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公开(公告)号：CN102640291B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201080054553.5
申请日：2010-12-07
申请人： 英特尔公司
发明人： M·T·博尔 , T·加尼 , N·M·拉哈尔-乌拉比 , S·乔希 , J·M·施泰格瓦尔德 , J·W·克劳斯 , J·黄 , R·马茨凯维奇
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L21/28123 , H01L21/28229 , H01L21/28255 , H01L21/283 , H01L21/28562 , H01L21/31105 , H01L21/76802 , H01L21/76831 , H01L21/76849 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L29/0847 , H01L29/16 , H01L29/42364 , H01L29/456 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/512 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66477 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/78 , H01L29/785 , H01L2029/7858 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种晶体管，包括衬底、在所述衬底上的间隔体对、在所述衬底上且在所述间隔体对之间的栅极电介质层、在所述栅极电介质层上且在所述间隔体对之间的栅电极层、在所述栅电极层上且在所述间隔体对之间的绝缘帽层以及邻近所述间隔体对的扩散区对。所述绝缘帽层形成蚀刻停止结构，所述蚀刻停止结构与所述栅极自对准，并且防止接触部蚀刻使所述栅电极暴露，由此防止所述栅极与所述接触部之间的短路。所述绝缘帽层能够使接触部自对准，这使得较宽接触部的初始构图对构图限制而言更加鲁棒。
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公开(公告)号：CN104795444B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201510084707.X
申请日：2010-12-07
申请人： 英特尔公司
发明人： M·T·博尔 , T·加尼 , N·M·拉哈尔-乌拉比 , S·乔希 , J·M·施泰格瓦尔德 , J·W·克劳斯 , J·黄 , R·马茨凯维奇
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/49
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L21/28123 , H01L21/28229 , H01L21/28255 , H01L21/283 , H01L21/28562 , H01L21/31105 , H01L21/76802 , H01L21/76831 , H01L21/76849 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L29/0847 , H01L29/16 , H01L29/42364 , H01L29/456 , H01L29/495 , H01L29/4966 , H01L29/512 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66477 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/78 , H01L29/785 , H01L2029/7858 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及自对准接触部。一种晶体管，包括衬底、在所述衬底上的间隔体对、在所述衬底上且在所述间隔体对之间的栅极电介质层、在所述栅极电介质层上且在所述间隔体对之间的栅电极层、在所述栅电极层上且在所述间隔体对之间的绝缘帽层以及邻近所述间隔体对的扩散区对。所述绝缘帽层形成蚀刻停止结构，所述蚀刻停止结构与所述栅极自对准，并且防止接触部蚀刻使所述栅电极暴露，由此防止所述栅极与所述接触部之间的短路。所述绝缘帽层能够使接触部自对准，这使得较宽接触部的初始构图对构图限制而言更加鲁棒。
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公开(公告)号：CN107004713A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083614.9
申请日：2014-12-24
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 实施例包括微电子器件，其包括：衬底，其包括凸起部分和非凸起部分，其中，电介质材料设置为与所述凸起部分相邻；外延子鳍状物结构，其设置在所述凸起部分上，其中，所述外延子鳍状物结构的底部部分包括非对称外形；以及设置在所述子鳍状物结构上的外延鳍状物器件结构。本文中描述了其它实施例。
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公开(公告)号：CN108292671B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201580084681.7
申请日：2015-12-17
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 装置包括：在衬底上的非平面主体，非平面主体包括在阻挡材料上的导电沟道材料；以及在主体上的栅极叠置体，栅极叠置体包括电介质材料和第一栅极电极材料以及第二栅极电极材料，第一栅极电极材料包括第一逸出功，第一栅极电极材料设置在所述沟道材料上，第二栅极电极材料包括不同于所述第一逸出功的第二逸出功，第二栅极电极材料设置在沟道材料上和阻挡材料上。方法包括：在衬底上形成非平面主体，非平面主体包括在阻挡材料上的导电沟道材料；以及在主体上形成栅极叠置体，栅极叠置体包括电介质材料和第一栅极电极材料以及第二栅极电极材料，第一栅极电极材料包括第一逸出功，第一栅极电极材料设置在所述沟道材料上，第二栅极电极材料包括不同于所述第一逸出功的第二逸出功，第二栅极电极材料设置在沟道上和阻挡材料上。
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公开(公告)号：CN108292673B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201580084790.9
