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公开(公告)号：CN105308728B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201380076946.X
申请日：2013-06-28
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/20
摘要： 通过从在第一沟槽底部处的衬底表面外延生长第一类型材料的第一外延区域形成不同的n‑和p‑型器件鳍，第一沟槽形成于浅沟槽隔离(STI)区域之间。STI区域和第一沟槽高度是它们的宽度的至少1.5倍。蚀刻掉STI区域以暴露衬底的顶面，从而在第一外延区域之间形成第二沟槽。在第一外延区域的侧壁上的第二沟槽中形成间隔材料的层。从在第一外延区域之间的第二沟槽的底部处的衬底表面生长第二类型材料的第二外延区域。可从第一和第二外延区域形成n‑和p‑型鳍对。鳍被共同集成并且减少了来自材料界面晶格失配的缺陷。
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公开(公告)号：CN105474370A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201380076944.0
申请日：2013-06-28
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02463 , H01L21/02532 , H01L21/02538 , H01L21/02546 , H01L21/02647 , H01L21/76224 , H01L21/76248 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L21/845 , H01L29/66795
摘要： 可通过在沟槽的底部处的衬底表面上外延生长第一层材料来形成电子器件鳍，该沟槽形成于浅沟槽隔离(STI)区域的侧壁之间。沟槽高度可以是其宽度的至少1.5倍，以及第一层可填充小于沟槽高度。接着可在沟槽中的第一层上和在STI区域的顶面之上外延生长第二层材料。第二层可具有在沟槽之上和在STI区域的顶面的部分上延伸的第二宽度。然后，可图案化和蚀刻该第二层以在STI区域的顶面的部分之上且接近沟槽形成电子器件鳍对。该过程可避免由于在层界面中的晶格失配引起的鳍中的结晶缺陷。
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公开(公告)号：CN105308728A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201380076946.X
申请日：2013-06-28
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/823807 , H01L21/0245 , H01L21/02455 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/02538 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/76224 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0649 , H01L29/1054 , H01L29/267 , H01L29/66795
摘要： 通过从在第一沟槽底部处的衬底表面外延生长第一类型材料的第一外延区域形成不同的n-和p-型器件鳍，第一沟槽形成于浅沟槽隔离(STI)区域之间。STI区域和第一沟槽高度是它们的宽度的至少1.5倍。蚀刻掉STI区域以暴露衬底的顶面，从而在第一外延区域之间形成第二沟槽。在第一外延区域的侧壁上的第二沟槽中形成间隔材料的层。从在第一外延区域之间的第二沟槽的底部处的衬底表面生长第二类型材料的第二外延区域。可从第一和第二外延区域形成n-和p-型鳍对。鳍被共同集成并且减少了来自材料界面晶格失配的缺陷。
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公开(公告)号：CN101346811A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680049438.2
申请日：2006-12-18
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66545 , H01L29/66628 , H01L29/66795 , H01L29/7848
摘要： 描述了用替代栅工艺形成的三栅晶体管的制造。在一个实施例中，使用氮化物伪栅，允许直接与伪栅相邻的外延源区和漏区的生长。这减小了外电阻。
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公开(公告)号：CN101341583A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200680044431.1
申请日：2006-11-17
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/314 , H01L29/51 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/314 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/0228 , H01L21/28008 , H01L21/3141 , H01L21/31616 , H01L21/31645 , H01L29/2003 , H01L29/495 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/7784
摘要： 描述了III－V族半导体器件及制造方法。通过硫族化物区域将高k电介质与限制区域对接。
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公开(公告)号：CN1977387B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200580021607.7
申请日：2005-06-08
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/04 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/76243 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/045 , H01L29/66772
摘要： 提供了一种高迁移率半导体组件。在一个示范方面，高迁移率半导体组件包括具有位于第一衬底上 晶面位置处的第一参考定向的第一衬底和在第一衬底顶部形成的第二衬底。第二衬底具有位于第二衬底上 晶面位置处的第二参考定向，其中第一参考定向与第二参考定向对准。在另一个示范方面，第二衬底具有位于第二衬底上 晶面位置处的第二参考定向，其中在第二参考定向相对于第一参考定向偏移大约45度的情况下，第二衬底在第一衬底上方形成。
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公开(公告)号：CN105474370B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201380076944.0
申请日：2013-06-28
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/20
摘要： 可通过在沟槽的底部处的衬底表面上外延生长第一层材料来形成电子器件鳍，该沟槽形成于浅沟槽隔离(STI)区域的侧壁之间。沟槽高度可以是其宽度的至少1.5倍，以及第一层可填充小于沟槽高度。接着可在沟槽中的第一层上和在STI区域的顶面之上外延生长第二层材料。第二层可具有在沟槽之上和在STI区域的顶面的部分上延伸的第二宽度。然后，可图案化和蚀刻该第二层以在STI区域的顶面的部分之上且接近沟槽形成电子器件鳍对。该过程可避免由于在层界面中的晶格失配引起的鳍中的结晶缺陷。
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公开(公告)号：CN101341583B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200680044431.1
申请日：2006-11-17
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/314 , H01L29/51 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/314 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/0228 , H01L21/28008 , H01L21/3141 , H01L21/31616 , H01L21/31645 , H01L29/2003 , H01L29/495 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/7784
摘要： 本发明描述了III-V族半导体器件及制造方法。通过硫族化物区域将高k电介质与限制区域对接。
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公开(公告)号：CN1977387A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200580021607.7
申请日：2005-06-08
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/04 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/76243 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/045 , H01L29/66772
摘要： 提供了一种高迁移率半导体组件。在一个示范方面，高迁移率半导体组件包括具有位于第一衬底上 晶面位置处的第一参考定向的第一衬底和在第一衬底顶部形成的第二衬底。第二衬底具有位于第二衬底上 晶面位置处的第二参考定向，其中第一参考定向与第二参考定向对准。在另一个示范方面，第二衬底具有位于第二衬底上 晶面位置处的第二参考定向，其中在第二参考定向相对于第一参考定向偏移大约45度的情况下，第二衬底在第一衬底上方形成。
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