公开(公告)号：CN105845636B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201610182673.2

申请日：2010-08-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡柏豪 ,  林俊成 ,  余振华

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/48 ,  H01L21/683 ,  H01L21/768 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/13 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81805

摘要： 一种器件包括中介层，中介层包括具有顶面和底面的衬底。多个衬底通孔(TSV)穿过衬底。多个TSV包括具有第一长度和第一水平尺寸的第一TSV，以及具有不同于第一长度的第二长度和不同于第一水平尺寸的第二水平尺寸的第二TSV。互连结构被形成为置于衬底的顶面，并且电连接到所述多个TSV。本发明还提供了一种在用于接合管芯的中介层中的具有不同尺寸的TSV。

公开(公告)号：CN109196639A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780034003.9

申请日：2017-06-02

申请人： 英特尔公司

发明人： R.L.桑克曼 ,  S.加内桑

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/08238 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81401 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81438 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81473 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 本文一般讨论了包含大致共面的导电柱的设备、方法和系统。根据示例，一种技术能够包括：在衬底的相应暴露的接合衬垫上生成导电柱；将模制材料设置在所生成的导电柱周围和上面；同时移除模制材料和所生成的导电柱的一部分以使得所生成的导电柱和模制材料大致平坦；以及电气上将管芯耦合到导电柱。

公开(公告)号：CN103943600B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201410080786.2

申请日：2014-03-06

申请人： 珠海越亚封装基板技术股份有限公司

发明人： 卓尔·赫尔维茨 ,  黄士辅

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H05K1/0298 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H05K1/115 ,  H05K3/0082 ,  H05K3/108 ,  H05K3/282 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0347 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/10378 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10734 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 一种将芯片贴附至基板的方法，所述基板具有外层，所述外层包括嵌入在如阻焊层的电介质中的通孔柱，所述通孔柱的端部与所述电介质齐平，所述方法包括以下步骤：(o)任选地移除有机清漆，(p)将包括端接有焊料凸点的引脚的芯片定位为接触所述通孔柱的暴露端部，和(q)加热熔融所述焊料凸点并使所述通孔的端部被焊料润湿。

公开(公告)号：CN106952878A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201610495703.5

申请日：2016-06-29

申请人： 艾马克科技公司

发明人： 柳智妍 ,  金本吉 ,  新及补

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/50 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2021/60022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81224 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81471 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L23/31 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/27 ,  H01L24/30 ,  H01L2224/141 ,  H01L2224/301

摘要： 一种具有用于嵌入式装置的蚀刻的沟槽的半导体装置被揭示，并且例如可以包含基板，其包括顶表面以及底表面；沟槽，从所述底表面延伸到所述基板中；以及在所述基板中的重分布结构，其是在所述基板的所述顶表面与所述底表面之间。半导体裸片可以是耦合至所述基板的所述顶表面。电子装置可以是至少部分地在所述沟槽之内，并且电耦合至所述重分布结构。导电垫可以是在所述基板的所述底表面上。导电凸块可以是在所述导电垫上。在所述沟槽中的所述电子装置可以延伸超出所述基板的所述底表面一段距离，所述距离小于所述导电凸块从所述基板的所述底表面起算的高度。囊封剂可以封入所述半导体裸片以及所述基板的所述顶表面。所述电子装置可以包括电容器。

公开(公告)号：CN103915401B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310119638.2

申请日：2013-04-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄曜群 ,  庄其达 ,  曾明鸿 ,  陈承先

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81484 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047

摘要： 本发明公开了封装结构中的细长凸块结构，其中封装结构包括附接至衬底的芯片。芯片包括凸块结构，其包括具有沿着导电柱的长轴测量的长度(L)和沿着导电柱的短轴测量的宽度(W)的导电柱。衬底包括焊盘区域和位于焊盘区域上方的掩模层，其中，掩模层具有露出部分焊盘区域的开口。芯片附接至衬底以在导电柱和焊盘区域之间形成互连件。开口具有沿着长轴测量的第一尺寸(d1)和沿着短轴测量的第二尺寸(d2)。在一个实施例中，L大于d1，而W小于d2。

公开(公告)号：CN106206337A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510854778.3

申请日：2015-11-30

申请人： 株式会社东芝

发明人： 渡边慎也 ,  南部俊弘

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/522

CPC分类号： G01R31/2856 ,  H01L21/76898 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/11529 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0601 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01404 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/83 ,  H01L24/83 ,  H01L23/522

