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公开(公告)号：CN101473454B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200780021185.2
申请日：2007-06-08
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L21/363
CPC classification number: C30B23/02 , C30B29/16 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02554 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/267 , H01L29/7782 , H01L29/7787 , H01L33/0083 , H01L33/16 , H01S5/0211 , H01S5/3202 , H01S5/327
Abstract: 本发明涉及一种ZnO系半导体元件，可以使平坦的ZnO系半导体层在层叠侧的主面朝向c轴方向的MgZnO基板上生长。使ZnO系半导体层(2～6)在以+C(0001)面至少向m轴方向倾斜的面为主面的MgxZn1-xO(0≤x
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公开(公告)号：CN102017197A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114001.6
申请日：2009-02-20
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种ZnO类半导体元件，该元件的特征在于，在形成含有包含ZnO类半导体的受主掺杂层的层叠体时，能够在不使受主元素浓度降低的情况下，抑制受主掺杂层或在受主掺杂层之后形成的层的平坦性劣化及晶体缺陷增加，并且能够使膜的特性得以稳定化。其中，在ZnO基板1上依次层叠有n型MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)层2、非掺杂MgZnO层3、MQW活性层4、非掺杂MgXZn1-XO层5、受主掺杂MgYZn1-YO层6。受主掺杂MgYZn1-YO(0＜Y＜1)层6中包含至少1种受主元素，并且，在该层上相接触地形成有非掺杂的MgXZn1-XO(0＜X＜1)层5。由此，可以在向受主掺杂层中充分导入受主元素的同时，使受主掺杂层的表面平坦性得到改善。
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公开(公告)号：CN101473454A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780021185.2
申请日：2007-06-08
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L21/363
CPC classification number: C30B23/02 , C30B29/16 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02554 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/22 , H01L29/267 , H01L29/7782 , H01L29/7787 , H01L33/0083 , H01L33/16 , H01S5/0211 , H01S5/3202 , H01S5/327
Abstract: 本发明涉及一种ZnO系半导体元件，可以使平坦的ZnO系半导体层在层叠侧的主面朝向c轴方向的MgZnO基板上生长。使ZnO系半导体层(2～6)在以+C(0001)面至少向m轴方向倾斜的面为主面的MgxZn1－xO(0≤x＜1)基板(1)上外延生长。并且，在ZnO系半导体层(5)上形成有p电极(8)，在MgxZn1－xO基板(1)的下侧形成有n电极(9)。这样，通过在MgxZn1－xO基板(1)的表面形成沿m轴方向排列的规则的台阶，可以防止被称为台阶会聚的现象，提高层叠于基板(1)上的半导体层的膜的平坦性。
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公开(公告)号：CN101688326A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022544.0
申请日：2008-06-27
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: C30B29/22
CPC classification number: C30B33/10 , C30B29/16 , C30B35/007
Abstract: 本发明提供一种ZnO基板以及ZnO基板的处理方法。该ZnO基板具有适合晶体生长的表面。Mg x Zn 1-x O(0≤X＜1)基板的进行晶体生长一侧的表面中，OH基的存在大致为0。为此，基板处理方法为，在Mg x Zn 1-x O(0≤X＜1)基板的进行晶体生长一侧的表面上的最终处理是pH3以下的酸性湿蚀刻处理。由此，能够防止产生Zn的氢氧化物，能够使ZnO基板上的薄膜的结晶缺陷密度非常小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101652863A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200880009854.9
申请日：2008-02-04
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L29/47 , H01L21/338 , H01L29/22 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L33/00
CPC classification number: H01L29/22 , H01L29/045 , H01L29/225 , H01L29/402 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L31/0296 , H01L51/0037 , H01L51/4233
Abstract: 本发明提供一种ZnO系半导体元件，使ZnO系半导体和有机物发挥能动的作用，且具有与现在不同的全新的功能。本发明是为解决上述课题而提案的。在ZnO系半导体(1)上形成有有机物电极(2)，在有机物电极(2)上形成有Au膜(3)。在ZnO系半导体(1)的背面以与有机物电极(2)相对的方式形成有由Ti膜(4)和Au膜(5)的多层金属膜构成的电极。有机物电极(2)与ZnO系半导体(1)的接合界面为pn结的状态，在它们之间产生整流作用。
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公开(公告)号：CN102001857A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010270066.4
申请日：2010-08-30
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
CPC classification number: H01L21/02631 , C04B35/453 , C04B2235/3206 , C04B2235/3284 , C04B2235/72 , C04B2235/721 , C23C14/086 , C23C14/24 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02554 , H01L21/02565
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可使生长出的氧化锌类半导体的杂质浓度得以降低的氧化锌类基板。为此，本发明的氧化锌类基板2中IVA族元素、即Si、C、Ge、Sn及Pb的杂质浓度满足1×1017cm-3以下的条件。氧化锌类基板2更优选满足IA族元素、即Li、Na、K、Rb及Fr的杂质浓度为1×1016cm-3以下的条件。
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公开(公告)号：CN101268563A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200680035017.4
申请日：2006-09-21
Applicant: 罗姆股份有限公司
CPC classification number: H01L33/28 , H01L29/225 , H01L29/7787 , H01L33/16 , H01S5/0207 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/2231 , H01S5/327
Abstract: 本发明提供氧化锌类化合物半导体元件，即使形成具有ZnO类化合物半导体的异质结的叠层部，形成半导体元件，确保p型掺杂，并且不引起驱动电压的上升，而且结晶性良好、元件特性优异。本发明的氧化锌化合物半导体元件，在以A面{11－20}或M面{10－10}向－c轴方向倾斜的面为主面的MgxZn1－xO(0≤x＜1)构成的基板1的主面上，外延生长ZnO类化合物半导体层(2)～(6)。
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公开(公告)号：CN118922055A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410560826.7
申请日：2024-05-08
Applicant: 罗姆股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种能够检测相对于基板平行地通过的磁场的霍尔元件。霍尔元件(1)具有由彼此相对的第一面(201)和第二面(202)定义了两面的导电性的第一半导体层(20)、凸台形状的导电性半导体的第一感磁层(301)和第二感磁层(302A、302B)。第一感磁层(301)配置在第一半导体层(20)的第一面(201)的上方，底面与第一面(201)相对。第二感磁层(302A、302B)在与第一感磁层(301)隔开间隔的位置配置于第一面(201)的上方，底面与第一面(201)相对。
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公开(公告)号：CN101849297A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200880114737.9
申请日：2008-09-05
Applicant: 罗姆股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/16 , H01L21/02403 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02579 , H01L21/02609 , H01L33/0083 , H01L33/28
Abstract: 本发明提供一种ZnO系半导体元件，其缓和自补偿效应、抑制施主杂质的混入，以容易进行p型化。使MgxZn1-xO(0≤x＜1)基板的主面法线向基板晶轴的a轴c轴平面投影的投影轴向a轴方向倾斜Φa度、且向基板晶轴的m轴c轴平面投影的投影轴向m轴方向倾斜Φm度，角度Φa满足70≤{90-(180/π)arctan(tan(πΦa/180)/tan(πΦm/180))}≤110，且满足Φm≥1，由于被这样形成，所以在该主面上形成的ZnO系半导体层能够抑制施主杂质的混入、缓和自补偿效应而容易进行p型化，从而能够制作出所希望的ZnO系半导体元件。
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