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公开(公告)号：CN108615710A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201710068494.0
申请日：2017-02-08
申请人： 艾马克科技公司
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/96 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L23/3107 , H01L21/56
摘要： 半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面；金属平面，其在所述顶部衬底表面上，所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面的第一孔径及第二孔径；半导体裸片，其在所述顶部衬底表面上且定位在所述金属平面的所述第一孔径内，所述半导体裸片具有顶部裸片表面、底部裸片表面及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的侧向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；及包封材料，其包封所述侧向裸片侧表面的至少一部分及所述顶部衬底表面的至少一部分，其中所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径。
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公开(公告)号：CN111987049A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010390048.3
申请日：2020-05-11
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56
摘要： 半导体装置和制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置可以包括：(a)电子装置，所述电子装置包括装置顶部侧、与所述装置顶部侧相对的装置底部侧，以及在所述装置顶部侧与所述装置底部侧之间的装置侧壁；(b)第一导体，所述第一导体包括在所述装置侧壁上的第一导体侧区段、在所述装置顶部侧上并且耦合到所述第一导体侧区段的第一导体顶部区段以及耦合到所述第一导体侧区段的第一导体底部区段；以及(c)保护材料，所述保护材料覆盖所述第一导体和所述电子装置。所述第一导体顶部区段的下表面可以高于所述装置顶部侧，并且所述第一导体底部区段的上表面可以低于所述装置顶部侧。本文中也公开其它实例和相关方法。
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公开(公告)号：CN108630658A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710508310.8
申请日：2017-06-28
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/535 , H01L21/60
摘要： 半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，包括：第一信号分布结构，具有信号分布结构顶侧、信号分布结构底侧和多个信号分布结构横向侧，其中所述第一信号分布结构包括第一介电层和第一导电层；第一电子组件，耦合到所述信号分布结构顶侧；第一囊封材料，覆盖所述信号分布结构顶侧的至少一部分和所述第一电子组件的至少一部分；半导体晶粒，耦合到所述信号分布结构底侧并且位于所述第一电子组件正下方；多个导电柱，耦合到所述信号分布结构底侧并且在所述半导体晶粒周围横向地定位；以及第二囊封材料，覆盖所述信号分布结构底侧的至少一部分、所述半导体晶粒的至少一部分以及所述导电柱的至少一部分。
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公开(公告)号：CN108630624A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710337523.9
申请日：2017-05-15
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/552 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 电子装置及其制造方法。本发明涉及一种电子装置，其包含讯号分布结构，其具有顶侧和底侧；第一电子组件，其耦合至讯号分布结构的顶侧；第二电子组件，其耦合至讯号分布结构的顶侧；导电屏蔽构件，其耦合至讯号分布结构的顶侧且被直接地定位在第一电子组件和第二电子组件之间；囊封材料，其覆盖讯号分布结构的顶侧的至少一部分、第一电子组件和第二电子组件的横向侧的至少一部分及导电屏蔽构件的横向侧的至少一部分；及电磁干扰(EMI)屏蔽层，其在囊封材料的顶侧及导电屏蔽构件的顶侧上，其中电磁干扰屏蔽层电性地耦合至导电屏蔽构件的顶侧。本揭露的各种态样提供包含一个或多个导电屏蔽构件和EMI屏蔽层的一种半导体装置，以及其制造方法。
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公开(公告)号：CN206992089U
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201720770574.6
申请日：2017-06-28
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/498 , H01L23/528
CPC分类号： H01L2224/16225
摘要： 半导体装置。一种半导体装置，包括：第一信号分布结构，具有信号分布结构顶侧、信号分布结构底侧和多个信号分布结构横向侧，其中所述第一信号分布结构包括第一介电层和第一导电层；第一电子组件，耦合到所述信号分布结构顶侧；第一囊封材料，覆盖所述信号分布结构顶侧的至少一部分和所述第一电子组件的至少一部分；半导体晶粒，耦合到所述信号分布结构底侧并且位于所述第一电子组件正下方；多个导电柱，耦合到所述信号分布结构底侧并且在所述半导体晶粒周围横向地定位；以及第二囊封材料，覆盖所述信号分布结构底侧的至少一部分、所述半导体晶粒的至少一部分以及所述导电柱的至少一部分。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206558489U
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201720115305.6
申请日：2017-02-08
申请人： 艾马克科技公司
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/485 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/96 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511
摘要： 半导体装置。一种半导体装置包括：衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面；金属平面，其在所述顶部衬底表面上，所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面的第一孔径及第二孔径；半导体裸片，其在所述顶部衬底表面上且定位在所述金属平面的所述第一孔径内，所述半导体裸片具有顶部裸片表面、底部裸片表面及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的侧向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；及包封材料，其包封所述侧向裸片侧表面的至少一部分及所述顶部衬底表面的至少一部分，其中所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径。
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公开(公告)号：CN206976325U
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201720530684.5
申请日：2017-05-15
申请人： 艾马克科技公司
IPC分类号： H01L23/552 , H01L23/31
摘要： 一种电子装置。本实用新型涉及一种电子装置，其包含讯号分布结构，其具有顶侧和底侧；第一电子组件，其耦合至讯号分布结构的顶侧；第二电子组件，其耦合至讯号分布结构的顶侧；导电屏蔽构件，其耦合至讯号分布结构的顶侧且被直接地定位在第一电子组件和第二电子组件之间；囊封材料，其覆盖讯号分布结构的顶侧的至少一部分、第一电子组件和第二电子组件的横向侧的至少一部分及导电屏蔽构件的横向侧的至少一部分；及电磁干扰(EMI)屏蔽层，其在囊封材料的顶侧及导电屏蔽构件的顶侧上，其中电磁干扰屏蔽层电性地耦合至导电屏蔽构件的顶侧。本揭露的各种态样提供包含一个或多个导电屏蔽构件和EMI屏蔽层的一种半导体装置。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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