公开(公告)号：CN105895590B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201510993044.3

申请日：2015-12-25

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 张恕铭 ,  刘沧宇 ,  何彦仕

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC分类号： G06K9/0002 ,  B81C3/00 ,  G06F3/041 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32237 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/146 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15788 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0311 ,  H05K2201/10151 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L21/78

摘要： 种晶片尺寸等级的感测晶片封装模组及其制造方法,该模组包括感测晶片封装体及电路板,该封装体包括感测晶片、具有着色层的触板及粘着层。感测晶片具有上表面与下表面,且邻近上表面处包括感测元件及导电垫,邻近下表面处包括导电结构,导电结构通过重布线层电性连接导电垫。触板包括基部及间隔部,间隔部具有包括底墙及侧墙的凹穴。粘着层位于感测晶片与触板之间,感测晶片通过上表面粘贴到凹穴的底墙,且被凹穴的侧墙环绕。电路板设置于感测晶片封装体下方,且感测晶片封装体通过导电结构电性结合至电路板。本发明使薄触板精确地放置在感测晶片上,且使得触板与感测晶片之间的粘着胶厚度降低,从而可改用具中、低介质电容系数的材料。

公开(公告)号：CN103489850B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201310225207.4

申请日：2013-06-07

申请人： 英特尔德国有限责任公司

发明人： T.迈耶 ,  G.奥夫纳 ,  S.施特克尔

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02317 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/301 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H05K3/3436 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及半导体封装中的CTE适配。提出了一种诸如晶片级封装（WLP）器件之类的器件，其中，电介质层被布置在半导体器件的表面和重分布层（RDL）的表面之间。所述电介质层可以具有延伸穿过电介质层的至少一个互连。所述电介质层可以具有垂直于半导体器件的表面的方向上的小于阈值的热膨胀系数（CTE）值，以及大于另一个阈值的杨氏模量。所述电介质层在平行于半导体器件的表面的方向上在面对RDL的电介质层的表面处可以具有大于另一个阈值的CTE值。

公开(公告)号：CN106449547A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610879713.9

申请日：2011-02-22

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 约翰·R·杭特

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L25/10 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/295 ,  H01L23/296 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L25/117 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种晶圆级半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括半导体芯片、导通元件、封装体以及上重布层。半导体芯片具有主动面。导通元件位于该半导体芯片周围，且该导通元件具有第一表面及相对于该第一表面的第二表面。封装体包覆部分的该半导体芯片及部分的该导通元件，该封装体具有第三表面及相对该第三表面的第四表面，其中该导通元件突出于该第四表面。上重布层形成于该第一表面及该第三表面，且电性连接该导通元件与该半导体芯片。

公开(公告)号：CN105321903A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410844501.8

申请日：2014-12-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 何承颖 ,  林政贤 ,  许文义 ,  洪丰基 ,  杨敦年 ,  蔡映麟

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/02 ,  H01L24/04 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/2405 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24147 ,  H01L2224/32146 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821

摘要： 本发明提供了一种集成电路结构，其包括第一和第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一衬底和位于第一衬底下面的多个第一介电层。第二半导体芯片包括第二衬底和位于第二衬底上方的多个第二介电层，其中多个第一介电层和多个第二介电层彼此接合。金属焊盘位于多个第二介电层中。重分布线位于第一衬底的上方。导电插塞电连接至重分布线。导电插塞包括从第一衬底的顶面延伸至第一衬底的底面的第一部分和从第一衬底的底面延伸至金属焊盘的第二部分。第二部分的底面接触金属焊盘的顶面。本发明涉及具有重分布线的堆叠集成电路。

公开(公告)号：CN103035579B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201210193788.3

申请日：2012-06-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨宗颖 ,  陈宪伟 ,  于宗源 ,  梁世纬

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/3142 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

摘要： 一种晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)，包括具有触点焊盘的有源表面和侧面的半导体器件。模件覆盖该半导体器件的侧面。RDL结构包括电连接至触点焊盘并在半导体器件的有源表面上延伸的第一PPI线。UBM层在第一PPI线上方形成并与之电连接。密封环结构围绕模件上的半导体器件的上部外围延伸。该密封环结构包括与第一PPI线和UBM层中的至少一个在相同的水平上延伸的密封层。一种制造WLCSP的方法，包括通过在模制半导体器件上同时形成互连线和密封层，从而形成再布线层压结构。

