将光阻薄层完全蚀刻；第二次湿蚀刻去除沟道区的金属层以及金属氧化物，形成位于沟道区两侧的源极金属层和漏极金属层；第二次干蚀刻使得欧姆接触层对应沟道区镂空，同时使得有源层对应沟道区的厚度小于有源层的其它部位的厚度。提高了产品性能。

公开(公告)号：CN110335871A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201910504742.0

申请日：2019-06-11

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 卓恩宗 ,  杨凤云 ,  夏玉明 ,  许哲豪 ,  刘振 ,  张合静 ,  雍万飞

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层和金属层后，在所述金属层上形成光刻掩膜，所述光刻掩膜在掩膜板的半曝光区的厚度范围为 蚀刻所述光刻掩膜覆盖范围外的所述金属层、所述欧姆接触层和所述有源层；利用灰化反应物对所述光刻掩膜进行预设时间的灰化处理，其中，所述灰化反应物包括氧气，所述预设时间的取值范围为70秒-100秒；以及基于灰化处理后的光刻掩膜，依次蚀刻所述金属层、所述欧姆接触层和所述有源层，形成阵列基板的沟道区。本发明还公开了一种阵列基板以及显示面板。本发明提高了阵列基板的稳定性。

公开(公告)号：CN113241323B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202110254434.4

申请日：2021-03-09

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 雍万飞 ,  卓恩宗 ,  夏玉明 ,  余思慧

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/336

摘要： 本申请公开了一种阵列基板的制造方法和显示面板，所述制造方法包括步骤：提供一第一基板；提供第一光罩，在第一基板上设置主动开关的各膜层材料；提供第二光罩，在主动开关上设置光刻胶；提供第三光罩，在主动开关上设置保护层；以及提供第四光罩，在保护层上设置像素电极层；其中，所述提供第二光罩，在主动开关上设置光刻胶，基于光刻胶蚀刻各膜层材料形成主动开关的步骤包括：对主动开关进行第一次湿法蚀刻；对主动开关进行第一次干法蚀刻和两次灰化处理；对主动开关进行第二次湿法蚀刻；对主动开关进行第二次干法蚀刻；以及剥离光刻胶。本发明可以改善光刻胶残留的问题。

公开(公告)号：CN113241323A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202110254434.4

申请日：2021-03-09

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 雍万飞 ,  卓恩宗 ,  夏玉明 ,  余思慧

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/336

摘要： 本申请公开了一种阵列基板的制造方法和显示面板，所述制造方法包括步骤：提供一第一基板；提供第一光罩，在第一基板上设置主动开关的各膜层材料；提供第二光罩，在主动开关上设置光刻胶；提供第三光罩，在主动开关上设置保护层；以及提供第四光罩，在保护层上设置像素电极层；其中，所述提供第二光罩，在主动开关上设置光刻胶，基于光刻胶蚀刻各膜层材料形成主动开关的步骤包括：对主动开关进行第一次湿法蚀刻；对主动开关进行第一次干法蚀刻和两次灰化处理；对主动开关进行第二次湿法蚀刻；对主动开关进行第二次干法蚀刻；以及剥离光刻胶。本发明可以改善光刻胶残留的问题。

公开(公告)号：CN110459474A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201910564636.1

申请日：2019-06-27

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗 ,  雍万飞

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12

摘要： 本申请公开了一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置，薄膜晶体管的制作方法包括步骤：在衬底上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层以及金属层；在金属层上方形成光阻层；使用半透膜在所述光阻层上形成预设图案，使所述光阻层对应沟道区形成厚度小于所述光阻层其它部位的光阻薄层；第一次湿蚀刻得到与所述预设图案的光阻层相对应的金属层；第一次干蚀刻得到与所述预设图案的光阻层相对应的有源层、欧姆接触层，并将光阻薄层完全蚀刻；第二次湿蚀刻去除沟道区的金属层以及金属氧化物，形成位于沟道区两侧的源极金属层和漏极金属层；第二次干蚀刻使得欧姆接触层对应沟道区镂空，同时使得有源层对应沟道区的厚度小于有源层的其它部位的厚度。提高了产品性能。

公开(公告)号：CN110137182A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910271788.2

