一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法

    公开(公告)号:CN111640687B

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202010510585.7

    申请日:2020-06-08

    IPC分类号: H01L21/66 H01L21/68

    摘要: 本发明公开了一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法,包括如下步骤:在单晶晶圆样品的表面随机选取正向测试条和反向测试条,然后使用磨料分别沿着单晶晶圆表面上的正向测试条和反向测试条进行划擦试验,且对正向测试条和反向测试条的划擦方向相反,得到沿着两个相反方向划擦后的单晶晶圆样品,通过检测设备对单晶晶圆样品表面的两条划痕的表面形貌进行检测,最后观察两个划痕表面的裂纹形式及影响区的宽度,确定裂纹影响区的宽度相对小的划擦方向为最优的划片方向。本发明能够用于单晶晶圆加工成芯片后将连在一起的芯片分成单个芯片的应用中,能够确定最优加工方向,减少崩边的尺寸,提高加工质量和晶圆的利用率。

    一种基于表面微观三维形貌的最小加工余量预测方法

    公开(公告)号:CN111633559A

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN202010515340.3

    申请日:2020-06-08

    摘要: 本发明公开了一种基于表面微观三维形貌的最小加工余量预测方法,首先将需要加工的样品在提前设定好参数的白光干涉仪上进行三维形貌的检测,得到三维形貌检测图和测量数据,对每个测量区域得到的测量数据均进行表面重构并分别计算重构后每个测量区域表面最高点和最低点之间的材料体积V,取所有测量区域的材料体积的平均值,作为需要去除的材料余量体积V1,根据测量区域的面积以及需要去除的材料余量体积V1计算得到整个加工区域需要去除的材料体积。本发明提供的预测方法能对精密超精密加工中下一道材料需要去除的材料体积进行预测,还能用于光电、半导体材料加工流程中研磨、磨削等工序加工量的预估,应用范围广。

    一种基于表面微观三维形貌的最小加工余量预测方法

    公开(公告)号:CN111633559B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202010515340.3

    申请日:2020-06-08

    摘要: 本发明公开了一种基于表面微观三维形貌的最小加工余量预测方法,首先将需要加工的样品在提前设定好参数的白光干涉仪上进行三维形貌的检测,得到三维形貌检测图和测量数据,对每个测量区域得到的测量数据均进行表面重构并分别计算重构后每个测量区域表面最高点和最低点之间的材料体积V,取所有测量区域的材料体积的平均值,作为需要去除的材料余量体积V1,根据测量区域的面积以及需要去除的材料余量体积V1计算得到整个加工区域需要去除的材料体积。本发明提供的预测方法能对精密超精密加工中下一道材料需要去除的材料体积进行预测,还能用于光电、半导体材料加工流程中研磨、磨削等工序加工量的预估,应用范围广。

    一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法

    公开(公告)号:CN111640687A

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN202010510585.7

    申请日:2020-06-08

    IPC分类号: H01L21/66 H01L21/68

    摘要: 本发明公开了一种单晶晶圆最优划片方向的确定方法,包括如下步骤:在单晶晶圆样品的表面随机选取正向测试条和反向测试条,然后使用磨料分别沿着单晶晶圆表面上的正向测试条和反向测试条进行划擦试验,且对正向测试条和反向测试条的划擦方向相反,得到沿着两个相反方向划擦后的单晶晶圆样品,通过检测设备对单晶晶圆样品表面的两条划痕的表面形貌进行检测,最后观察两个划痕表面的裂纹形式及影响区的宽度,确定裂纹影响区的宽度相对小的划擦方向为最优的划片方向。本发明能够用于单晶晶圆加工成芯片后将连在一起的芯片分成单个芯片的应用中,能够确定最优加工方向,减少崩边的尺寸,提高加工质量和晶圆的利用率。

    一种振荡加压放电等离子复合烧结装备及烧结方法

    公开(公告)号:CN117415320A

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202311337404.5

    申请日:2023-10-16

    IPC分类号: B22F3/105 B22F3/10

    摘要: 本发明公开了一种振荡加压放电等离子复合烧结装备及烧结方法,通过设置包括主机结构系统、伺服电机液压系统、振荡加压液压系统、真空及惰性气体气源系统、脉冲等离子电源控制系统和主机控制系统,主机结构采用框架梁预紧,保证系统在振荡加压下的强度以及整机结构的稳定性;装备附加了频率和压力可调的振荡液压系统,在工件烧结过程中,振荡压力可实现颗粒的滑移重排,并有助于气孔的排出,可实现材料的高密度烧结;采用双液压系统的叠加模式,节能环保,避免油温过快升高,切换方便简单,保证系统控压精度。本发明提供了一种能够制备高性能材料的振荡加压放电等离子复合烧结装备及烧结方法,可广泛用于高性能、高附加值材料的烧结制备。

