公开(公告)号：CN105810595B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201610042137.2

申请日：2016-01-21

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·鲍尔 ,  H·德普克 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  D·波尔沃尔 ,  T·施密特 ,  C·冯韦希特尔

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/78

摘要： 一种用于处理产品衬底的方法包括将承载体粘结至产品衬底。将永久性粘合剂的层施加到承载体的表面上。提供结构化的中间层。所施加的永久性粘合剂将承载体粘结至产品衬底。结构化的中间层布置在产品衬底与承载体之间。结构化的中间层的表面和永久性粘合剂的表面与产品衬底的表面直接接触。结构化的中间层减小产品衬底与承载体之间的粘合强度。

公开(公告)号：CN107863332B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201710854614.X

申请日：2017-09-20

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： G·阿德马 ,  T·贝尔托 ,  M·埃曼 ,  P·弗兰克 ,  E·格雷茨 ,  K·卡尔洛夫斯基 ,  E·纳佩特施尼格 ,  W·罗布尔 ,  T·施密特 ,  J·塞弗特 ,  F·瓦格纳 ,  S·韦勒特

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/58

摘要： 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体，其中，所述金属堆叠体包括第一层，其中，所述第一层包括NiSi。

公开(公告)号：CN104217968B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201410228459.7

申请日：2014-05-27

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·吉西布尔 ,  H·文特 ,  T·费舍尔 ,  B·魏德甘斯 ,  G·斯特兰茨尔 ,  T·施密特 ,  D·博纳特

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76892

摘要： 本发明公开了一种用于加工半导体工件的方法，该方法可以包括：提供半导体工件，半导体工件包括在半导体工件的侧面设置的金属敷镀层堆，该金属敷镀层堆至少包括第一层和在第一层之上设置的第二层，其中第一层包含第一材料，并且第二层包含与第一材料不同的第二材料；图案化金属敷镀层堆，其中图案化金属敷镀层堆的步骤包括利用对于第一材料和第二材料具有至少基本上相同蚀刻速率的蚀刻溶液来湿蚀刻第一层和第二层。

公开(公告)号：CN105810595A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610042137.2

申请日：2016-01-21

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·鲍尔 ,  H·德普克 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  D·波尔沃尔 ,  T·施密特 ,  C·冯韦希特尔

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  B32B37/26 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H05K3/007 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/941 ,  H01L21/50 ,  H01L21/7813

摘要： 一种用于处理产品衬底的方法包括将承载体粘结至产品衬底。将永久性粘合剂的层施加到承载体的表面上。提供结构化的中间层。所施加的永久性粘合剂将承载体粘结至产品衬底。结构化的中间层布置在产品衬底与承载体之间。结构化的中间层的表面和永久性粘合剂的表面与产品衬底的表面直接接触。结构化的中间层减小产品衬底与承载体之间的粘合强度。

公开(公告)号：CN104217968A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410228459.7

申请日：2014-05-27

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·吉西布尔 ,  H·文特 ,  T·费舍尔 ,  B·魏德甘斯 ,  G·斯特兰茨尔 ,  T·施密特 ,  D·博纳特

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76892

摘要： 本发明公开了一种用于加工半导体工件的方法，该方法可以包括：提供半导体工件，半导体工件包括在半导体工件的侧面设置的金属敷镀层堆，该金属敷镀层堆至少包括第一层和在第一层之上设置的第二层，其中第一层包含第一材料，并且第二层包含与第一材料不同的第二材料；图案化金属敷镀层堆，其中图案化金属敷镀层堆的步骤包括利用对于第一材料和第二材料具有至少基本上相同蚀刻速率的蚀刻溶液来湿蚀刻第一层和第二层。

公开(公告)号：CN113471162A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110735338.1

申请日：2017-09-20

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： G·阿德马 ,  T·贝尔托 ,  M·埃曼 ,  P·弗兰克 ,  E·格雷茨 ,  K·卡尔洛夫斯基 ,  E·纳佩特施尼格 ,  W·罗布尔 ,  T·施密特 ,  J·塞弗特 ,  F·瓦格纳 ,  S·韦勒特

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

摘要： 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体，其中，所述金属堆叠体包括第一层，其中，所述第一层包括NiSi。

公开(公告)号：CN107863332A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710854614.X

申请日：2017-09-20

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： G·阿德马 ,  T·贝尔托 ,  M·埃曼 ,  P·弗兰克 ,  E·格雷茨 ,  K·卡尔洛夫斯基 ,  E·纳佩特施尼格 ,  W·罗布尔 ,  T·施密特 ,  J·塞弗特 ,  F·瓦格纳 ,  S·韦勒特

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L24/03 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2924/13055 ,  H01L23/488 ,  H01L21/50 ,  H01L24/83 ,  H01L2021/60007 ,  H01L2224/29026 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/0132

摘要： 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体，其中，所述金属堆叠体包括第一层，其中，所述第一层包括NiSi。