公开(公告)号：CN118064832A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410221326.0

申请日：2024-02-28

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 王东 ,  黎伟正 ,  陈兴 ,  龚建彪 ,  常焕堉 ,  郭昂

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/02 ,  C23C14/58 ,  C23C14/35

摘要： 本发明涉及一种氧化镓薄膜及其制备方法，制备方法，包括以下步骤：S1：获取衬底；S2：对所述衬底的表面进行溅射清洗，得到预溅射后的衬底；S3：对所述预溅射后的衬底施加偏置电压，同时在所述预溅射后的衬底表面生长氧化镓薄膜；S4：对所述氧化镓薄膜进行真空原位退火。本发明通过在预溅射后的衬底施加偏置电压，并生长氧化镓薄膜，提高氧化镓薄膜的稳定性、质量和结晶度，使得氧化镓薄膜晶粒择优取向生长，降低了氧化镓薄膜的制备成本。

公开(公告)号：CN116978941A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310949643.X

申请日：2023-07-31

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 陈兴 ,  谭凯 ,  张进成 ,  陆俊 ,  李永军 ,  赵晔 ,  赵浩男 ,  刘瑜 ,  师小鸥 ,  黎伟正 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/15 ,  H01L29/20

摘要： 本发明公开一种基于渐变超晶格空位缓冲层GaN基HEMT外延结构，属于半导体技术领域，包括从下往上依次外延的衬底基板、复合AlN成核层、AlGaN缓冲层、AlN/空位GaN SL1缓冲层、AlN/空位GaN SL2缓冲层、AlN/空位GaN SL3缓冲层、GaN沟道层、ALN空间层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，本发明能够有效调节外延薄膜中的应力，降低氮化镓外延层中的位错密度，获得高结晶，高质量GaN基HEMT外延材料。

公开(公告)号：CN118098965A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410163793.2

申请日：2024-02-05

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 龚建彪 ,  陈兴 ,  冯倩 ,  黎伟正 ,  张子涵

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/778

摘要： 本发明涉及一种基于自终止刻蚀工艺的增强型器件及其制备方法，包括以下步骤：S1：在衬底层的表面自下而上依次形成成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和GaN层，势垒层含有Al离子；S2：对栅极区域外的GaN层进行F离子注入，形成F离子注入层；S3：对F离子注入层进行刻蚀，当刻蚀到F离子注入层和势垒层的界面处时，F离子和Al离子在势垒层的表面形成AlF3保护层；S4：去除AlF3保护层以露出势垒层；本发明通过形成F离子注入层，刻蚀过程中，势垒层表面形成AlF3保护层，从而实现自终止效果，避免刻蚀对沟道中的二维电子气造成损伤，降低因刻蚀所带来的表面态和缺陷，有效减小器件的栅极泄漏电流，提升器件的整体性能。

公开(公告)号：CN118099279A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410216090.1

申请日：2024-02-27

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 王东 ,  黎伟正 ,  陈兴 ,  龚建彪 ,  李永军 ,  崔福彬

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  C23C14/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C28/04

摘要： 本发明涉及一种氧化镓薄膜光电探测器及其制备方法，制备方法包括步骤：S1、提供衬底；S2、采用射频磁控溅射方法在所述衬底上生长氧化镓薄膜层，并在溅射氧化镓薄膜层的过程中对所述衬底施加偏压；S3、对所述氧化镓薄膜层进行退火处理；S4、在所述氧化镓薄膜层上生长二氧化硅图形层；S5、制备叉指电极，使得所述叉指电极的叉指部分交替分布在所述氧化镓薄膜层上，叉指连接部分位于所述二氧化硅图形层上，并对所述叉指电极进行退火以使所述叉指部分和所述氧化镓薄膜层形成欧姆接触，得到氧化镓薄膜光电探测器。该方法解决了现有方法薄膜结晶度不足、器件制备成本较高、暗电流高、响应速度慢等问题。

公开(公告)号：CN118173596A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410249511.0

申请日：2024-03-05

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 龚建彪 ,  陈兴 ,  冯倩 ,  张子涵 ,  黎伟正

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/329 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种p‑GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法，涉及半导体晶体管技术领域。该器件包括由下而上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，以及在势垒层的上表面依次间隔设置的源电极、p‑GaN栅和漏电极，p‑GaN栅包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分沿源电极和漏电极之间的连线方向间隔设置；该器件还包括第一介质层和第二介质层，第一介质层填充在第一部分和第二部分之间，第二介质层覆盖于势垒层的第一表面、p‑GaN栅的上表面、p‑GaN栅朝向源电极一侧的表面、p‑GaN朝向漏电极一侧的表面、源电极的上表面、源电极朝向p‑GaN栅一侧的表面、漏电极的上表面、漏电极朝向p‑GaN栅一侧的表面；第一介质层的材质为Al2O3，第二介质层的材质为Si3N4。