公开(公告)号：CN105932041B

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201610297803.7

申请日：2016-05-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张金风 ,  黄旭 ,  安阳 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有小尺寸高电子迁移率晶体管栅控能力差及源、漏电阻大的问题。其自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、栅介质层、钝化层和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；AlGaN势垒层包括两层AlGaN，并且第一层AlGaN材料的Al组分逐渐变化；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；源、漏电极分别位于势垒层和沟道层的左、右两端；栅电极覆盖在鳍型GaN/AlGaN异质结的两侧和上方。本发明器件具有源、漏电阻小、栅泄漏电流小和栅控能力好的优点，可用作小尺寸高速低功耗器件。

公开(公告)号：CN105914232A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610298895.0

申请日：2016-05-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张金风 ,  黄旭 ,  安阳 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有微波功率器件的最高振荡频率小，欧姆接触电阻大，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、GaN沟道层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；栅电极采用T型栅，且包裹在GaN/AlGaN异质结的两侧和上方，形成三维立体栅结构。本发明器件具有栅控能力好，欧姆接触电阻小及最高振荡频率高的优点，可用作小尺寸的微波功率器件。

公开(公告)号：CN105914232B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201610298895.0

申请日：2016-05-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张金风 ,  黄旭 ,  安阳 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有微波功率器件的最高振荡频率小，欧姆接触电阻大，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、GaN沟道层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；栅电极采用T型栅，且包裹在GaN/AlGaN异质结的两侧和上方，形成三维立体栅结构。本发明器件具有栅控能力好，欧姆接触电阻小及最高振荡频率高的优点，可用作小尺寸的微波功率器件。

公开(公告)号：CN105810728B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201610297876.6

申请日：2016-05-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张金风 ,  安阳 ,  黄旭 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有增强型器件的阈值电压小，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、漏、栅电极。其中GaN沟道层与AlGaN势垒层组成AlGaN/GaN异质结；栅电极采用凹槽栅结构，且包裹在AlGaN/GaN异质结的两侧和上方，形成三维栅结构；栅电极与AlGaN/GaN异质结之间设有一层高介电常数的栅介质；源、漏电极设在AlGaN/GaN异质结的两端。本发明器件具有阈值电压高，栅控能力强，源、漏电阻小的优点，可作为小尺寸的增强型器件。

公开(公告)号：CN105932041A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610297803.7

申请日：2016-05-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张金风 ,  黄旭 ,  安阳 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/7781 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有小尺寸高电子迁移率晶体管栅控能力差及源、漏电阻大的问题。其自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、栅介质层、钝化层和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；AlGaN势垒层包括两层AlGaN，并且第一层AlGaN材料的Al组分逐渐变化；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；源、漏电极分别位于势垒层和沟道层的左、右两端；栅电极覆盖在鳍型GaN/AlGaN异质结的两侧和上方。本发明器件具有源、漏电阻小、栅泄漏电流小和栅控能力好的优点，可用作小尺寸高速低功耗器件。

公开(公告)号：CN105810728A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610297876.6

申请日：2016-05-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张金风 ,  安阳 ,  黄旭 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明公开了一种增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有增强型器件的阈值电压小，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、漏、栅电极。其中GaN沟道层与AlGaN势垒层组成AlGaN/GaN异质结；栅电极采用凹槽栅结构，且包裹在AlGaN/GaN异质结的两侧和上方，形成三维栅结构；栅电极与AlGaN/GaN异质结之间设有一层高介电常数的栅介质；源、漏电极设在AlGaN/GaN异质结的两端。本发明器件具有阈值电压高，栅控能力强，源、漏电阻小的优点，可作为小尺寸的增强型器件。

公开(公告)号：CN105762078B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201610298297.3

申请日：2016-05-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张金风 ,  安阳 ,  黄旭 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术短沟道效应严重，栅控能力差，漏电流和跨导较低的问题。其自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、栅、漏电极。其中GaN纳米沟道的两侧增设有AlGaN势垒层，使GaN纳米沟道被包裹在AlGaN势垒层内，在GaN纳米沟道的上方和两侧形成AlGaN/GaN异质结；栅电极位于AlGaN/GaN异质结的两侧和上方。本发明具有栅控能力好，饱和电流大及源漏电阻小的优点，可作为小尺寸的高速高频器件。

公开(公告)号：CN105762078A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610298297.3

申请日：2016-05-06

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张金风 ,  安阳 ,  黄旭 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L29/66431 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783

Abstract: 本发明公开了一种GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术短沟道效应严重，栅控能力差，漏电流和跨导较低的问题。其自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、栅、漏电极。其中GaN纳米沟道的两侧增设有AlGaN势垒层，使GaN纳米沟道被包裹在AlGaN势垒层内，在GaN纳米沟道的上方和两侧形成AlGaN/GaN异质结；栅电极位于AlGaN/GaN异质结的两侧和上方。本发明具有栅控能力好，饱和电流大及源漏电阻小的优点，可作为小尺寸的高速高频器件。