公开(公告)号：CN101849297A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200880114737.9

申请日：2008-09-05

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中原健 ,  汤地洋行 ,  川崎雅司 ,  大友明 ,  塚崎敦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明提供一种ZnO系半导体元件，其缓和自补偿效应、抑制施主杂质的混入，以容易进行p型化。使MgxZn1-xO(0≤x＜1)基板的主面法线向基板晶轴的a轴c轴平面投影的投影轴向a轴方向倾斜Φa度、且向基板晶轴的m轴c轴平面投影的投影轴向m轴方向倾斜Φm度，角度Φa满足70≤{90-(180/π)arctan(tan(πΦa/180)/tan(πΦm/180))}≤110，且满足Φm≥1，由于被这样形成，所以在该主面上形成的ZnO系半导体层能够抑制施主杂质的混入、缓和自补偿效应而容易进行p型化，从而能够制作出所希望的ZnO系半导体元件。

公开(公告)号：CN102017197A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114001.6

申请日：2009-02-20

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中原健 ,  田村谦太郎 ,  汤地洋行 ,  赤坂俊辅 ,  川崎雅司 ,  大友明 ,  塚崎敦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/28 ,  H01L33/02

Abstract: 本发明提供一种ZnO类半导体元件，该元件的特征在于，在形成含有包含ZnO类半导体的受主掺杂层的层叠体时，能够在不使受主元素浓度降低的情况下，抑制受主掺杂层或在受主掺杂层之后形成的层的平坦性劣化及晶体缺陷增加，并且能够使膜的特性得以稳定化。其中，在ZnO基板1上依次层叠有n型MgZZn1-ZO(0≤Z＜1)层2、非掺杂MgZnO层3、MQW活性层4、非掺杂MgXZn1-XO层5、受主掺杂MgYZn1-YO层6。受主掺杂MgYZn1-YO(0＜Y＜1)层6中包含至少1种受主元素，并且，在该层上相接触地形成有非掺杂的MgXZn1-XO(0＜X＜1)层5。由此，可以在向受主掺杂层中充分导入受主元素的同时，使受主掺杂层的表面平坦性得到改善。

公开(公告)号：CN101473454A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200780021185.2

申请日：2007-06-08

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中原健 ,  汤地洋行 ,  田村谦太郎 ,  赤坂俊辅 ,  川崎雅司 ,  塚崎敦 ,  大友明

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/327

Abstract: 本发明涉及一种ZnO系半导体元件，可以使平坦的ZnO系半导体层在层叠侧的主面朝向c轴方向的MgZnO基板上生长。使ZnO系半导体层(2～6)在以+C(0001)面至少向m轴方向倾斜的面为主面的MgxZn1－xO(0≤x＜1)基板(1)上外延生长。并且，在ZnO系半导体层(5)上形成有p电极(8)，在MgxZn1－xO基板(1)的下侧形成有n电极(9)。这样，通过在MgxZn1－xO基板(1)的表面形成沿m轴方向排列的规则的台阶，可以防止被称为台阶会聚的现象，提高层叠于基板(1)上的半导体层的膜的平坦性。

公开(公告)号：CN101473454B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200780021185.2

申请日：2007-06-08

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中原健 ,  汤地洋行 ,  田村谦太郎 ,  赤坂俊辅 ,  川崎雅司 ,  塚崎敦 ,  大友明

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/327

Abstract: 本发明涉及一种ZnO系半导体元件，可以使平坦的ZnO系半导体层在层叠侧的主面朝向c轴方向的MgZnO基板上生长。使ZnO系半导体层(2～6)在以+C(0001)面至少向m轴方向倾斜的面为主面的MgxZn1-xO(0≤x

公开(公告)号：CN101802574A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106813.1

申请日：2008-07-22

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中原健 ,  川崎雅司 ,  大友明 ,  塚崎敦

IPC: G01J5/00

CPC classification number: G01J5/08 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/541 ,  G01J5/0003 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/0875 ,  G01J2005/0048 ,  G01J2005/0081 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02554

Abstract: 本发明涉及一种基板温度测量装置及基板温度测量方法。该基板温度测量装置具有加热基板的加热源、使不能透过基板的波长区域的红外线透过的透射窗、和温度测量器；该温度测量器的灵敏度范围包含不能透过基板的波长区域，对从被加热源加热了的基板放射出且透过透射窗的红外线进行分析来测量基板的基板温度。

公开(公告)号：CN101932756A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200980103866.2

