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1.

发明公开
半导体装置和制造半导体装置的方法有权

公开(公告)号：CN102760664A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201210133547.X

申请日：2012-04-28

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 邢智蛘 , 乌尔里希·克鲁姆贝因 , 斯特凡·马滕斯 , 王佩利 , 郭健彬 , 施明计 , 陈敬伟 , 霍斯特·托伊斯

IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/488

CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/6836 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/11002 , H01L2224/11009 , H01L2224/11622 , H01L2224/13007 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13181 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/8182 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/01047 , H01L2224/11 , H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体装置和制造半导体装置的方法。一实施方式包括在裸片上形成凸块，该凸块具有顶部阻焊层，通过在支撑衬底的接触垫上直接按压顶部阻焊层使该顶部阻焊层熔化，以及在裸片和支撑衬底之间形成触点。

2.

发明授权
半导体装置和制造半导体装置的方法有权

公开(公告)号：CN102760664B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210133547.X

申请日：2012-04-28

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 邢智蛘 , 乌尔里希·克鲁姆贝因 , 斯特凡·马滕斯 , 王佩利 , 郭健彬 , 施明计 , 陈敬伟 , 霍斯特·托伊斯

IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/488

CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/6836 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/11002 , H01L2224/11009 , H01L2224/11622 , H01L2224/13007 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13181 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81464 , H01L2224/8182 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/01047 , H01L2224/11 , H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种半导体装置和制造半导体装置的方法。一实施方式包括在裸片上形成凸块，该凸块具有顶部阻焊层，通过在支撑衬底的接触垫上直接按压顶部阻焊层使该顶部阻焊层熔化，以及在裸片和支撑衬底之间形成触点。