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公开(公告)号：CN100394511C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410068403.6
申请日：2004-05-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C16/3459 , G11C2013/009
Abstract: 一种存储设备，包括一存储器元件，和一用于向所述存储器元件施加电压的施加装置，其中，随着所述施加装置向所述存储器元件施加电压，所述存储器元件改变其特性来在其上记录信息，当向存储器元件连续记录相同信息时，所述存储器元件进一步改变它的特性。所述存储设备具有一记录方法，包括步骤：当记录所述信息时，检测已经记录在所述存储器元件上的信息内容；将已经记录在存储器元件上的信息和要记录在存储器元件上的信息进行比较；如果所述两信息彼此不同，就向存储器元件上施加电压，来执行一般的信息记录处理；以及当所述两信息彼此相同时，就禁止执行一般的信息记录处理。因而，根据本发明的所述存储设备即使在连续记录信息时，也可以令人满意的执行记录操作。
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公开(公告)号：CN100378998C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200480000388.X
申请日：2004-03-18
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 公开了一种存储元件，其可以容易地进行信息的记录和读出并且能够以相对简单的制造方法容易地进行制造，以及一种使用该存储元件的储存装置。存储元件(10)包括第一电极(2)、第二电极(5)和位于所述第一和第二电极(2，5)之间的非结晶薄膜(4)。至少电极(5)包含银或铜，且非结晶薄膜(4)由锗和从硫、硒、碲和锑中选择的至少一种元素组成。一种储存装置包括许多此类存储元件(10)和连接到各存储元件(10)的第一和第二电极(2，5)的布线。
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公开(公告)号：CN1697081A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510069728.0
申请日：2005-01-28
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/0009 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 一种存储器件，其中可以进行稳定的信息记录且可以缩短记录信息需要的时间。该存储器件包括由具有其中当向存储元件Amn两端之间施加等于或大于阈值电压的电压时电阻值变化的特性的存储元件Amn构成的存储单元C，和作为负载串联连接到存储元件Amn的电路元件Tmn；且当从高阻值状态向低阻值状态改变存储元件Amn的操作被定义为写入时，和当施加到存储元件Amn和电路元件Tmn两端之间的电压等于或大于某一大于阈值电压的电压值时，存储器件具有其中存储单元C中的存储元件Amn和电路元件Tmn的组合电阻值变成几乎无关于施加电压的幅度的常数值。
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公开(公告)号：CN1722302B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200510069790.X
申请日：2005-01-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C11/5614 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0071 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种在高速条件下能记录多值数据和利用具有相对简单配置的驱动电路进行多值数据记录的存储器设备。存储器设备由包括根据电阻值状态保存信息的存储器元件和作为负载串联连接到存储器元件上的MIS晶体管的存储器单元构成；当分别把存储器单元由高阻值状态到低阻值状态的操作定义为写入和把存储器单元由低阻值状态改变到高阻值状态的操作定义为擦除时，通过控制在写入时施加到MIS晶体管上的栅极电压VG1、VG2和VG3等等，把写入之后的存储器元件的电阻值设置为多个不同的级别，以致分别把不同信息分配到多个级别的每一个中，并且在擦除之后分配到高阻值状态来分别存储三个值或更多值信息到每个存储器单元的存储器元件中。
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公开(公告)号：CN100468571C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510052645.0
申请日：2005-03-07
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C11/409 , G11C7/00
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/009 , G11C2213/34 , G11C2213/79
Abstract: 通过在写操作到选定的存储单元中时设置特定的条件，能够容易而准确地进行读数据操作。存储单元有这样的结构，在此结构中电极间材料层夹在第一电极和第二电极之间。通过改变第一电极和第二电极之间的电阻值来存储数据。将在高电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_high；将在低电阻状态下的存储元件的电阻值表述为R_mem_low1；负载电路的电阻值表述为R_load；将第二电源线的电压设置为基准电压，读电压表述为Vread；阈电压表述为Vth_critical。在将数据写到存储单元中时，由于产生了低电阻状态，因此这些参数满足特定的关系。用与存储单元的存储元件有相同结构的元件来构成负载电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100533595C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510069728.0
