公开(公告)号：CN104051515A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410090758.9

申请日：2014-03-12

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 中山达峰 ,  宫本广信 ,  冈本康宏 ,  根贺亮平 ,  金泽全彰 ,  井上隆

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

摘要： 本发明提供了一种半导体器件，为了改进半导体器件的性能。例如，假设在缓冲层和沟道层之间插入超晶格层，被引入到形成超晶格层的一部分的氮化物半导体层中的受主的浓度高于被引入到形成超晶格层的另一部分的氮化物半导体层中的受主的浓度。也即，被引入到具有小带隙的氮化物半导体层中的受主的浓度高于被引入到具有大带隙的氮化物半导体层中的受主的浓度。

公开(公告)号：CN104051515B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201410090758.9

申请日：2014-03-12

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 中山达峰 ,  宫本广信 ,  冈本康宏 ,  根贺亮平 ,  金泽全彰 ,  井上隆

IPC分类号： H01L29/778

摘要： 本发明提供了一种半导体器件，为了改进半导体器件的性能。例如，假设在缓冲层和沟道层之间插入超晶格层，被引入到形成超晶格层的一部分的氮化物半导体层中的受主的浓度高于被引入到形成超晶格层的另一部分的氮化物半导体层中的受主的浓度。也即，被引入到具有小带隙的氮化物半导体层中的受主的浓度高于被引入到具有大带隙的氮化物半导体层中的受主的浓度。

公开(公告)号：CN104347697A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410332369.2

申请日：2014-07-11

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 中山达峰 ,  金泽全彰 ,  冈本康宏 ,  井上隆 ,  宫本广信 ,  根贺亮平

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/45 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。电极与AlGaN层欧姆接触。半导体器件(SD)具有氮化物半导体层(GN2)，AlxGa(1-x)N层(AGN)即“AlGaN层(AGN)”，以及Al电极(DE、SE)。在AlGaN层(AGN)中，满足0

公开(公告)号：CN103545352B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201310293438.9

申请日：2013-07-12

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 冈本康宏 ,  井上隆 ,  中山达峰 ,  根贺亮平 ,  金泽全彰 ,  宫本广信

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/452 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种半导体器件。提高由氮化物半导体材料制成的场效应晶体管的可靠性。一种欧姆电极包括多个隔离以彼此分开的单元电极。利用这种构造，可以防止导通态电流在y轴方向（负方向）上在单元电极中流动。此外，在相应的单元电极中，可以防止在y轴方向（负方向）上流动的导通态电流的电流密度增加。结果，可以提高欧姆电极的电迁移阻抗。

公开(公告)号：CN103545352A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310293438.9

申请日：2013-07-12

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 冈本康宏 ,  井上隆 ,  中山达峰 ,  根贺亮平 ,  金泽全彰 ,  宫本广信

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/452 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/41 ,  H01L29/41725

摘要： 本发明涉及一种半导体器件。提高由氮化物半导体材料制成的场效应晶体管的可靠性。一种欧姆电极包括多个隔离以彼此分开的单元电极。利用这种构造，可以防止导通态电流在y轴方向（负方向）上在单元电极中流动。此外，在相应的单元电极中，可以防止在y轴方向（负方向）上流动的导通态电流的电流密度增加。结果，可以提高欧姆电极的电迁移阻抗。