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公开(公告)号：CN103578804B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310534682.X
申请日：2013-11-01
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC分类号： H01H3/46
摘要： 本发明的目的是提供一种刚挠结合印制电路板的制备方法，该方法是通过分别独立制作挠性基板和刚性多层板，挠性基板埋入区开设电气连接所需通孔；刚性多层板包括第一刚性多层板、第二刚性多层板，第一刚性多层板上在通孔对应位置制作导电凸块，第二刚性多层板在通孔对应位置上制作与导电凸块对应的焊盘；从下到上按第一刚性多层板、半固化片、挠性基板、半固化片、第二刚性多层板顺序叠板，经一次压合得刚挠结合印制电路板，导电凸块穿插过挠性基板上通孔，与焊盘连接导通，并用导电胶敷形，实现挠性基板与刚性多层板的准确对位埋入以及电气互联导通。
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公开(公告)号：CN103578804A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310534682.X
申请日：2013-11-01
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC分类号： H01H3/46
摘要： 本发明的目的是提供一种刚挠结合印制电路板的制备方法，该方法是通过分别独立制作挠性基板和刚性多层板，挠性基板埋入区开设电气连接所需通孔；刚性多层板包括第一刚性多层板、第二刚性多层板，第一刚性多层板上在通孔对应位置制作导电凸块，第二刚性多层板在通孔对应位置上制作与导电凸块对应的焊盘；从下到上按第一刚性多层板、半固化片、挠性基板、半固化片、第二刚性多层板顺序叠板，经一次压合得刚挠结合印制电路板，导电凸块穿插过挠性基板上通孔，与焊盘连接导通，并用导电胶敷形，实现挠性基板与刚性多层板的准确对位埋入以及电气互联导通。
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公开(公告)号：CN118326479A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410450041.4
申请日：2024-04-15
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种铜‑金刚石复合材料及制备方法和应用，本发明主要包括金刚石表面粗糙化和电镀法制备铜‑金刚石复合材料两部分。表面粗糙化的金刚石颗粒可显著增强其与铜基体间的界面结合强度，降低两相界面热阻，并进一步提高复合材料的热导率。且电镀法能与现有印制电路技术兼容，可实现散热片/散热器的共制或埋制。
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公开(公告)号：CN117894785A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311821836.3
申请日：2023-12-27
申请人： 电子科技大学 , 江苏苏杭电子有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种集成电路封装载板孔互连结构及其制作方法，通过在集成电路封装载板内设置孔内金属层以及在X型通孔的两侧设置一对辅助孔，形成孔互连结构，在填孔电镀过程中增大X型通孔最小内径处的电流密度，实现无“空洞”的电镀填孔，加快了内孔中间位置的电镀铜沉积速率，有效解决了集成封装载板的互连孔填充电镀难题。
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公开(公告)号：CN117890349A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410056726.0
申请日：2024-01-12
申请人： 电子科技大学 , 四川省毒品监测技术中心(国家毒品实验室四川分中心)
摘要： 本发明的目的在于提供一种结合气泡富集的拉曼增强基底及其制备方法和应用，属于拉曼增强基底技术领域。本发明拉曼基底包括半球壳结构的二氧化硅层和位于二氧化硅层表面的纳米贵金属颗粒，该特殊结构使其能以漂浮的状态悬停于待检测液体体系的气液界面处，采用气泡富集的方式在低浓度溶液体系中对目标检测物进行收集吸附，从而实现在较低的检测限度、高效灵敏的拉曼检测。
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公开(公告)号：CN117328047A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311157096.8
申请日：2023-09-08
