公开(公告)号：CN115833680A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211567469.4

申请日：2022-12-07

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 马云超 ,  谷晓洁 ,  高明 ,  宋子奇 ,  吴勇 ,  王东 ,  何滇 ,  张野 ,  李晴 ,  查梦凡

IPC分类号： H02P21/14 ,  H02P21/18 ,  H02P21/22 ,  H02P25/022 ,  H02P27/08

摘要： 本发明公开了一种永磁同步电机的控制方法，包括如下步骤：获取逆变器输出的三相交流电数据和电机位置检测数据，并将二者依次输入第一硬件转换单元和第二硬件转换单元，变换得到电流d轴分量和q轴分量；获取预设电机位置数据，并将预设电机位置数据、电机位置检测数据以及电流的d轴分量和q轴分量输入第三硬件转换单元，变换得到电压α轴分量和β轴分量；将电压α轴分量和β轴分量输入硬件脉冲宽度调制单元；第一硬件转换单元、第二硬件转换单元和第三硬件转换单元均与一硬件计算单元相连接，硬件计算单元用以采用改进Cordic算法完成第一硬件转换单元、第二硬件转换单元和第三硬件转换单元内的三角函数运算。本发明中的电路，控制效率较高。

公开(公告)号：CN116072731A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310092540.6

申请日：2023-01-18

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 韩超 ,  谷晓洁 ,  汤晓燕 ,  王东 ,  吴勇 ,  宋庆文 ,  陶利 ,  陈兴 ,  黄永

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

摘要： 本发明公开了一种基于十字形元胞布局的VDMOSFET器件，包括：N+衬底；N‑外延层漂移区，位于N+衬底上方；P阱，嵌入在N‑外延层漂移区上表面两侧；N+源区，嵌入在对应的P阱上表面内部；SiO2栅氧化层，位于N‑外延层漂移区上方，且覆盖部分P阱和N+源区；多晶硅栅，位于SiO2栅氧化层上方，并且多晶硅栅包括规则排列的多个单元胞，每个单元胞上开设有贯穿上下表面的十字型窗口；层间介质层，位于多晶硅栅外部并包裹多晶硅栅；源极，位于P阱、N+源区和层间介质层上方；并且源极与多晶硅栅通过层间介质层进行物理隔离；漏极，位于N+衬底下方，并与N+衬底形成欧姆接触。本发明能够有效缓解P阱边缘处电场集中问题，提高了器件的耐压特性。

公开(公告)号：CN115692200A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211329546.2

申请日：2022-10-27

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 韩超 ,  谷晓洁 ,  汤晓燕 ,  陶利 ,  王东 ,  吴勇 ,  陈兴 ,  黄永

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

摘要： 本发明公开了一种栅对准选区JFET注入的VDMOSFET器件及其制备方法，该方法包括：在N+衬底上外延形成N‑漂移区，在N‑漂移区上淀积SiO2层；在SiO2层上使用预设的多晶硅栅的掩膜版形成反转胶图形；刻蚀反转胶图形之间的SiO2层形成凹槽；在SiO2层上表面及凹槽中进行离子注入以在凹槽下方形成JFET区；在N‑漂移区上方依次形成SiO2栅氧化层和多晶硅栅；利用多晶硅栅进行自对准离子注入，以在JFET区两侧分别形成一个P阱，在每个P阱上表面进行离子注入及退火推结，形成N+源区；在SiO2栅氧化层和多晶硅栅上淀积形成层间介质，并在整个器件的上表面形成源极；在N+衬底背面形成漏极。本发明提高了P阱处纵向PN结的承压能力同时有效减小JFET电阻进而提高了VDMOSFET器件导通性和功率优值。