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公开(公告)号：CN117898036A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202280055304.0
申请日：2022-07-26
申请人： 美光科技公司
摘要： 本发明提供一种电子装置，其包括多级位线、柱接触件、层级1接触件及层级2接触件。所述多级位线包括第一位线及第二位线，其中所述第一位线及所述第二位线定位于不同层级处。所述柱接触件电连接到所述第一位线及所述第二位线，所述层级1接触件电连接到所述第一位线，且所述层级2接触件电连接到所述第二位线。所述第一位线中的每一位线邻近于所述层级1接触件而电连接到单一柱接触件，且所述第二位线中的每一位线邻近于所述层级2接触件而电连接到单一柱接触件。公开了额外电子装置，以及形成电子装置的方法及相关系统。
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公开(公告)号：CN112420728B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202010840913.X
申请日：2020-08-20
申请人： 美光科技公司
摘要： 本发明涉及具有垂直间隔的沟道材料片段的集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有交替绝缘层与导电层的垂直堆叠的NAND存储器阵列。所述导电层包含控制栅极区域及接近所述控制栅极区域的远端区域。所述控制栅极区域具有前表面、顶部表面及底部表面。所述顶部及底部表面从所述前表面向后延伸。高k电介质材料是沿着所述控制栅极区域。所述高k电介质材料具有沿着所述顶部及底部表面的第一区域，且具有沿着所述前表面的第二区域。所述第一区域比所述第二区域厚。电荷阻挡材料邻近所述高k电介质材料的所述第二区域。电荷存储材料邻近所述电荷阻挡材料。栅极电介质材料邻近所述电荷存储材料。沟道材料邻近所述栅极电介质材料。一些实施例包含集成组合件。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
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公开(公告)号：CN116058088A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180051702.0
申请日：2021-08-12
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 一些实施例包含具有沿着第一方向延伸的第一导电结构的集成组合件。间隔开的向上开口的容器形状在所述第一导电结构上方。所述容器形状中的每一个具有第一侧壁区、第二侧壁区和从所述第一侧壁区延伸到所述第二侧壁区的底部区。所述第一和第二侧壁区中的每一个包含下部源极/漏极区、上部源极/漏极区以及所述上部与下部源极/漏极区之间的沟道区。所述下部源极/漏极区与第一导电结构电耦合。第二导电结构沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸。所述第二导电结构具有在操作上邻近所述沟道区的栅极区。存储元件与所述上部源极/漏极区电耦合。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
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公开(公告)号：CN115132731A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202111439615.0
申请日：2021-11-30
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/11507 , H01L27/11509 , H01L21/8242
摘要： 本公开涉及集成组合件和形成集成组合件的方法。一些实施例包含一种具有包括半导体材料的有源区的集成晶体管。导电门控结构邻近于所述有源区。所述导电门控结构包含接近所述有源区的内部区，且包含远离所述有源区的外部区。所述内部区包含含有钛和氮的第一材料，且所述外部区包含含金属的第二材料。所述第二材料具有比所述第一材料高的导电性。一些实施例包含集成组合件。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
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公开(公告)号：CN114121957A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110972243.1
申请日：2021-08-24
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/11507 , H01L21/8242
摘要： 本申请案涉及集成组合件及形成集成组合件的方法。一些实施例包含具有拥有侧壁表面的向上延伸结构的集成组合件。二维材料沿所述侧壁表面延伸。第一静电掺杂材料邻近所述二维材料的下区，绝缘材料邻近所述二维材料的中心区，且第二静电掺杂材料邻近所述二维材料的上区。导电栅极结构在所述第一静电掺杂材料上方并且邻近所述绝缘材料。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
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公开(公告)号：CN114078861A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110907888.7
申请日：2021-08-09
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/11517 , H01L27/11551
摘要： 本申请案涉及形成设备的方法以及有关设备、存储器装置及电子系统。形成设备的所述方法包含形成垂直地延伸穿过第一隔离材料的柱状结构，形成可操作地耦合到所述柱状结构的导电线，形成上覆所述导电线的介电结构，及在邻近导电线之间形成气隙。所述气隙侧向相邻于所述导电线，其中所述气隙的部分在所述侧向相邻导电线的上部表面的平面上面延伸，且所述气隙的部分在所述侧向相邻导电线的下部表面的平面下面延伸。
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公开(公告)号：CN112420727A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010809570.0
申请日：2020-08-12
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 本申请案涉及具有垂直间隔的沟道材料区段的集成组合件，以及形成集成组合件的方法。所述导电层级包含控制栅极区域及接近于所述控制栅极区域的第二区域。高k介电结构直接抵靠所述控制栅极区域，且完全横跨所述绝缘层级延伸。电荷阻挡材料邻近于所述高k介电结构。电荷存储材料邻近于所述电荷阻挡材料。所述电荷存储材料经配置为区段，所述区段彼此上下垂直地堆叠，且其彼此垂直地间隔开。栅极介电材料邻近于所述电荷存储材料。沟道材料沿着所述堆叠垂直延伸，且邻近于所述栅极介电材料。
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公开(公告)号：CN111164755A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880063923.8
申请日：2018-10-11
申请人： 美光科技公司
摘要： 本发明的实施例包括一种形成晶体管的方法，其包括：形成具有导电栅极材料的竖向最外表面的栅极构造，所述竖向最外表面低于所述栅极构造的两侧旁及所述两侧上方的半导体材料的竖向外表面。使用屏蔽材料来覆盖所述半导体材料及所述导电栅极材料的顶部，所述半导体材料的两对两个相对侧壁表面横向暴露于所述栅极构造的所述两侧上方。在所述覆盖之后，所述栅极构造的所述两侧上方的所述半导体材料经受通过所述两对中的每一者的所述两个横向暴露的相对侧壁表面中的每一者的单层掺杂且由此在所述栅极构造的所述两侧上方形成掺杂源极/漏极区域。
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公开(公告)号：CN113544856B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202080018557.1
申请日：2020-02-27
申请人： 美光科技公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/26 , H10B12/00
摘要： 一些实施例包含一种集成组合件，其具有多晶第一半导体材料且具有直接邻近于所述多晶第一半导体材料的第二半导体材料。所述第二半导体材料具有不同于所述多晶第一半导体材料的成分。导电性增强掺杂剂在所述第二半导体材料内。所述导电性增强掺杂剂相对于所述多晶第一半导体材料是中性类型掺杂剂。电栅极邻近于所述多晶第一半导体材料的区，并且经配置以在所述多晶第一半导体材料的所述区内感应电场。所述栅极不邻近于所述第二半导体材料。
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