申请日：2015-12-24
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本公开的实施例描述了一种半导体多栅极晶体管，所述晶体管具有从衬底延伸并包括子鳍状物区和有源区的半导体鳍状物。子鳍状物区可以包括栅极下方的电介质材料区以提供改进的隔离。可以通过利用电介质材料区替换栅极下方的子鳍状物区的部分，接着制造替换栅极结构，来形成电介质材料区。子鳍状物区可以由各种组合和浓度的III‑V族半导体材料构成。有源区可以由不同的III‑V族半导体材料构成。电介质材料区可以由非晶硅构成。可以描述和/或主张其它实施例。
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公开(公告)号：CN108292671A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201580084681.7
申请日：2015-12-17
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/4966 , H01L21/28264 , H01L29/1054 , H01L29/205 , H01L29/66522 , H01L29/66795 , H01L29/78 , H01L29/785 , H01L29/7851
摘要： 装置包括：在衬底上的非平面主体，非平面主体包括在阻挡材料上的导电沟道材料；以及在主体上的栅极叠置体，栅极叠置体包括电介质材料和第一栅极电极材料以及第二栅极电极材料，第一栅极电极材料包括第一逸出功，第一栅极电极材料设置在所述沟道材料上，第二栅极电极材料包括不同于所述第一逸出功的第二逸出功，第二栅极电极材料设置在沟道材料上和阻挡材料上。方法包括：在衬底上形成非平面主体，非平面主体包括在阻挡材料上的导电沟道材料；以及在主体上形成栅极叠置体，栅极叠置体包括电介质材料和第一栅极电极材料以及第二栅极电极材料，第一栅极电极材料包括第一逸出功，第一栅极电极材料设置在所述沟道材料上，第二栅极电极材料包括不同于所述第一逸出功的第二逸出功，第二栅极电极材料设置在沟道上和阻挡材料上。
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公开(公告)号：CN107660310A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201580080303.1
申请日：2015-06-26
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8258
CPC分类号： H01L27/0924 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/8258 , H01L29/785
摘要： 非硅鳍状物结构从衬底的阱凹陷中的晶体异质外延阱材料延伸。III-V鳍式FET可以形成于阱凹陷内的鳍状物结构上，而IV族鳍式FET形成于衬底的与阱凹陷相邻的区域中。阱材料可以被围绕穿过隔离材料的柱的非晶隔离材料与衬底电隔离，柱将阱材料耦合到衬底的晶种表面并捕获晶体生长缺陷。可以通过横向外延过生长在阱隔离材料之上扩展柱，并利用高质量的单晶填充阱凹陷。可以使阱材料与相邻衬底区域平面化。可以从阱材料制造n型鳍状物结构，接着从衬底或第二外延阱制造p型鳍状物结构。
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公开(公告)号：CN107660310B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201580080303.1
申请日：2015-06-26
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8258
摘要： 非硅鳍状物结构从衬底的阱凹陷中的晶体异质外延阱材料延伸。III‑V鳍式FET可以形成于阱凹陷内的鳍状物结构上，而IV族鳍式FET形成于衬底的与阱凹陷相邻的区域中。阱材料可以被围绕穿过隔离材料的柱的非晶隔离材料与衬底电隔离，柱将阱材料耦合到衬底的晶种表面并捕获晶体生长缺陷。可以通过横向外延过生长在阱隔离材料之上扩展柱，并利用高质量的单晶填充阱凹陷。可以使阱材料与相邻衬底区域平面化。可以从阱材料制造n型鳍状物结构，接着从衬底或第二外延阱制造p型鳍状物结构。
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公开(公告)号：CN108292673A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201580084790.9
申请日：2015-12-24
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/1083 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/205 , H01L29/66522 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/78 , H01L29/785 , H01L29/7851
摘要： 本公开的实施例描述了一种半导体多栅极晶体管，所述晶体管具有从衬底延伸并包括子鳍状物区和有源区的半导体鳍状物。子鳍状物区可以包括栅极下方的电介质材料区以提供改进的隔离。可以通过利用电介质材料区替换栅极下方的子鳍状物区的部分，接着制造替换栅极结构，来形成电介质材料区。子鳍状物区可以由各种组合和浓度的III-V族半导体材料构成。有源区可以由不同的III-V族半导体材料构成。电介质材料区可以由非晶硅构成。可以描述和/或主张其它实施例。
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公开(公告)号：CN107004710A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083578.6
申请日：2014-12-23
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L21/762 , H01L27/108 , H01L29/04 , H01L29/0649 , H01L29/1054 , H01L29/42392 , H01L29/66484 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/78696 , H01L2029/7858
摘要： 实施例包括设置在衬底上的外延子鳍状物结构，其中子鳍状物结构的第一部分设置在衬底的一部分内，并且子鳍状物结构的第二部分设置成与电介质材料相邻。鳍状物器件结构设置在子鳍状物结构上，其中鳍状物器件结构包括外延材料。衬垫设置在子鳍状物结构的第二部分和电介质材料之间。本文描述了其它实施例。
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