公开(公告)号：CN104299952A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201310464580.5

申请日：2013-10-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡仲豪 ,  王垂堂 ,  余振华

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明提供了用于形成半导体管芯的机制的实施例。半导体管芯包括半导体衬底和形成在半导体衬底上方的保护层。半导体管芯还包括共形地形成在保护层上方的导电层和形成在导电层中的凹槽。凹槽环绕导电层的区域。半导体管芯还包括形成在被凹槽围绕的导电层区域上方的焊料凸块。本发明还提供了在宽金属焊盘上方形成凸块结构的机制。

公开(公告)号：CN102569251B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201210041014.9

申请日：2012-02-22

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 于大全

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明涉及一种三维封装用金属间化合物填充的垂直通孔互连结构及制备方法，其包括衬底，所述衬底内设有至少一个垂直贯通穿透衬底的通孔；所述通孔的内壁生长有绝缘层，并在所述生长绝缘层的通孔内填充有金属间化合物层，所述金属间化合物层与绝缘层间设有粘附层。本发明衬底内设有至少一个垂直贯通的通孔，通孔的内壁上生长有绝缘层，并在通孔内填充金属间化合物层，金属间化合物层与绝缘层间具有粘附层；通过金属间化合物层能够完成三维堆叠中所需的电连接，整个形成制作过程方便，降低了工艺复杂度及制作成本；从而能够在集成电路上制作垂直互连结构，也能够在无源基板上制作转接板，提高合格率，安全可靠。

公开(公告)号：CN103620769A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280027600.6

申请日：2012-08-30

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 横山贤司 ,  川端毅

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L24/20 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/585 ,  H01L24/06 ,  H01L24/14 ,  H01L24/32 ,  H01L24/46 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06156 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/80903 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： 半导体装置(100)具有：在布线基板(103)上的第2半导体芯片(102)的上表面，形成于第1半导体芯片(101)的搭载区域外周的环状的围堰部(109)；以及在第1半导体芯片与第2半导体芯片对置的区域，配置成从围堰部向第1半导体芯片或第2半导体芯片的中央部延伸的布线(110)。在第1或第2半导体芯片的中央部，布线(110)与位于第1或第2半导体芯片的电路形成面的连接端子电连接，围堰部(109)及布线(110)是电源布线或接地布线。

公开(公告)号：CN102224579B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN200980146497.5

申请日：2009-11-19

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 中野高宏 ,  内海胜喜 ,  佐野光

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/52 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/93 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/93 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： 半导体装置(10)具备：半导体基板(11)；贯通电极(17)，将半导体基板(11)沿厚度方向贯通而设置；内部电极(12)，设置在半导体基板(11)的表面的、贯通电极(17)到达的部分，与贯通电极(17)电连接；第1保护膜(13A)，将内部电极(12)的一部分除外而覆盖半导体基板(11)的表面；第2保护膜(13B)，与第1保护膜(13A)离开而设置在内部电极(12)的未被第1保护膜(13A)覆盖的部分；以及金属布线(18)，设置在半导体基板(11)的背面，与贯通电极(17)电连接。

公开(公告)号：CN103109349A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201080069192.1

申请日：2010-10-13

申请人： 德塞拉股份有限公司

发明人： 瓦格·奥甘赛安 ,  贝勒卡西姆·哈巴 ,  伊利亚斯·默罕默德 ,  克雷格·米切尔 ,  皮尤什·萨瓦利亚

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/06166 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/81

摘要： 微电子单元包括微电子元件，例如具有单晶形式的半导体区域的集成电路芯片。半导体区域具有以第一方向延伸的正面、邻近正面的有源电路元件、远离正面的背面、及向背面延伸的导电通路。导电通路可通过无机介电层与半导体区域绝缘。开口可从背面延伸，穿过半导体区域的部分厚度，沿第一方向，开口和导电通路具有各自的宽度。在开口与导电通路相交处，开口的宽度可比导电通路的宽度更大。后触点可与导电通路电连接，并在背面暴露，用于与如另一类似微电子单元、微电子封装或电路板等外部电路元件电连接。