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1.

发明授权
基于引线框架的MEMS传感器结构有权

公开(公告)号：CN105280561B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201510276881.4

申请日：2015-05-27

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C.加雷马尼 , D.科尔 , U.辛德勒 , H.托伊斯

IPC分类号： H01L23/043 , B81B7/02

CPC分类号： B81B7/007 , B81B2201/0257 , B81C1/0023 , G01L9/0042 , H01L41/0825 , H01L41/0926 , H01L41/0973 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48257 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H04R19/005 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及基于引线框架的MEMS传感器结构。公开一种传感器结构。该传感器结构可以包含：用于支撑MEMS传感器的引线框架；在引线框架的表面中的凹部；以及耦合到引线框架的表面并且布置在凹部之上以形成腔的MEMS传感器。替选地，引线框架可以具有穿过它形成的穿孔并且MEMS传感器可以被耦合到引线框架的表面并且布置在穿孔的开口之上。

2.

发明公开
基于引线框架的MEMS传感器结构有权

公开(公告)号：CN105280561A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510276881.4

申请日：2015-05-27

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： C.加雷马尼 , D.科尔 , U.辛德勒 , H.托伊斯

IPC分类号： H01L23/043 , B81B7/02

CPC分类号： B81B7/007 , B81B2201/0257 , B81C1/0023 , G01L9/0042 , H01L41/0825 , H01L41/0926 , H01L41/0973 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48257 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H04R19/005 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及基于引线框架的MEMS传感器结构。公开一种传感器结构。该传感器结构可以包含：用于支撑MEMS传感器的引线框架；在引线框架的表面中的凹部；以及耦合到引线框架的表面并且布置在凹部之上以形成腔的MEMS传感器。替选地，引线框架可以具有穿过它形成的穿孔并且MEMS传感器可以被耦合到引线框架的表面并且布置在穿孔的开口之上。