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公开(公告)号：CN112813497B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202011637468.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种自适应协同外延生长单晶金刚石辅助环，用于设置在单晶金刚石衬底外围一周，为异质外延结构，包括：自下而上逐层分布的非金刚石衬底、异质外延形核缓冲层和单晶金刚石形核层；单晶金刚石形核层的晶向与待生长的单晶金刚石面的晶向一致。利用金刚石辅助环与同质外延单晶金刚石协同生长，提高同质外延单晶金刚石生长质量。
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公开(公告)号：CN112813497A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011637468.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种自适应协同外延生长单晶金刚石辅助环，用于设置在单晶金刚石衬底外围一周，为异质外延结构，包括：自下而上逐层分布的非金刚石衬底、异质外延形核缓冲层和单晶金刚石形核层；单晶金刚石形核层的晶向与待生长的单晶金刚石面的晶向一致。利用金刚石辅助环与同质外延单晶金刚石协同生长，提高同质外延单晶金刚石生长质量。
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公开(公告)号：CN118782658A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411108620.7
申请日：2024-08-13
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种横向氧化镓高压型肖特基二极管及其制备方法，属于半导体材料与器件技术领域；所述横向氧化镓高压型肖特基二极管包括氧化镓基底；所述氧化镓基底上开设有至少两个梯形通孔，所述梯形通孔的上底位于氧化镓基底正面，梯形通孔的下底位于氧化镓基底背面；氧化镓基底背面沉积有氮化硅介质层；氧化镓基底正面沉积有Ti金属层、第一化学惰性金属层、Ni金属层和第二化学惰性金属层；所述Ni金属层和第二化学惰性金属层位于两个梯形通孔之间的氧化镓基底表面上；所述Ti金属层和第一化学惰性金属层位于两个梯形通孔外侧的氧化镓基底表面上。本发明制备的二极管结构具有良好的电学特性，相比于现有技术的氧化镓肖特基二极管的耐压性更好。
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公开(公告)号：CN112647127B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011272924.9
申请日：2020-11-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种金属辅助控制CVD生长单晶金刚石位错延伸的结构及其制备方法和应用，所述结构包括单晶金刚石衬底和金属‑金刚石外延薄膜。其中，金属‑金刚石外延薄膜利用CVD同质外延金刚石过程中通入极少量高熔点金属前驱体，在微波等离子体的作用下，金属原子与缺陷处C原子的结合，改变缺陷处C原子的排列方式，使得C原子回到金刚石晶格的格点位置，抑制线缺陷向后续薄膜的延伸，在此基础上外延生长金刚石，提高了晶体质量，为减少金刚石薄膜缺陷密度提供了新的方法。
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公开(公告)号：CN113430640A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110698287.X
申请日：2021-06-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种利用Pt系金属作为Ir缓冲层制备异质外延单晶金刚石的方法，包括如下步骤：步骤一、在异质外延衬底上制备出Pt系金属(001)取向薄膜；步骤二、在步骤一中的Pt系金属(001)取向薄膜上外延生长Ir(001)取向薄膜；步骤三、在步骤二中的Ir(001)取向薄膜上制备出(001)方向的金刚石核；步骤四、将步骤三中的(001)方向的金刚石核在MP‑CVD中外延生长，得到连续(001)方向的金刚石薄膜。该制备方法中，利用Pd作为Ir与衬底之间的缓冲层缓冲层，可以有效降低Ir薄膜的应力，解决了Ir薄膜容易脱落和断裂的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109920736A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910094128.1