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种含铑的PCB基板化学镀活化液及其化学镀方法，属于化学活化及化学镀领域。首先提供一种活化改性液的制备方法，使其作为绝缘基材表面改性活化桥接层，改性液配方包含：环氧树脂20～40g/L、丁酮0.03～0.06mol/L、乙酰丙酮三苯基膦羰基铑(Ⅰ)0.1～0.2g/L、三氯甲烷0.025～0.05mol/L、乙二胺0.045～0.09mol/L。其次，利用硼氢化钠溶液作为还原剂将有机金属化合物中的铑还原并有效沉积在绝缘基材表面形成活性种来催化化学镀。最后配合后续化学镀工艺即可形成致密、光亮、附着力强的镀层。该活化改性液配方配制简便、操作简单、实施成本小，不会腐蚀印制电路基板及工艺设备，与现有的印制电路制造条件具有良好的兼容性。
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公开(公告)号：CN114016098B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202111226368.6
申请日：2021-10-21
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发提供一种印制电路覆铜板铜面电沉积Ni‑Co‑Ce合金薄膜的镀液配方与制备方法、以及使用该镀液在覆铜板表面制作Ni‑Co‑Ce合金薄膜方法。镀液配方包含：氯化镍0.03～0.05mol/L、硫酸钴0.03～0.05mol/L、导电添加物0.1～0.2mol/L、pH缓冲剂0.1～0.2mol/L、电镀添加剂0.1～0.2mol/L、硫酸高铈0.005～0.03mol/L、去离子水等，电镀获得的Ni‑Co‑Ce合金薄膜可用于多层印制电路板电子线路防护、层间结合力及高频信号完整性提升等。同时镀液配方配制简便且不腐蚀印制电路基板、电镀工艺与设备与印制电路制造领域现有条件兼容性较好，极大降低技术改造投入与产品制造成本。
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公开(公告)号：CN115926224A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211287466.5
申请日：2022-10-20
申请人： 电子科技大学 , 遂宁利和科技有限公司
IPC分类号： C08J5/24 , C08L57/02 , C08L79/04 , C08K9/02 , C08K9/04 , C08K7/10 , C08K3/38 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B17/04 , B32B15/04 , B32B15/20
摘要： 本发明公开了一种高导热的封装载板用半固化片及使用其的覆铜板的制作，属于电子材料技术领域。本发明的半固化片包括增强纤维布芯和包覆在增强布芯外部的树脂层；所述增强布芯为碳化硅纤维布，碳化硅纤维布为进行了表面增强改性处理的改性碳化硅纤维布；本发明通过对碳化硅纤维布进行改性处理，减少了碳化硅的高介电常数的带来的不利影响，增加了碳化硅纤维与基体树脂结合力、导热填料与基体树脂以及导热填料与碳化硅纤维之间的相容性和粘结性，不仅能提高半固化片与铜箔的剥离强度，还能进一步提高覆铜板的导热系数。
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公开(公告)号：CN114678208A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210345465.5
申请日：2022-04-02
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供了一种全树脂片式电感的制作方法，包括如下步骤：制作第一线圈和第一层电极，然后贴膜、曝光、显影、电镀制作第一铜柱和第二层电极；用前步骤相同的方法制作第二线圈和第三层电极、第二铜柱和第四层电极；以第一线圈、第一铜柱、第二线圈、第二铜柱的交替结构为基本单元，循环向上制作可得到全树脂片式电感；相对于传统的片式电感制作方法，本发明大大简化了制作流程，降低了工艺难度。同时，本发明制得的片式电感实现了L型端电极与线圈一体化制作。
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公开(公告)号：CN114672855A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210322975.0
申请日：2022-03-29
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种超薄铜箔的制备方法，属于铜箔制备技术领域。包括：1)载体铜箔依次在微蚀液、酸洗液和去离子水中浸泡；2)上步处理后的载体铜箔在有机溶液中浸泡，形成阻挡层；3)上步处理后的载体铜箔在导电层溶液中浸泡，形成导电层；4)采用电泳的方法在导电层上形成结晶层；5)电沉积，形成超薄铜箔；6)苯并三氮唑溶液中浸泡后，与PCB板压合，固化，机械去除载体铜箔，得到超薄铜箔。本发明采用阻挡层、导电层和结晶层三层结构作为剥离层，得到的超薄铜箔镀层细致平整，很容易使压合后的超薄铜箔与载体铜箔分离，而且，该剥离层既满足了金属层的高导电性，又具备有机剥离层的细致、均匀、平整的优点。
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