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公开(公告)号：CN106029554B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201580009172.8
申请日：2015-02-05
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0048 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/017 , B81C3/001 , B81C2201/0132 , B81C2201/019 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明提出一种传感器单元，其具有第一半导体器件和第二半导体器件，其中，所述第一半导体器件具有第一衬底和传感器结构，其中，所述第二半导体器件具有第二衬底，其中，所述第一和第二半导体器件通过晶圆连接部彼此连接，其中，所述传感器单元具有脱耦结构，该脱耦结构配置为，使得所述传感器结构热机械地和/或机械地与所述第二半导体器件脱耦。
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公开(公告)号：CN102362152A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080013712.7
申请日：2010-01-28
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G01C19/5755
Abstract: 本发明涉及一种用于共振地驱动微机械系统的装置，包括：至少一个被弹簧振动式支承的感振质量；至少一个用于驱动所述感振质量振动的驱动装置；和至少一个与所述感振质量运动耦合的元件。该装置还包括至少一个用于检测随所述感振质量的振动变化的、在运动耦合的元件与检测元件之间的关系参数的检测元件，其中，所述检测元件被设置用于在达到所述关系参数的一预给定的值时引起振动驱动装置的中断。
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公开(公告)号：CN102735229B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201210088784.9
申请日：2012-03-29
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01C19/5656
CPC classification number: G01C19/5747
Abstract: 本发明涉及一种具有第一科氏元件和第二科氏元件的旋转速率传感器和用于运行该旋转速率传感器的方法，其中，所述旋转速率传感器具有带有主延伸平面的衬底，所述旋转速率传感器具有用于平行于第二轴驱动所述第一科氏元件的第一驱动元件，所述旋转速率传感器具有用于平行于第二轴驱动所述第二科氏元件的第二驱动元件，所述旋转速率传感器具有用于检测所述第一科氏元件和所述第二科氏元件由于科氏力而平行于第一轴的偏转的检测装置，所述第二轴垂直于所述第一轴设置，所述第一轴和所述第二轴平行于所述主延伸平面设置，并且所述第一驱动元件和所述第二驱动元件通过驱动耦合元件机械地相互耦合。
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公开(公告)号：CN101963505B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201010236921.X
申请日：2010-07-21
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01C19/5712
CPC classification number: G01C19/5712 , G01C19/5747
Abstract: 本发明提供一种微机械式旋转速率传感器(100，200，300，400，500)，具有：第一旋转速率传感器元件(20)，它输出第一传感器信号(S1)，该第一传感器信号含有关于绕第一旋转轴的旋转的信息；第二旋转速率传感器元件(30)，它输出第二传感器信号(S2)，该第二传感器信号含有关于绕第二旋转轴的旋转的信息，该第二旋转轴垂直于该第一旋转轴；驱动装置(10)，它驱动所述第一旋转速率传感器元件(20)；和耦合部件(40)，它使所述第一旋转速率传感器元件(20)和所述第二旋转速率传感器元件(30)机械地相互耦合，使得对所述第一旋转速率传感器元件(20)的驱动也引起对所述第二旋转速率传感器元件(30)的驱动。
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公开(公告)号：CN103630127A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310165983.X
申请日：2013-05-08
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01C19/5733 , G01C19/5747
CPC classification number: G01C19/56 , G01C19/5747
Abstract: 本发明涉及转速传感器，其衬底具有主延伸平面，用于探测围绕或与主延伸平面平行地或垂直地延伸的第一方向的转速，转速传感器具有驱动装置、第一和第二科里奥利质量，第一科里奥利质量的至少一部分和第二科里奥利质量的至少一部分在围绕第一方向的转速的情况下经受与垂直于驱动方向和第一方向延伸的探测方向平行的科里奥利加速度，转速传感器具有第一和第二均衡质量，第一均衡质量通过衬底上的第一连接件具有与第一科里奥利质量的耦合并且第二均衡质量通过衬底上的第二连接件具有与第一科里奥利质量的耦合，第一科里奥利质量的由科里奥利加速度引起的与探测方向平行的偏转导致第一和第二均衡质量的分别反向的偏转。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103424107A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310177524.3
