一种微米In与纳米Cu@Ag核壳混合材料互连工艺

    公开(公告)号:CN115410934A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202210853994.6

    申请日:2022-07-20

    摘要: 本发明公开了一种微米In与纳米Cu@Ag核壳混合材料互连工艺,所述工艺包括如下步骤:步骤一:微米In与纳米Cu@Ag核壳混合焊膏的制备;步骤二:基板的处理;步骤三:焊膏的涂覆/印刷;步骤四:热压/电磁感应烧结。微米In与纳米Cu@Ag核壳能够相互配合,充分利用空间,降低孔隙率,能够大幅度地降低原材料的成本,在产业化大批量生产中发挥巨大优势。本发明可实现低温连接高温服役,不仅降低了互连温度和互连条件,还可有效的减少形成接头中的孔隙和孔洞,可在低温无压条件下将芯片与基板互连,完成半导体器件的连接封装,能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。

    一种Cu@In核壳结构的微米颗粒互连材料的制备方法

    公开(公告)号:CN115194145A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210853603.0

    申请日:2022-07-20

    摘要: 本发明公开了一种Cu@In核壳结构的微米颗粒互连材料的制备方法,所述方法包括如下步骤:步骤一、在室温下配制含有络合剂、铟盐和抗氧化剂的碱性镀液,在碱性镀液中,络合剂与铟盐反应生成络合In3+,以防止In3+的直接沉淀;步骤二、硼氢化钠作为还原剂将络合In3+还原成In单质,在微米Cu球上进行化学镀In;步骤三、将步骤二的废液倒掉,用无水乙醇和蒸馏水交替超声清洗镀粉,最后一遍为无水乙醇清洗,过后风冷干燥、过筛,得到Cu@In核壳结构金属粉。该方法制备得到的Cu@In核壳结构的微米颗粒互连材料提高了微米铜的抗氧化性和稳定性,在保证互连材料导电性的前提下大大降低了互连温度和互连条件。

    一种Cu@In核壳结构微米金属互连工艺

    公开(公告)号:CN116504654A

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202310045231.3

    申请日:2023-01-30

    IPC分类号: H01L21/60 B23K3/08

    摘要: 本发明提供了一种核壳结构的微米金属互连工艺,包括使用化学镀的方法得到Cu@In核壳结构粉末,将Cu@In核壳结构粉体与不同种类的助焊膏混合制备成钎焊膏,通过丝网印刷将上述钎焊膏印刷至基板上,静置15‑60min后将芯片从互连材料上方缓慢压入覆盖在其表面,再将其整体置于200‑250℃空气环境下保温2‑60min得到互连器件;本发明制备的壳层金属形态致密、尺寸均匀可控,易在较低温度下发生原子扩散,与微米铜颗粒连接在一起,形成互连体系,不仅提高了核层微米铜颗粒的抗氧化性与稳定性,还大大降低了互连温度和互连条件;可在低温无压条件下将芯片与基板互连,完成半导体器件的连接封装,能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。