    一种橡胶结合剂及其制备方法、超硬砂轮及其制备方法

    公开(公告)号:CN107053023B

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201710288183.5

    申请日:2017-04-27

    摘要: 本发明涉及一种橡胶结合剂及其制备方法、超硬砂轮及其制备方法,属于磨料磨具技术领域。本发明的橡胶结合剂,由包括以下重量份的原料制成:乙烯基硅橡胶100份、炭黑40~60份、二苯基硅二醇3~6份、硬脂酸锌4~8份和羟基氟硅油2~3份。利用乙烯基硅橡胶的高强度、低硬度等特性,采用本发明的橡胶结合剂制备得到的砂轮后具有较高的强度、较好的韧性、磨具结构紧密、气孔率小等特点,可用于不锈钢、铝合金、镍合金、工具钢等金属的精磨、抛光和切割等机械加工,所得工件表面质量好。本发明的橡胶结合剂,成型温度较低,且成型后耐高温、耐酸碱,适用于多种磨料,对磨料把持力好,具有普适性。

    一种用于QFN封装芯片切割的砂轮及其制备方法

    公开(公告)号:CN107378802A

    公开(公告)日:2017-11-24

    申请号:CN201710625665.5

    申请日:2017-07-27

    IPC分类号: B24D3/10 B24D3/28 B24D18/00

    摘要: 本发明涉及一种用于QFN封装芯片切割的砂轮及其制备方法,属于磨具技术领域。本发明的用于QFN封装芯片切割的砂轮包括芯层以及设置在芯层两侧表面上的表层;所述表层包括表层金刚石及如下重量份数的组分:55~65份的酚醛树脂或环氧树脂、10~15份碳化钨、3~6份立方氮化硼。本发明的砂轮兼具树脂结合剂和金属结合剂的优点,具有切割质量优异,砂轮刚性好、适宜高速切割,砂轮自锐性佳,使用寿命长的特点。在QFN封装芯片切割时铜引线拉毛及切割崩口小,无熔锡、芯片分层现象,砂轮切割速度可达200mm/s以上,能满足QFN高速切割要求,且砂轮寿命显著提高,此外,芯层及表层磨损速率匹配,砂轮刃口形状保持性良好。

    砂轮外圆加工方法及加工装置

    公开(公告)号:CN107263321A

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201710334752.5

    申请日:2017-05-12

    摘要: 本发明涉及砂轮外圆加工方法及加工装置,尤其涉及一种对磨料砂轮的外圆进行磨削加工的外圆加工方法及装置。砂轮外圆加工方法是将两个以上的砂轮工件同轴并排布置,并依靠压紧结构将各砂轮工件压紧到位于砂轮工件的一侧的挡止定位结构上实现装夹,然后在一次装夹中完成各砂轮工件的加工。相应的砂轮外圆加工装置的砂轮装夹轴上于挡止定位结构的一侧设有供两个以上砂轮工件同轴并排套设的工件安装位,砂轮外圆加工装置还包括用于将各并排布置的砂轮工件共同压紧到挡止定位结构上以实现砂轮工件的固定的压紧结构。采用上述方案,各砂轮工能够依靠共同的定位基准在一次装夹中完成加工,从而保证加工一致性。

    一种锯片后加工生产线
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107127400A

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201710258302.2

    申请日:2017-04-19

    IPC分类号: B23D65/00

    CPC分类号: B23D65/00

    摘要: 本发明涉及一种锯片后加工生产线,该锯片后加工生产线包括抛光设备、喷漆设备和开刃设备,抛光设备与喷漆设备之间设置有用于将经过抛光后的锯片输送至喷漆设备的锯片第一输送装置,喷漆设备与开刃设备之间设置有用于将经过喷漆后的锯片输送至开刃设备的锯片第二输送装置。本发明中的锯片后加工线在工作时,锯片先经过抛光设备进行抛光,经过抛光后的锯片由锯片第一输送装置输送至喷漆设备中进行喷漆,经过喷漆后的锯片由第二输送装置输送至开刃设备上进行开刃,无需人工在抛光、喷漆和开刃加工工序之间来回搬运锯片,降低劳动强度,提高生产效率。