申请日：2013-05-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00134 , B81B3/0018 , B81B2201/025 , B81C1/00246 , B81C1/00333 , G01P15/0802
Abstract: 建议了用于提高微机械惯性传感器的测量灵敏度的措施，所述惯性传感器包括至少一个具有已处理的正面的ASIC构件（10）、一个具有微机械的传感器结构的MEMS构件（20）以及一个罩形晶片（31）。所述MEMS构件（20）的传感器结构包括至少一个振动质量（25）并且延伸在所述MEMS构件（20）的整个厚度上。所述MEMS构件（20）通过支座结构（15）装配在所述ASIC构件（10）的已处理的正面上，并且通过在所述MEMS衬底（20）中以及在所述支座结构的相邻支架（15）中的穿通接触件（22）与所述ASIC构件（10）电连接。所述罩形晶片（31）装配在所述MEMS构件（20）的微机械传感器结构上方。根据本发明，至少在所述振动质量（25）的区域中构造至少一个在所述MEMS衬底（20）中的盲孔（23），所述盲孔用与所述穿通接触件（22）相同的导电材料填充。这种导电的材料具有比所述MEMS衬底材料更高的密度。
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公开(公告)号：CN102183247A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110008084.X
申请日：2011-01-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G01C19/5747
Abstract: 本发明提出一种旋转速率传感器，包括一个具有主延伸平面的衬底以及平行于主延伸平面设置的第一和第二分结构，其中第一分结构具有第一驱动结构并且第二分结构具有第二驱动结构，第一和第二分结构通过驱动器件经由第一和第二驱动结构可被激励平行于与主延伸平面平行的第一轴振荡，其中第一分结构具有第一科里奥利元件，第二分结构具有第二科里奥利元件，其特征在于，第一和第二科里奥利元件通过科里奥利力可平行于与第一轴垂直的第二轴且平行于与第一和第二轴垂直的第三轴偏移，其中第二轴平行于主延伸平面延伸，第一科里奥利元件与第二科里奥利元件通过耦合元件连接。
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公开(公告)号：CN101821587A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880111181.8
申请日：2008-09-26
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01C19/56
CPC classification number: G01C19/5684 , G01C19/5747
Abstract: 本发明涉及一种微机械装置，具有至少一个驱动框架(10，15，17)和至少一个振子(20，25，27)，其中，所述振子(20，25，27)设置在被所述驱动框架(10，15，17)包围的区域(50)内，其中，所述振子(20，25，27)与所述驱动框架(10，15，17)机械式耦联。本发明的核心在于，所述驱动框架(10，15，17)能被激励作弯曲振动(100)。
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公开(公告)号：CN112444808A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010885002.9
申请日：2020-08-28
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于车辆的设备，所述设备紧固在车辆、尤其是商用车上，并且在所述设备中紧固至少一个或多个环境传感器，其中，所述设备的壳体壁、优选是朝向所述环境传感器的感测范围方向上的壁，由传感器辐射可透过的材料制造，并且，所述设备的至少一个壳体壁，优选是与所述环境传感器的感测范围相反的方向上的壁，由吸收传感器辐射的材料制造。
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公开(公告)号：CN103424107B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201310177524.3
申请日：2013-05-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00134 , B81B3/0018 , B81B2201/025 , B81C1/00246 , B81C1/00333 , G01P15/0802
Abstract: 建议了用于提高微机械惯性传感器的测量灵敏度的措施，所述惯性传感器包括至少一个具有已处理的正面的ASIC构件（10）、一个具有微机械的传感器结构的MEMS构件（20）以及一个罩形晶片（31）。所述MEMS构件（20）的传感器结构包括至少一个振动质量（25）并且延伸在所述MEMS构件（20）的整个厚度上。所述MEMS构件（20）通过支座结构（15）装配在所述ASIC构件（10）的已处理的正面上，并且通过在所述MEMS衬底（20）中以及在所述支座结构的相邻支架（15）中的穿通接触件（22）与所述ASIC构件（10）电连接。所述罩形晶片（31）装配在所述MEMS构件（20）的微机械传感器结构上方。根据本发明，至少在所述振动质量（25）的区域中构造至少一个在所述MEMS衬底（20）中的盲孔（23），所述盲孔用与所述穿通接触件（22）相同的导电材料填充。这种导电的材料具有比所述MEMS衬底材料更高的密度。
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