申请日：2019-01-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了氢终端金刚石基两步法介质层场效应晶体管及其制备方法，在金刚石衬底1上生长出氢终端金刚石外延薄膜2，在氢终端金刚石外延薄膜2上制备出源极3和漏极4，沉积介质层5覆盖所有结构，对介质层5图形化处理，保留源极3、漏极4及其之间的介质层5，在源极3和漏极4之间的介质层5上沉积出栅极6；本发明采用两步法制备介质层，通过两个步骤完成介质层的制备，先使用低温工艺制备一层介质层保护氢终端金刚石的二维空穴气不被破坏，再使用高温工艺沉积高质量介质层改善器件性能，从而提升器件的电学特性，该两步法制备的氧化铝薄膜，既可以最大程度的保护氢终端金刚石的二维空穴气，又可以得到高质量的介质层氧化铝薄膜。
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公开(公告)号：CN106409918A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610512028.2
申请日：2016-07-01
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/786 , H01L21/28008 , H01L21/283 , H01L29/0607 , H01L29/42364 , H01L29/42384 , H01L29/66742
Abstract: 本发明公开了一种复合高k绝缘层薄膜晶体管结构及其制备方法，属于平板显示器制造技术领域。复合高k绝缘层薄膜晶体管的结构包括沉积在基板上的栅电极，在栅电极上连续沉积三层复合绝缘层薄膜，然后在绝缘层上再溅射沟道层薄膜和源漏电极，沟道宽度为20～100μm。该复合高k绝缘层薄膜晶体管为底栅极结构，该复合绝缘层可以在保证绝缘耐压性能的前提下，降低绝缘层厚度，提高其介电常数，进而降低器件的开启电压和饱和电压，应用于TFT-LCD中可以缩短响应时间，降低功耗，提高工作效率。
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公开(公告)号：CN118919576B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411409291.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种横向硼掺杂金刚石二极管及其批量制备方法，属于半导体材料与器件技术领域；所述横向硼掺杂金刚石二极管包括硼掺杂单晶金刚石；所述硼掺杂单晶金刚石上开设有至少两个梯形通孔；所述梯形通孔的上底所在面为硼掺杂单晶金刚石正面，梯形通孔的下底所在面为硼掺杂单晶金刚石背面；所述硼掺杂单晶金刚石背面生长有硼掺杂多晶金刚石；所述硼掺杂单晶金刚石正面沉积有肖特基接触层和欧姆接触层；所述肖特基接触层位于任意相邻两个梯形通孔之间的硼掺杂单晶金刚石正面区域；所述欧姆接触层位于所述相邻两个梯形通孔外侧的硼掺杂单晶金刚石正面区域。本发明制备的二极管耐压性能及电流承载能力好，制备成本低，益于批量生产。
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公开(公告)号：CN118841454B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411333202.8
申请日：2024-09-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种高压大电流金刚石横向肖特基二极管及其制备方法，属于半导体材料与器件技术领域；通过在氢终端金刚石上开设梯形通孔，并在氢终端金刚石正面沉积肖特基接触层和欧姆接触层，在氢终端金刚石背面生长多晶金刚石，制备得到高压大电流金刚石横向肖特基二极管。本发明中的梯形通孔结构增加了横向肖特基二极管的耐压性能，使得横向肖特基二极管具有良好的电学特性。同时本发明在较薄的氢终端金刚石上制备肖特基接触层和欧姆接触层，降低了氢终端金刚石的使用成本，之后在背面生长多晶金刚石作为衬底，可以起到支撑作用，多晶金刚石的加入，可以在进一步提高器件性能的同时降低制造器件的成本。
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公开(公告)号：CN109887836B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910075663.2
申请日：2019-01-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了n型掺杂单晶金刚石场板结构的场效应晶体管的制备方法，在金刚石衬底上生长出n型掺杂单晶金刚石外延薄膜，然后将n型掺杂单晶金刚石外延薄膜刻蚀形成台面，在台面上沉积两个条形的介质层，沿介质层和台面的外沿分别形成漏极和源极，在两个介质层之间形成栅极形成场板结构，使用钝化层覆盖所有结构，去除源极、漏极和栅极上的部分钝化层形成通孔，最后沿通孔在源极、漏极和栅极上沉积源引出电极、漏引出电极和栅引出电极；本发明在金刚石MESFET的源栅漏电极边缘引入场板结构，增大器件的耐压特性，有效减弱器件源、栅、漏边缘的电场集中现象，提高器件击穿电压性能。
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