公开(公告)号：CN101473454B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200780021185.2

申请日：2007-06-08

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 中原健 ,  汤地洋行 ,  田村谦太郎 ,  赤坂俊辅 ,  川崎雅司 ,  塚崎敦 ,  大友明

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/363

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/327

摘要： 本发明涉及一种ZnO系半导体元件，可以使平坦的ZnO系半导体层在层叠侧的主面朝向c轴方向的MgZnO基板上生长。使ZnO系半导体层(2～6)在以+C(0001)面至少向m轴方向倾斜的面为主面的MgxZn1-xO(0≤x

公开(公告)号：CN101290908A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200710104428.0

申请日：2007-04-20

申请人： 晶能光电(江西)有限公司

发明人： 王立 ,  江风益

IPC分类号： H01L21/784 ,  H01L27/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/327

摘要： 本发明的一个实施例提供一种用于获得在沟槽分割衬底上制造的各个多层结构的高质量边界的工艺。在操作期间，该工艺获取沟槽分割衬底，其中将该衬底的表面分成由沟槽阵列分隔的隔离淀积台的阵列。然后，该工艺在淀积台中的一个上形成多层结构，该多层结构包括第一掺杂层、有源层和第二掺杂层。接着，该工艺去除多层结构的侧壁。

公开(公告)号：CN101147268A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680009523.6

申请日：2006-03-23

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 中原健 ,  田村谦太郎

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/327

CPC分类号： H01L29/221 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/045 ,  H01L29/225 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/16 ,  H01L33/28 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/327

摘要： 本发明提供一种即使形成具有ZnO系化合物半导体层的异质结的叠层部从而形成半导体元件，也不会引起驱动电压的上升，而且使结晶性良好、元件特性优异的氧化锌系化合物半导体元件。在由以A面(11－20)或M面(10－10)作为主面的MgxZn1－xO(0≤x≤0.5)构成的基板(1)的主面上，与主面平行的面在｛11－20｝面或｛10－10｝面上取向、并且与主面垂直的面在｛0001｝面上取向而外延生长ZnO系化合物半导体单晶层(2～6)。

公开(公告)号：CN1659711A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03813676.7

申请日：2003-06-04

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 伊藤吉博 ,  门田道雄

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L33/00 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365 ,  C23C14/08

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/28 ,  H01S5/327

摘要： 本发明提供了一种具有极佳结晶度和极佳电性能的半导体器件，该半导体器件中包括一个具有极佳表面平滑度的ZnO薄膜。主要含有ZnO的ZnO基薄膜(一个n型接触层6，一个n型覆盖层7，一个活性层8，一个p型覆盖层9，和一个p型接触层10)通过ECR溅射方法或类似方法在ZnO基片1的锌极性表面1a上依次形成。透明电极3和p侧电极4通过蒸发方法或类似方法在p型接触层10的表面上形成，n侧电极5是在ZnO基片1的氧极性表面1b上形成。

公开(公告)号：CN1206746C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN00806011.8

申请日：2000-02-02

申请人： 株式会社日矿材料

发明人： 佐藤贤次 ,  荒川笃俊 ,  花房干夫 ,  野田朗

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/322 ,  H01L21/385 ,  H01S5/327

CPC分类号： H01L33/28 ,  H01L33/0008 ,  H01S5/3059 ,  H01S5/327

摘要： 采用包含周期表第12(2B)族元素和第16(6B)族元素的化合物半导体晶体基片、在使用位错密度或淀积物密度较低的基片的同时，通过让使第一导电型的上述基片成为第二导电型基片的元素从基片表面热扩散而形成pn结，在上述基片的前表面和背面形成电极，遂制成光电变换功能元件。此外，在基片前表面设置含有使第一导电型的所述基片成为第二导电型基片的元素的扩散源，在阻止形成对在扩散过程中所述元素在所述基片上形成的杂质能级进行补偿的缺陷的同时，通过上述扩散源吸收基片表面的杂质。由此，可对II-VI族化合物半导体的导电类型实施控制，从而使发光特性优良的光电变化功能元件的稳定制造得以实现。