申请日：2009-01-30

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中原健 ,  赤坂俊辅 ,  川崎雅司 ,  大友明 ,  塚崎敦

IPC: C30B29/22 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C30B29/16 ,  C30B33/12

Abstract: 本发明的目的在于提供适于晶体生长的具有品质良好的表面的ZnO类基板及ZnO类基板的处理方法、以及ZnO类半导体元件。为此，本发明的ZnO类基板具有下述构成：在该基板的进行晶体生长一侧的主面表面上基本上不存在羧基或碳酰二氧基。另外，为使其主面表面上存在的羧基或碳酰二氧基基本上为零，在晶体生长开始之前使ZnO类基板表面与氧自由基、氧等离子体、臭氧中的任意物质接触。由此，可提高ZnO类基板表面的清洁化，进而在基板上制作品质良好的ZnO类薄膜。

公开(公告)号：CN101889347A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200880119750.3

申请日：2008-11-20

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中原健 ,  川崎雅司 ,  大友明 ,  塚崎敦

IPC: H01L29/04 ,  H01L21/338 ,  H01L21/363 ,  H01L29/221 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/22 ,  H01L29/221 ,  H01L29/868 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明提供一种ZnO系半导体元件，能够在层叠侧主面具有C面的MgZnO基板上生长平坦的ZnO系半导体层。该ZnO系半导体元件采用主面具有C面的MgxZn1-xO(0≤x＜1)基板，并在以使所述主面的法线向基板晶轴的m轴c轴平面投影的投影轴与c轴所形成的Φm角满足0＜Φm≤3的方式形成的主面上，使ZnO系半导体层(2～5)外延生长。然后，在ZnO系半导体层(5)上形成p电极(8)，在MgxZn1-xO基板(1)的下侧形成n电极(9)。这样，通过在MgxZn1-xO基板(1)的表面形成沿m轴方向规则地排列的台阶，能够防止台阶积累现象，并且提高层叠在基板(1)上的半导体层的膜的平坦性。

公开(公告)号：CN101821865A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200880108746.7

申请日：2008-08-07

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中原健 ,  赤坂俊辅 ,  川崎雅司 ,  大友明 ,  塚崎敦

IPC: H01L33/00 ,  C01G9/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363

CPC classification number: C01G9/00 ,  C01G9/02 ,  C01P2002/50 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/20 ,  C01P2006/22 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  C23C14/086 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/28

Abstract: 具备以MgxZn1-xO(0≤x＜1)为主成分的半导体层，所述半导体层中包含的作为杂质的锰的浓度为1×1016cm-3以下。

公开(公告)号：CN101688326A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880022544.0

申请日：2008-06-27

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中原健 ,  汤地洋行 ,  赤坂俊辅 ,  川崎雅司 ,  大友明 ,  塚崎敦

IPC: C30B29/22

CPC classification number: C30B33/10 ,  C30B29/16 ,  C30B35/007

Abstract: 本发明提供一种ZnO基板以及ZnO基板的处理方法。该ZnO基板具有适合晶体生长的表面。Mg x Zn 1-x O(0≤X＜1)基板的进行晶体生长一侧的表面中，OH基的存在大致为0。为此，基板处理方法为，在Mg x Zn 1-x O(0≤X＜1)基板的进行晶体生长一侧的表面上的最终处理是pH3以下的酸性湿蚀刻处理。由此，能够防止产生Zn的氢氧化物，能够使ZnO基板上的薄膜的结晶缺陷密度非常小。

公开(公告)号：CN101652863A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200880009854.9

申请日：2008-02-04

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 中原健 ,  汤地洋行 ,  川崎雅司 ,  大友明 ,  塚崎敦 ,  福村知昭 ,  中野匡规

IPC: H01L29/47 ,  H01L21/338 ,  H01L29/22 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/22 ,  H01L29/045 ,  H01L29/225 ,  H01L29/402 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L31/0296 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/4233

Abstract: 本发明提供一种ZnO系半导体元件，使ZnO系半导体和有机物发挥能动的作用，且具有与现在不同的全新的功能。本发明是为解决上述课题而提案的。在ZnO系半导体(1)上形成有有机物电极(2)，在有机物电极(2)上形成有Au膜(3)。在ZnO系半导体(1)的背面以与有机物电极(2)相对的方式形成有由Ti膜(4)和Au膜(5)的多层金属膜构成的电极。有机物电极(2)与ZnO系半导体(1)的接合界面为pn结的状态，在它们之间产生整流作用。