申请日：2005-01-28
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11C13/0009 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 一种存储器件，其中可以进行稳定的信息记录且可以缩短记录信息需要的时间。该存储器件包括由具有其中当向存储元件Amn两端之间施加等于或大于阈值电压的电压时电阻值变化的特性的存储元件Amn构成的存储单元C，和作为负载串联连接到存储元件Amn的电路元件Tmn；且当从高阻值状态向低阻值状态改变存储元件Amn的操作被定义为写入时，和当施加到存储元件Amn和电路元件Tmn两端之间的电压等于或大于某一大于阈值电压的电压值时，存储器件具有其中存储单元C中的存储元件Amn和电路元件Tmn的组合电阻值变成几乎无关于施加电压的幅度的常数值。
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公开(公告)号：CN100409335C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200380100324.2
申请日：2003-12-24
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11B7/26
CPC classification number: G11B7/261 , Y10S425/81
Abstract: 制造生产光盘的母盘的方法包括：曝光过程，其中以记录激光辐射形成在衬底100上的无机抗蚀剂层101，通过对应于光盘上信息凹形和凸形图形的信息信号的信息信号调制该记录激光；以及之后的显影过程，其中在无机抗蚀剂层上执行显影处理以形成对应于无机抗蚀剂层的信息凹形和凸形图形的凹形和凸形图形；在曝光过程中，在抗蚀剂层的非记录区上执行试验曝光后，使评估激光辐射曝光部分，从反射光中评估抗蚀剂层的记录信号特征以基于评估结果确定记录激光的最佳焦点位置；因此从在抗蚀剂上的曝光部分的记录特征中预测并评估光盘的记录信号的特征(跳动值)以基于评估结果调节曝光聚焦位置，由此可制造具有适当凹形和凸形图形的母盘以及具有良好特征的光盘。
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公开(公告)号：CN1692417A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100300.7
申请日：2003-11-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G11B7/261 , G11B7/1267
Abstract: 一种制作用于制造光盘的压模的方法包括：曝光步骤，用以与光盘上/中形成的信息凹出/凸入图案的信息信号对应的信息信号调制的记录激光束照射衬底(100)上形成的有机抗蚀层(101)，以形成与光盘上的信息凹出/凸入图案对应的曝光图案，和显影步骤，显影有机抗蚀层以形成与该有机抗蚀层的凹出/凸入图案对应的曝光图案。在曝光步骤中，将估计激光束施加到该有机抗蚀层上预定区域，利用该估计激光束的反射光来估计该有机抗蚀层的曝光图案的记录信号特性，并根据估计结果来控制该记录激光束的功率。从而将信息可靠地记录在目标光盘上。
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公开(公告)号：CN1655358A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200410103790.2
申请日：2004-12-03
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0009 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1266 , H01L45/144 , H01L45/146
Abstract: 一种存储器件包括第一电极、面向该第一电极的第二电极、位于第一电极和第二电极之间的电极间材料层和电压施加单元，该电压施加单元将一预定电压施加到第一和第二电极上。此外，通过对第一和第二电极上施加电压，可变成电极反应阻止层的氧化－还原活性材料包含在电场覆盖的区域中，当施加电压时产生该电场，并且取决于施加到第一和第二电极的电压状况，该电极反应阻止层或者沿着第二电极和电极间材料层之间的界面形成、或者改变其面积、或者消失。
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公开(公告)号：CN1574094A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410068403.6
申请日：2004-05-27
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C16/3459 , G11C2013/009
Abstract: 一种存储设备，包括一存储器元件，和一用于向所述存储器元件施加电压的施加装置，其中，随着所述施加装置向所述存储器元件施加电压，所述存储器元件改变其特性来在其上记录信息，当向存储器元件连续记录相同信息时，所述存储器元件进一步改变它的特性。所述存储设备具有一记录方法，包括步骤：当记录所述信息时，检测已经记录在所述存储器元件上的信息内容；将已经记录在存储器元件上的信息和要记录在存储器元件上的信息进行比较；如果所述两信息彼此不同，就向存储器元件上施加电压，来执行一般的信息记录处理；以及当所述两信息彼此相同时，就禁止执行一般的信息记录处理。因而，根据本发明的所述存储设备即使在连续记录信息时，也可以令人满意的执行记录操作。
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