公开(公告)号：CN1111840A

公开(公告)日：1995-11-15

申请号：CN95102220.2

申请日：1992-05-15

申请人： 明尼苏达州采矿制造公司

发明人： 迈克尔·A·海斯 ,  郑骅 ,  詹姆斯·M·迪鲁特 ,  邱钧

IPC分类号： H01S3/025

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/145 ,  H01L33/28 ,  H01L33/285 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/3059 ,  H01S5/3068 ,  H01S5/327 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/347 ,  H01L2924/00

摘要： 用于产生对P型II—VI半导体本体欧姆接触的方法，包括：在分子束外延仓内放入P型II—VI半导体本体；向仓内溅射至少一个II族源；向仓内溅射至少一个VII族源Xm，m＜6；向仓内测射至少一种自由基，作为P型掺杂剂；将半导体本体加热到小于250℃，但高到足以促进掺自由基P型杂质到净受主浓度至少为1×1017cm-3的II—VI半导体层的晶体生长；以及在半导体本体上生长掺自由基P型杂质到净受主至少为1×1017cm-3的晶体II—VI欧姆接触层。

公开(公告)号：CN101826698A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010129455.5

申请日：2010-03-03

申请人： 索尼公司

发明人： 小幡俊之

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/223 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01S5/0421 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2215 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/327

摘要： 本发明提供一种激光二极管装置。该激光二极管装置包括：基板；半导体层叠结构，包括在该基板的一个表面侧上的第一导电覆层、有源层和第二导电覆层，并且具有作为最顶层的接触层，其中突起形成在接触层和第二导电覆层中；以及电极，设置在接触层上。接触层具有在电极侧的表面上的凹凸结构，并且电极在凹凸结构的顶面、侧面和底面的接触点与接触层接触。该激光二极管能实现低电压。

公开(公告)号：CN101268563A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680035017.4

申请日：2006-09-21

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 中原健 ,  汤地洋行

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/347

CPC分类号： H01L33/28 ,  H01L29/225 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/327

摘要： 本发明提供氧化锌类化合物半导体元件，即使形成具有ZnO类化合物半导体的异质结的叠层部，形成半导体元件，确保p型掺杂，并且不引起驱动电压的上升，而且结晶性良好、元件特性优异。本发明的氧化锌化合物半导体元件，在以A面{11－20}或M面{10－10}向－c轴方向倾斜的面为主面的MgxZn1－xO(0≤x＜1)构成的基板1的主面上，外延生长ZnO类化合物半导体层(2)～(6)。

公开(公告)号：CN100376035C

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN03813676.7

申请日：2003-06-04

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 伊藤吉博 ,  门田道雄

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L33/00 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365 ,  C23C14/08

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/28 ,  H01S5/327

摘要： 本发明提供了一种具有极佳结晶度和极佳电性能的半导体器件，该半导体器件中包括一个具有极佳表面平滑度的ZnO薄膜。主要含有ZnO的ZnO基薄膜(一个n型接触层6，一个n型覆盖层7，一个活性层8，一个p型覆盖层9，和一个p型接触层10)通过ECR溅射方法或类似方法在ZnO基片1的锌极性表面1a上依次形成。透明电极3和p侧电极4通过蒸发方法或类似方法在p型接触层10的表面上形成，n侧电极5是在ZnO基片1的氧极性表面1b上形成。

公开(公告)号：CN1729415A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200380107032.1

申请日：2003-11-06

申请人： 3M创新有限公司

发明人： 张俊颖 ,  B·J·盖茨 ,  J·K·拉森 ,  B·J·科克 ,  T·L·史密斯

IPC分类号： G02B6/12

CPC分类号： H01S5/026 ,  G02B6/132 ,  G02B6/136 ,  G02B6/138 ,  G02F1/011 ,  H01S3/0632 ,  H01S3/09415 ,  H01S3/1603 ,  H01S3/17 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/14 ,  H01S5/327

摘要： 根据本发明制造光波导器件的方法，包括沉积下包层(114)；在下包层上直接涂覆光刻胶层(118)；将光刻胶层图形化形成通道(117)；沉积芯层(116)，此时芯层的第一部分沉积在通道内，第二部分覆盖在经图形化的光刻胶层上；除去图形化光刻胶层以及覆盖在图形化光刻胶层上的第二部分芯层；沉积上包层(120)。