摘要： 本发明的实施方式涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法，使具有贯通电极的半导体芯片的配线布局自由度提高。在半导体基板(30)设置着贯通电极(66)及多层配线(MH1)，在多层配线(MH1)设置着最下层连接配线(54)、下层连接配线(57)、上层连接配线(59)及最上层连接配线(61)，将贯通电极(66)与最下层连接配线(54)接合，以避开贯通电极(66)的正上方的方式配置通孔(60)。

公开(公告)号：CN103765566B

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：CN201280043358.1

申请日：2012-09-21

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 小盐哲平 ,  境忠彦 ,  石川隆稔 ,  向岛仁 ,  高仓宪一 ,  石松显 ,  园田知幸

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/607

CPC分类号： H01L24/75 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75353 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75702 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 倒装片接合装置具备向基板的各个电极上涂敷并供给接合辅助剂的分配器单元，在作为至少含有铜的金属间的超声波接合来进行第1电极与第2电极之间的金属接合时，至少在第1电极与第2电极的接合界面的周围存在具有还原性的接合辅助剂的状态下进行超声波接合，由此能够除去在第1电极与第2电极的接合界面已经形成的铜的氧化膜，并且能够抑制伴随超声波接合的实施而在接合界面形成氧化膜，能够在确保所需的接合强度的同时，实现至少含有铜的金属间的接合，能够实现半导体元件的安装以及搭载了该半导体元件的基板的制造中的成本削减。

公开(公告)号：CN105873716A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480072248.7

申请日：2014-11-04

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 服部贵洋 ,  相马大辅 ,  六本木贵弘 ,  佐藤勇

IPC分类号： B23K35/14 ,  B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B23K35/22 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H01L21/60 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08

CPC分类号： B23K35/302 ,  B22F1/00 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/025 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/025 ,  B23K35/22 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  C22C1/0483 ,  C22C9/00 ,  C22C13/00 ,  C23C28/021 ,  C25D3/60 ,  C25D7/00 ,  H01L23/556 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13411 ,  H01L2224/13455 ,  H01L2224/13457 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/0218 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013

摘要： 本发明提供能得到落下强度和针对热循环的强度的Cu芯球、Cu芯柱。Cu芯球(1)具备：由Cu或Cu合金构成的Cu球(2)；和由含有Sn和Cu的软钎料合金构成且覆盖Cu球(2)的焊料层(3)，焊料层(3)含有0.1％以上且3.0％以下的Cu，余量由Sn和杂质构成。

公开(公告)号：CN105531836A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201480051912.X

申请日：2014-09-25

申请人： 迪睿合株式会社

发明人： 波木秀次 ,  蟹泽士行 ,  石神明

IPC分类号： H01L33/62 ,  H01L21/60 ,  H01L33/60

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16502 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83395 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/83801

摘要： 提供一种具有高连接可靠性的发光装置。具备：具有布线图案（11）的基板（10）；配置在布线图案（11）的基板电极（12）上的各向异性导电粘接剂（23）；以及安装在各向异性导电粘接剂（23）上的发光元件（30），基板电极（12）或元件电极（31）的至少一个被AuSn合金层（34）镀敷。各向异性导电粘接剂（23）含有：环氧化合物、酸酐、白色无机粒子、及树脂粒子被Au包覆层包覆的导电性粒子（8），即便在共晶接合部产生龟裂，也能通过导电性粒子的Au包覆层来维持基板电极（12）与元件电极（31）之间的电连接，能够获得高连接可靠性。

公开(公告)号：CN102377401B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110257446.9

申请日：2011-08-23

申请人： 精工电子有限公司

发明人： 中村敬彦 ,  佐藤惠二 ,  竹内均 ,  荒武洁 ,  沼田理志

IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/10 ,  H01L23/04 ,  H01L23/055 ,  H01L21/60

CPC分类号： H03H9/1021 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/486 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/161 ,  H05K1/114 ,  H05K3/4046 ,  H05K2201/10075 ,  H05K2201/10371 ,  Y10T29/49124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的课题是，在具备在基底搭载的电子部件、在基底的电子部件搭载侧的相反侧设置的外部电极、以及与基底熔敷的贯通电极的电子器件中，确保电子部件与外部电极的导通。本发明提供的电子器件包括：基底(10)；贯通基底(10)、且通过研磨去除端面的绝缘性物质的贯通电极(21)；在贯通电极(21)的一个端面形成电路图案(30)，并通过电路图案(30)上形成的内部布线(31)而设置的电子部件(40)；在基底(10)的与设置电子部件(40)的一侧相反侧设置、并形成与贯通电极(21)的另一个端面连接的电极图案(60)、并且在电极图案(60)上形成的外部电极(61)；以及与基底接合并保护基底(10)上的电子部件(40)的盖(50)。