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公开(公告)号：CN119815916A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411862649.4
申请日：2024-12-17
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于p‑BN的氮化镓基互补逻辑器件及其制备方法，包括：未掺杂GaN层中的条状凹槽将未掺杂GaN层划分为第一区域和第二区域；依次层叠设置在未掺杂GaN层的第一区域的上表面的第一极化层、第一势垒层和第一p‑BN层，第一p‑BN层的上表面间隔设置有第一源极、介质层和第一漏极，介质层的上表面设置有第一栅极；依次层叠设置在未掺杂GaN层的第二区域的上表面的第二极化层、第二势垒层和第二p‑BN层，第二p‑BN层位于第二势垒层上表面的中间区域，位于第二势垒层上表面的两侧区域分别设置有第二源极和第二漏极，第二p‑BN层的上表面设置有第二栅极；第一漏极与第二漏极电连接，第一栅极与第二栅极电连接。本发明能够提高互补逻辑器件的性能。
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公开(公告)号：CN115050868A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210865324.6
申请日：2022-07-21
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种InGaN基长波长LED的衬底结构及制备方法，主要解决现有InGaN基长波长LED器件中材料应力制约发光效率的技术问题。方案包括：在衬底上刻蚀穿透衬底的通孔，用于在外延材料上产生空位，通孔图案包括圆形、多边形，通孔间距与孔径大小均为nm‑mm级，且二者相匹配；制备方法包括在预处理后的衬底上旋涂光刻胶，首先按照预设图案对衬底进行光刻、显影和烘干操作，然后利用刻蚀技术在预设图案处向下刻蚀穿透衬底的孔，快速刻透衬底形成通孔，最后清洗去除衬底表面光刻胶，完成制备。本发明能够显著的改善高In组分的InGaN/GaN材料中的应力问题，提升外延晶体质量及发光二极管发光效率。
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公开(公告)号：CN119907262A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510057812.8
申请日：2025-01-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10D30/47 , H10D30/01 , H10D62/824 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及一种高热导率的AlGaN/InxAl1‑xSb高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管包括：高热导率衬底层、缓冲层、InxAl1‑xSb沟道层、AlGaN势垒层、帽层、源极、漏极、钝化层和栅极；其中，x的取值范围为0.8～1；InxAl1‑xSb沟道层和AlGaN势垒层形成AlGaN/InxAl1‑xSb异质结。本发明的AlGaN/InxAl1‑xSb异质结具有更大的禁带宽度差异，能够在沟道中产生浓度更高的2DEG，并通过高热导率衬底层提升器件的散热性能，提升器件的开关特性和在高温大功率下应用场景下的性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN115036362A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210610478.0
申请日：2022-05-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/205 , H01L23/373 , H01L21/02 , C30B25/06 , C30B25/18 , C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种基于衬底处理的单晶金刚石上AlGaN/GaN异质结及制备方法，主要解决现有技术在单晶金刚石衬底上外延生长的异质结晶体质量差的问题。其实现方案是：采用单晶金刚石材料作为衬底，且对该衬底进行离子注入和等离子体轰击处理；再在其上磁控溅射AlN层；接着在AlN层上通过MOCVD工艺生长GaN层，并进一步在GaN层上生长AlGaN层，形成自下而上包括衬底、磁控溅射AlN层、GaN外延层和AlGaN外延层的异质结结构。本发明由于对单晶金刚石衬底进行离子注入和轰击处理，因而为在衬底上的后续外延生长提供了更多悬挂键，提高异质结的质量，改善器件的散热能力，可用于大功率GaN基微波功率器件的制备。
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公开(公告)号：CN119947166A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510071359.6
申请日：2025-01-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10D30/47 , H10D62/824 , H10D62/10
Abstract: 本发明涉及一种基于P埋层的氮化物增强型场效应晶体管，包括：依次堆叠的衬底层、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN势垒层、InN帽层；其中，GaN缓冲层内开设有凹槽，凹槽底部制备有P‑GaN埋层，P‑GaN埋层的厚度小于或等于凹槽的深度，P‑GaN埋层用于局部耗尽GaN沟道层中的二维电子气；帽层上间隔设置有源极金属层、漏极金属层和栅极金属层。该装置通过在GaN缓冲层中埋设用于耗尽GaN沟道层中的二维电子气的P‑GaN埋层，缩短氮化物增强型场效应晶体管中栅极与沟道的距离，更有利于增强栅极到沟道的电场强度，提高器件的栅控能力，具有更优良的器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115064620A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210713333.3
