公开(公告)号：CN103489850B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201310225207.4

申请日：2013-06-07

申请人： 英特尔德国有限责任公司

发明人： T.迈耶 ,  G.奥夫纳 ,  S.施特克尔

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02317 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H05K3/3436 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体封装中的CTE适配。提出了一种诸如晶片级封装（WLP）器件之类的器件，其中，电介质层被布置在半导体器件的表面和重分布层（RDL）的表面之间。所述电介质层可以具有延伸穿过电介质层的至少一个互连。所述电介质层可以具有垂直于半导体器件的表面的方向上的小于阈值的热膨胀系数（CTE）值，以及大于另一个阈值的杨氏模量。所述电介质层在平行于半导体器件的表面的方向上在面对RDL的电介质层的表面处可以具有大于另一个阈值的CTE值。

公开(公告)号：CN103999423B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201280063335.7

申请日：2012-12-20

申请人： 英特尔德国有限责任公司

发明人： B-U.克莱普泽 ,  M.肖尔茨 ,  Z.布斯 ,  T.迈耶

IPC分类号： H04L27/36 ,  H04L27/20

摘要： 本发明的实施例创建具有数字至时间变换器的电路，其具有用于接收高频信号的高频输入、用于接收第一数字信号的数字输入以及用于供应HF信号的按时间顺序延迟的版本的高频输出。另外，该电路具有用于供应高频信号的振荡器装置，其具有用于调整高频信号的频率的锁相环。数字至时间变换器被设计成基于在其数字输入处接收的第一数字信号来使所接收的高频信号按时间顺序延迟。