公开(公告)号：CN108352296A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680063511.5

申请日：2016-10-20

申请人： 细美事有限公司 ,  首尔大学校产学协力团

发明人： 李秀燕 ,  金昊永 ,  金承镐 ,  李在洪 ,  金俊吾 ,  金袗圭 ,  姜秉万 ,  郑仁一

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/67028 ,  B08B5/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/683 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68785

摘要： 本发明涉及一种基板处理设备。根据本发明，该基板处理设备包括：为处理基板提供空间的腔室；设置在腔室中并用于支撑基板的支撑单元；向由支撑单元支撑的基板供应清洗介质的喷嘴。其中该喷嘴包括收缩部、扩张部和孔口。收缩部具有入口，通过该入口流入清洗介质，且该收缩部具有随着远离入口而减小的截面面积。扩张部具有喷射孔，通过喷射孔喷射清洗介质，且该扩张部具有随着靠近喷射孔而增加的截面面积。孔口位于收缩部和扩张部之间。其中流入到收缩部中的清洗介质是单一气体。

公开(公告)号：CN104078388B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410124436.1

申请日：2014-03-28

申请人： 细美事有限公司

发明人： 郑仁一 ,  郑恩先 ,  许瓒宁 ,  朴正善 ,  金性洙

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051

摘要： 本发明提供一种衬底处理设备。该衬底处理设备包括：干燥室，在该干燥室中通过使用作为超临界流体提供的流体溶解残留在衬底上的有机溶剂以干燥衬底；将流体供应到干燥室中的供应单元；和再循环单元，其包括用于从由干燥室排放的流体中分离有机溶剂以再循环流体的分离器，该再循环单元将再循环流体供应到供应单元中。所述分离器包括：其中引入包含第一浓度有机溶剂的流体的蒸馏器；加热从蒸馏器排放的包含第二浓度有机溶剂的流体的加热单元，该加热单元将蒸发的包含第三浓度有机溶剂的流体供应到蒸馏器中；使从蒸馏器排放的包含第四浓度有机溶剂的流体液化的冷凝单元。有机溶剂具有在浓度上依次降低的第二浓度、第一浓度、第三浓度和第四浓度。

公开(公告)号：CN105590882A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510750418.9

申请日：2015-11-06

申请人： 细美事有限公司

发明人： 崔基勋 ,  郑仁一 ,  金性洙 ,  朱润钟

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02057 ,  B24C1/003 ,  B24C11/005 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67051

摘要： 本发明公开了一种基板处理装置和方法。所述方法包括：将清洁颗粒供给到基板以清洁基板。所述清洁颗粒是固体颗粒。所述固体颗粒对基板提供了一冲击波。

公开(公告)号：CN104078388A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410124436.1

申请日：2014-03-28

申请人： 细美事有限公司

发明人： 郑仁一 ,  郑恩先 ,  许瓒宁 ,  朴正善 ,  金性洙

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051

摘要： 本发明提供一种衬底处理设备。该衬底处理设备包括：干燥室，在该干燥室中通过使用作为超临界流体提供的流体溶解残留在衬底上的有机溶剂以干燥衬底；将流体供应到干燥室中的供应单元；和再循环单元，其包括用于从由干燥室排放的流体中分离有机溶剂以再循环流体的分离器，该再循环单元将再循环流体供应到供应单元中。所述分离器包括：其中引入包含第一浓度有机溶剂的流体的蒸馏器；加热从蒸馏器排放的包含第二浓度有机溶剂的流体的加热单元，该加热单元将蒸发的包含第三浓度有机溶剂的流体供应到蒸馏器中；使从蒸馏器排放的包含第四浓度有机溶剂的流体液化的冷凝单元。有机溶剂具有在浓度上依次降低的第二浓度、第一浓度、第三浓度和第四浓度。

公开(公告)号：CN104681426A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201410720206.1

申请日：2014-12-01

申请人： 细美事有限公司

发明人： 郑仁一 ,  金禹永 ,  李映一 ,  金鹏

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC分类号： F26B21/10 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32825 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051

摘要： 本发明提供一种基板处理装置。本发明的一个实施例的基板处理装置包括：对基板实施预定工艺的工艺室；测量所述工艺室内的压力测量仪；接收所述压力测量仪测量的压力值，并决定所述工艺室的内部的打开时间的控制器；所述控制器可从所述工艺室内压力值达到预先设定的打开压力的一刻开始，并达到设定条件时，打开所述工艺室内部。

公开(公告)号：CN107881032A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710899501.1

申请日：2017-09-28

申请人： 细美事有限公司

发明人： 姜基文 ,  A·科里阿金 ,  郑仁一 ,  崔海园

IPC分类号： C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D7/26 ,  C11D11/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： B08B7/0021 ,  C07C31/02 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  C11D7/10 ,  C11D7/08 ,  C11D7/261 ,  C11D7/265 ,  C11D7/266 ,  H01L21/02101

摘要： 本发明涉及无水基板清洁组合物、基板处理方法和基板处理装置。基板清洁组合物包括：蚀刻化合物，所述蚀刻化合物提供用于处理基板的组分；和溶剂，所述溶剂溶解所述蚀刻化合物，其中所述基板清洁组合物是不包含水的无水组合物。