公开(公告)号：CN104969334B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201480007251.0

申请日：2014-01-09

申请人： 精工半导体有限公司

发明人： 山本祐广

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85206 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 形成一种焊盘，其中，为了防止在焊盘下的层间绝缘膜中产生因冲击所导致的裂纹，在第一金属膜(12)与最上层的第2金属膜(15)之间配置有小径金属塞柱(14a)和大径金属塞柱(14b)，并在大径金属塞柱(14b)上方的第二金属膜(15)的表面上设置有凹部(17)。

公开(公告)号：CN105719979A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201610090270.5

申请日：2011-11-22

申请人： 空气传感公司

发明人： S.布劳恩 ,  F.尼克劳斯 ,  A.菲舍尔 ,  H.格拉丁

IPC分类号： H01L21/603

CPC分类号： H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  C22C19/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85099 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85345 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2224/85385 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/858 ,  H01L2224/85855 ,  H01L2224/85899 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/01022

摘要： 本发明公开了一种将导线附着到基板的方法，其中所述导线被机械地附着到作为所述基板的一部分的3D结构。包括至少一个夹持结构，并且该方法包括下面的步骤：通过在所述导线的一部分与所述3D结构之间产生摩擦力或进行锚定，来固定所述导线，以及通过施加力来截断所述导线。本发明还公开了一种包括附着到基板的导线的装置，所述导线被配置为机械地附着到所述基板上的3D结构。所述基板包括具有至少一个夹持结构的固定对，并且所述导线被配置为至少通过所述固定对而被机械地固定到所述基板，并且通过导线结合器的结合毛细管和所施加的力被截断。本发明还公开了一种导线结合器。

公开(公告)号：CN101894815B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201010167589.6

申请日：2010-04-26

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 本间琢朗 ,  高田佳史

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/29 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/02697 ,  H01L22/32 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种能够即使在水从半导体器件以外渗透进焊盘之上的开口时仍然阻止在开口的侧表面暴露的氮化钛膜转变成氧化钛膜并且因此提高半导体器件的可靠性的技术和一种能够阻止在焊盘的表面保护膜中出现裂缝并且提高半导体器件的可靠性的技术。形成开口使得开口的直径小于另一开口的直径并且在另一开口中包括该开口。由于这一点，有可能用该开口形成于其中的表面保护膜覆盖在另一开口的侧表面暴露的防反射膜的侧表面。由于这一点，有可能形成焊盘而不暴露防反射膜的侧表面。

公开(公告)号：CN103530679A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310272931.2

申请日：2013-07-02

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 黒田宏 ,  小池秀雄

IPC分类号： G06K19/077 ,  H01L25/16 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/544 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/18 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/48149 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H04B5/0075 ,  H04B7/24 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及半导体器件及其制造方法。公开的半导体器件能够处理多个不同高频率的非接触通信模式，并由多芯片结构形成。执行高频率非接触通信的接口控制和通信数据的数据处理的第一半导体芯片被装载在布线板上；执行通信数据的另一个数据处理的第二半导体芯片被装载在第一半导体芯片上。在这种情况下，第一半导体芯片中的发送焊盘与接收焊盘的相比布置在距芯片的周边较远的位置，第二半导体芯片通过在第一半导体芯片上偏置来装载，以便避开发送焊盘。

公开(公告)号：CN103035614A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210370885.5

申请日：2012-09-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： D.梅因霍尔德

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明涉及半导体结构及其制造方法。一个或者多个实施例涉及一种半导体结构，该半导体结构包括：传导垫，该传导垫包括至少部分地通过传导垫置放的多个横向地隔开的间隙。

公开(公告)号：CN101894815A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010167589.6

申请日：2010-04-26

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 本间琢朗 ,  高田佳史

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/29 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/02697 ,  H01L22/32 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种能够即使在水从半导体器件以外渗透进焊盘之上的开口时仍然阻止在开口的侧表面暴露的氮化钛膜转变成氧化钛膜并且因此提高半导体器件的可靠性的技术和一种能够阻止在焊盘的表面保护膜中出现裂缝并且提高半导体器件的可靠性的技术。形成开口使得开口的直径小于另一开口的直径并且在另一开口中包括该开口。由于这一点，有可能用该开口形成于其中的表面保护膜覆盖在另一开口的侧表面暴露的防反射膜的侧表面。由于这一点，有可能形成焊盘而不暴露防反射膜的侧表面。

公开(公告)号：CN101728408A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910209082.X

申请日：2009-10-30

申请人： 索尼株式会社

发明人： 小林宽隆 ,  秋山健太郎 ,  松下直树 ,  江崎孝之

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14636 ,  H01L21/76283 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L27/1464 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件，包括半导体器件层；由多个布线层和多个层间绝缘膜形成在半导体器件层的一个表面上的多层布线部；在多个布线层之一上形成的外部连接电极；以及从半导体器件层延伸至多层布线部以暴露外部连接电极的表面的被形成为凹形的开口，其中开口在远离外部连接电极的一端的开口直径比在靠近外部连接电极的另一端的开口直径大。

公开(公告)号：CN1825580A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610009441.3

申请日：2006-02-22

申请人： 恩益禧电子股份有限公司

发明人： 太田充 ,  加藤友规

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

摘要： 本发明提供在更高温度操作中接合线与电极焊盘之间的结合部分区域的改善的可靠性。半导体器件100包括提供在引线框121上的半导体芯片102，其是用密封树脂115密封的。在引线框121两侧提供引线框119。部分引线框119是用密封树脂115密封的以起到内引线117作用。密封树脂115由基本上不含卤素的树脂组合物组成。此外，将半导体芯片102中提供的Al焊盘107暴露部分通过AuPd导线111导电连接到内引线117。

公开(公告)号：CN1241261C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN02118069.5

申请日：2002-03-01

申请人： 株式会社东芝

发明人： 丰田启 ,  中尾光博 ,  莲沼正彦 ,  金子尚史 ,  坂田敦子 ,  小向敏章

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76888 ,  H01L22/32 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05605 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05613 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/0562 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45116 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48505 ,  H01L2224/48611 ,  H01L2224/48616 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48711 ,  H01L2224/48716 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48805 ,  H01L2224/48811 ,  H01L2224/48813 ,  H01L2224/48816 ,  H01L2224/4882 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48713 ,  H01L2224/48705 ,  H01L2224/4872 ,  H01L2224/48605 ,  H01L2224/48613 ,  H01L2224/4862 ,  H01L2924/00015

摘要： 提供一种具有在半导体衬底上形成的铜布线层，与上述铜布线层导通并包含铜和比铜更易氧化的金属的合金层形成至底面的焊盘电极层和备有到达上述焊盘电极层的开口部的绝缘性保护膜的半导体器件。

公开(公告)号：CN1231960C

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN02106180.7

申请日：2002-04-08

申请人： 富士通株式会社

发明人： 渡边健一

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： 在半导体衬底上形成一层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成一内层绝缘膜。穿过层内膜形成一凹槽。凹槽具有一个焊盘部分和一个连着焊盘部分的布线部分。焊盘部分的宽度宽于布线部分的宽度。焊盘部分留有许多凸出区域。凸出区域以这样一种方式分布，即邻近布线区的凹槽区比率高于第二框形区的凹槽区比率，邻近布线区重叠于布线地区延伸进焊盘地区的区域之上，且处在把焊盘部分的外边界线作为外边界线并具有第一宽度的第一框形区之内，而第二框形区则把第一框形区的内边界线作为外边界线并具有第二宽度。在凹槽中填充导电膜。