申请日：2019-04-04

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 卓恩宗 ,  雍万飞

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

摘要： 本申请公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板。所述阵列基板的制作方法包括在阵列基板的显示区形成含有结晶氧化物半导体的第一主动开关，并在阵列基板的非显示区形成含有多晶硅半导体的第二主动开关的步骤；其中，所述结晶氧化物半导体和所述多晶硅半导体形成在同一层。本申请在实现窄边框的同时，可以降低显示区中电路的功耗，另外本申请将氧化物半导体和非晶硅半导体做到一层后，同时对两个半导体结晶处理，这样既不影响非晶硅转变为多晶硅的制程，又能增加阵列基板的稳定性。

公开(公告)号：CN110335871B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201910504742.0

申请日：2019-06-11

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 卓恩宗 ,  杨凤云 ,  夏玉明 ,  许哲豪 ,  刘振 ,  张合静 ,  雍万飞

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/82

摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层和金属层后，在所述金属层上形成光刻掩膜，所述光刻掩膜在掩膜板的半曝光区的厚度范围为蚀刻所述光刻掩膜覆盖范围外的所述金属层、所述欧姆接触层和所述有源层；利用灰化反应物对所述光刻掩膜进行预设时间的灰化处理，其中，所述灰化反应物包括氧气，所述预设时间的取值范围为70秒‑100秒；以及基于灰化处理后的光刻掩膜，依次蚀刻所述金属层、所述欧姆接触层和所述有源层，形成阵列基板的沟道区。本发明还公开了一种阵列基板以及显示面板。本发明提高了阵列基板的稳定性。

公开(公告)号：CN110364440A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910508215.7

申请日：2019-06-12

申请人： 北海惠科光电技术有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 雍万飞 ,  卓恩宗 ,  夏玉明

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368

摘要： 本申请提供了一种薄膜晶体管的制造方法、基板及显示装置，包括在衬底上形成薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管包括依次层叠的栅极层、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层以及源漏金属层；在源漏金属层背离欧姆接触层的表面涂布光刻胶，并通过第一光罩对光刻胶进行曝光并显影，以形成光刻胶层，其中，光刻胶层具有第一区域和第二区域；对第二区域暴露的源漏金属层、欧姆接触层以及有源层依次进行第一次湿法刻蚀和第一次干法刻蚀后，通过氧气对第一区域的光刻胶层进行预处理，其中，氧气的浓度为4000sccm～5000sccm。可以减少氧气与第一区域处的源漏金属层的表面进行反应，从而减少金属氧化物的数量，避免金属氧化物过多而造成的短路问题，以提高显示性能。

公开(公告)号：CN112242298B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202010960576.8

申请日：2020-09-14

申请人： 北海惠科光电技术有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 卓恩宗 ,  雍万飞 ,  许哲豪 ,  夏玉明 ,  袁海江

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368

摘要： 本申请公开了一种氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板，包括通入硅烷前驱体的步骤：在原子层沉积装置中持续通入预设时间的硅烷前驱体，完成通入后停留预设时间；第一次通入惰性气体的步骤：通入惰性气体，持续吹扫预设时间；通入供氮前驱体的步骤：持续通入预设时间的供氮前驱体，完成通入后停留预设的时间；第二次通入惰性气体的步骤：通入惰性气体，持续吹扫预设时间；以及重复预设次数的通入硅烷前驱体的步骤、第一次通入惰性气体的步骤、通入供氮前驱体的步骤和第二次通入惰性气体的步骤，以形成氮化硅薄膜。解决液晶面板显示出现暗点现象。

公开(公告)号：CN109991787B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201910197001.2

申请日：2019-03-15

申请人： 惠科股份有限公司

发明人： 卓恩宗 ,  刘振 ,  雍万飞 ,  张合静

IPC分类号： G02F1/1362 ,  H01L27/12

摘要： 本申请公开了一种阵列基板及其制作方法。所述阵列基板的制作方法包括步骤：形成衬底；在所述衬底上依次形成第一金属层、栅极绝缘层、半导体层和第二金属层；在所述第二金属层上形成钝化层；在所述钝化层上形成透明电极层；其中，所述钝化层膜厚在2000埃米到3000埃米之间。本申请通过改变钝化层的膜厚，将钝化层膜厚做在2000埃米到3000埃米之间，使钝化层的薄膜应力降低，增加了钝化层和第二金属层之间的附着力，抑制了底切的产生，提高了液晶面板的良率。