申请日：2022-06-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种阶梯组分YAlN/AlGaN超晶格p型层的高效深紫外发光二极管，主要解决现有深紫外发光二极管p型掺杂的Mg离化率小，导致发光效率低的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、n型层(4)、多量子阱层(5)、电子阻挡层(6)、p型层(7)和欧姆接触层(8)，其中p型层(7)采用三阶阶梯组分YAlN/AlGaN的超晶格，每一阶超晶格的周期数相同，YAlN的厚度相同，Al组分不变，AlGaN的厚度相同，Al组分递减。本发明能增强极化电场，有效提高Mg掺杂的离化率，提升载流子浓度和器件的发光功率及效率，可用于实现高性能的深紫外发光二极管及深紫外发光设备。
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公开(公告)号：CN119836064A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510064068.4
申请日：2025-01-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H10H20/816 , H10H20/819 , H10H20/852 , H10H20/825
Abstract: 本发明涉及金刚石纳米柱结构的深紫外发光二极管及其制备方法，该深紫外发光二极管包括：自上而下依次堆叠的衬底层、成核层、n型GaN层、n型有源区、电子阻挡层和p型区；p型区包括若干个间隔设置的金刚石纳米柱，每个金刚石纳米柱的至少部分表面形成有氢终端；在n型GaN层的下表面还设置有N型电极，N型电极与n型有源区间隔设置；在p型区的下表面还设置有P型电极，N型电极的底部与P型电极的底部齐平；在N型电极和P型电极的下表面设置有基板。该装置可以大大提高深紫外发光二极管的发光效率，以及更好发挥器件散热性能，提高器件使用性能。
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公开(公告)号：CN115064620B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210713333.3
申请日：2022-06-22
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种阶梯组分YAlN/AlGaN超晶格p型层的高效深紫外发光二极管，主要解决现有深紫外发光二极管p型掺杂的Mg离化率小，导致发光效率低的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、n型层(4)、多量子阱层(5)、电子阻挡层(6)、p型层(7)和欧姆接触层(8)，其中p型层(7)采用三阶阶梯组分YAlN/AlGaN的超晶格，每一阶超晶格的周期数相同，YAlN的厚度相同，Al组分不变，AlGaN的厚度相同，Al组分递减。本发明能增强极化电场，有效提高Mg掺杂的离化率，提升载流子浓度和器件的发光功率及效率，可用于实现高性能的深紫外发光二极管及深紫外发光设备。
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公开(公告)号：CN115036310A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210712707.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/778 , H01L21/8252
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN/YAlN/GaN异质结的CMOS器件及其制造方法，主要解决现有GaN基CMOS载流子浓度和迁移率低的问题。其自下而上包括：衬底、缓冲层、GaN n型沟道层、YAlN势垒层、GaN p型沟道层、p‑GaN层、绝缘栅介质层，中间设有深度至n型沟道层中部的隔离槽；隔离槽右侧的p‑GaN层上设有右栅电极，且YAlN势垒层两端设有右源、漏电极，形成n型场效应管；隔离槽左侧的绝缘栅介质层上设有左栅电极，其p‑GaN层两端设有左源、漏电极，形成p型场效应管，这两个场效应管互联。本发明能提升CMOS器件载流子浓度和迁移率，提高器件工作频率和输出功率，可用于全GaN功率系统。
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公开(公告)号：CN114361013A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111387283.6
申请日：2021-11-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/18 , H01L29/267 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种用于制作GaN HEMT的横向金刚石/GaN/金刚石衬底及制备方法，方法包括：获取两片多晶金刚石，通过抛光将多晶金刚石的其中一面抛光成光滑面；获取GaN单晶晶片，通过抛光将GaN单晶晶片的两面均抛光成光滑面，其中，GaN单晶晶片的光滑面为非极性面；利用低温键合工艺将两片多晶金刚石的光滑面分别与GaN单晶晶片的两个光滑面进行键合，以得到横向多晶金刚石/GaN/多晶金刚石衬底。本发明改善了传统GaN外延衬底的散热能力，并能提高外延GaN的质量，并进一步提高了器件的工作寿命和稳定性，从而为器件在大功率下的工作奠定了基础，可用于制作高频、大功率GaN基HEMT器件。
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