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公开(公告)号：CN105388709B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510536341.5
申请日：2015-08-27
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
摘要： 本发明提供多图案形成方法。所述方法包含：(a)提供包含一个或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一个或多个待图案化的层上方形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包含以下各者的组合物形成：包含酸不稳定基团的基质聚合物；光酸产生剂；和溶剂；(c)逐图案曝光所述光致抗蚀剂层以活化辐射；(d)烘烤所述曝光的光致抗蚀剂层；(e)使所述烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触以形成第一抗蚀图案；(f)用包含用于将所述第一抗蚀图案的侧壁区的可溶性从可溶转变为不溶的手段的涂料组合物处理所述第一抗蚀图案，所述可溶性为就不同于所述第一显影剂的第二显影剂来说的；和(g)使所述处理的第一抗蚀图案与所述第二显影剂接触以去除一部分所述第一抗蚀图案，留下所述可溶性转变的侧壁区以形成多图案。所述方法尤其适用于半导体制造工业以形成精细光刻图案。
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公开(公告)号：CN112015048A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010418180.0
申请日：2020-05-18
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027
摘要： 光致抗蚀剂图案修整组合物包含聚合物、芳香族磺酸和基于有机溶剂的体系，其中所述芳香族磺酸具有通式(I)：其中：Ar1表示芳香族基团；R1独立地表示卤素原子、羟基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的杂烷基、取代或未取代的碳环芳基、取代或未取代的杂环芳基、取代或未取代的烷氧基、或其组合，其中相邻的R1基团与Ar1一起任选地形成稠环结构；a表示2或更大的整数；并且b表示1或更大的整数，前提是a+b至少是3并且不大于Ar1的可用芳香族碳原子的总数，并且R1中的两个或更多个独立地是直接键合至芳香族环碳原子的氟原子或氟烷基。
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公开(公告)号：CN108017971A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711011964.6
申请日：2017-10-26
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： C09D133/10 , C09D7/65 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/11 , C08F20/34 , C08F222/40 , C08L33/16 , C08L2205/025 , C09D133/08 , C09D133/10 , C09D133/16 , G03F7/0002 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/327 , H01L21/0274
摘要： 一种面漆组合物，包含：基质聚合物；表面活性聚合物，包含由以下通式(I)的单体形成的聚合单元：其中：R1表示H、F、甲基或氟化甲基；R2表示任选经取代的C1到C8亚烷基或任选经取代的C1到C8氟亚烷基，任选地包含一个或多个杂原子；R3表示H、F、任选经取代的C1到C10烷基或任选经取代的C5到C15芳基，任选地包含一个或多个杂原子；R4表示任选经取代的C1到C8烷基、任选经取代的C1到C8氟烷基或任选经取代的C5到C15芳基，任选地包含一个或多个杂原子；X表示O、S或NR5，其中R5选自氢和任选经取代的C1到C5烷基；并且a是0或1；以及溶剂。还提供利用所述面漆组合物的经涂布衬底和图案形成方法。本发明特别适用于光刻工艺中作为光致抗蚀剂面漆层来制造半导体装置。
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公开(公告)号：CN108017970A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710991883.0
申请日：2017-10-23
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： C09D133/10 , C09D7/63 , C09D7/65 , C09D7/20 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/11 , C09D133/10 , G03F7/0002 , G03F7/0046 , G03F7/16 , G03F7/327 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0274
摘要： 本发明提供面漆组合物，其包括：基质聚合物；表面活性聚合物；包含阴离子和阳离子的离子性热酸产生剂，其中所述阴离子、所述阳离子或所述阴离子和所述阳离子经氟化；和溶剂。还提供经涂布衬底和利用所述面漆组合物的图案形成方法。本发明特别适用于光刻工艺，在制造半导体装置中作为光致抗蚀剂面漆层。
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公开(公告)号：CN105388709A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510536341.5
申请日：2015-08-27
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 , 陶氏环球技术有限责任公司 , 罗门哈斯电子材料韩国有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337
摘要： 本发明提供多图案形成方法。所述方法包含：(a)提供包含一个或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一个或多个待图案化的层上方形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包含以下各者的组合物形成：包含酸不稳定基团的基质聚合物；光酸产生剂；和溶剂；(c)逐图案曝光所述光致抗蚀剂层以活化辐射；(d)烘烤所述曝光的光致抗蚀剂层；(e)使所述烘烤的光致抗蚀剂层与第一显影剂接触以形成第一抗蚀图案；(f)用包含用于将所述第一抗蚀图案的侧壁区的可溶性从可溶转变为不溶的手段的涂料组合物处理所述第一抗蚀图案，所述可溶性为就不同于所述第一显影剂的第二显影剂来说的；和(g)使所述处理的第一抗蚀图案与所述第二显影剂接触以去除一部分所述第一抗蚀图案，留下所述可溶性转变的侧壁区以形成多图案。所述方法尤其适用于半导体制造工业以形成精细光刻图案。
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公开(公告)号：CN117457484A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310884317.5
申请日：2023-07-18
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768 , C23C14/04 , G03F7/004 , G03F7/039 , C23C16/04 , C23C14/14 , C23C16/06
摘要： 本文公开了一种金属化方法，其包括(a)在基底的第一表面上提供光致抗蚀剂层，其中该光致抗蚀剂层由光致抗蚀剂组合物形成，该光致抗蚀剂组合物包含：包含酸不稳定基团的聚合物；光酸产生剂；有机膦酸；和溶剂；(b)将该光致抗蚀剂层以图案方式暴露于活化辐射；(c)用碱性显影剂对经暴露的光致抗蚀剂层进行显影以形成光致抗蚀剂图案；以及(d)在形成该光致抗蚀剂图案之后，使用该光致抗蚀剂图案作为镀覆掩模在该基底的第一表面上镀覆金属。
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公开(公告)号：CN109988478A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811511152.2
申请日：2018-12-11
申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司
IPC分类号： C09D133/10 , C09D133/16 , C09D7/63 , C09D7/65 , G03F7/00
摘要： 光致抗蚀剂面涂层组合物，其包含：第一聚合物，其是水性碱溶性的并且以所述组合物的总固体计以70到99wt％的量存在；第二聚合物，其包含具有通式(IV)的重复单元和具有通式(V)的重复单元：其中：R5独立地表示H、卤素原子、C1‑C3烷基或C1‑C3卤代烷基；R6表示直链、支链或环状C1到C20氟烷基；R7表示直链、支链或环状C1到C20氟烷基；L3表示多价连接基团；并且m是1到5的整数；其中所述第二聚合物不含非氟化侧链；并且其中所述第二聚合物的存在量以所述组合物的总固体计是1到30wt％；和溶剂。本发明特别适用于制造半导体装置。
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