公开(公告)号：CN103762243A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410043494.1

申请日：2008-09-19

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 约瑟夫·A·叶季纳科 ,  李在吉 ,  张浩铁 ,  尹钟晩 ,  普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺 ,  克里斯托夫·L·雷克塞尔 ,  金昌郁 ,  李宗宪 ,  詹森·M·希格斯 ,  德韦恩·S·赖希尔 ,  乔尔勒·夏普 ,  王琦 ,  金龙燮 ,  李廷吉 ,  马克·L·赖尼希默 ,  郑镇营

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66712 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 功率器件包括有源区域和包围有源区域的终端区域。第一和第二导电类型的多个导柱在有源区域和终端区域的每一个中交替布置。有源区域和终端区域中的第一导电类型的导柱具有基本上相同的宽度，而有源区域中的第二导电类型的导柱具有比终端区域中的第二导电类型的导柱更小的宽度，使得有源区域和终端区域的每一个中的电荷平衡状态导致终端区域中的击穿电压比有源区域中的击穿电压更高。

公开(公告)号：CN110010671B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201811294910.X

申请日：2012-04-26

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 约瑟夫·A·叶季纳科 ,  克里斯托夫·L·雷克塞尔 ,  马克·L·赖尼希默 ,  普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺 ,  李在吉 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  尹钟晩 ,  德韦恩·S·赖希尔 ,  潘南西 ,  罗德尼·S·里德利 ,  哈罗德·海登赖希

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/04 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

摘要： 一种功率器件，包括：半导体区域；设置在半导体区域中的有源区；包围有源区的终端区；多个第一导电型支柱；以及多个第二导电型支柱，多个第一导电型支柱和多个第二导电型支柱交替地被设置在有源区和终端区内，多个第二导电型支柱中的每个支柱包括：第二导电型的第一注入区域；第二导电型的第二注入区域；沟槽；以及设置在沟槽中的第二导电型半导体材料，沟槽设置在第二导电型的第二注入区域之上，并与第二导电型的第二注入区域垂直对准，多个第二导电型支柱的包括在有源区内的支柱的横向宽度大于多个第二导电型支柱的包括在终端区内的支柱的横向宽度。

公开(公告)号：CN103762243B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201410043494.1

申请日：2008-09-19

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 约瑟夫·A·叶季纳科 ,  李在吉 ,  张浩铁 ,  尹钟晩 ,  普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺 ,  克里斯托夫·L·雷克塞尔 ,  金昌郁 ,  李宗宪 ,  詹森·M·希格斯 ,  德韦恩·S·赖希尔 ,  乔尔勒·夏普 ,  王琦 ,  金龙燮 ,  李廷吉 ,  马克·L·赖尼希默 ,  郑镇营

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66712 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 功率器件，包括有源区域和包围有源区域的终端区域。第一和第二导电类型的多个导柱在有源区域和终端区域的每一个中交替布置。有源区域和终端区域中的第一导电类型的导柱具有基本上相同的宽度，而有源区域中的第二导电类型的导柱具有比终端区域中的第二导电类型的导柱更小的宽度，使得有源区域和终端区域的每一个中的电荷平衡状态导致终端区域中的击穿电压比有源区域中的击穿电压更高。

公开(公告)号：CN103503155A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280020540.5

申请日：2012-04-26

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 约瑟夫·A·叶季纳科 ,  克里斯托夫·L·雷克塞尔 ,  马克·L·赖尼希默 ,  普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺 ,  李在吉 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  尹钟晩 ,  德韦恩·S·赖希尔 ,  潘南西 ,  罗德尼·S·里德利 ,  哈罗德·海登赖希

IPC分类号： H01L29/872

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： 一种功率器件包括半导体区域，所述半导体区域反过来包括多个交替设置的第一和第二导电型支柱。所述多个第二导电型支柱中的每个进一步包括沿着第二导电型支柱的深度在彼此顶部设置的多个第二导电型注入区域，以及沟槽部分，所述沟槽部分直接在所述多个第二导电型注入区域之上填充有第二导电型半导体材料。

公开(公告)号：CN110010671A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811294910.X

申请日：2012-04-26

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 约瑟夫·A·叶季纳科 ,  克里斯托夫·L·雷克塞尔 ,  马克·L·赖尼希默 ,  普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺 ,  李在吉 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  尹钟晩 ,  德韦恩·S·赖希尔 ,  潘南西 ,  罗德尼·S·里德利 ,  哈罗德·海登赖希

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/04 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423

摘要： 一种功率器件，包括：半导体区域；设置在半导体区域中的有源区；包围有源区的终端区；多个第一导电型支柱；以及多个第二导电型支柱，多个第一导电型支柱和多个第二导电型支柱交替地被设置在有源区和终端区内，多个第二导电型支柱中的每个支柱包括：第二导电型的第一注入区域；第二导电型的第二注入区域；沟槽；以及设置在沟槽中的第二导电型半导体材料，沟槽设置在第二导电型的第二注入区域之上，并与第二导电型的第二注入区域垂直对准，多个第二导电型支柱的包括在有源区内的支柱的横向宽度大于多个第二导电型支柱的包括在终端区内的支柱的横向宽度。

公开(公告)号：CN103503155B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201280020540.5

申请日：2012-04-26

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 约瑟夫·A·叶季纳科 ,  克里斯托夫·L·雷克塞尔 ,  马克·L·赖尼希默 ,  普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺 ,  李在吉 ,  哈姆扎·耶尔马兹 ,  尹钟晩 ,  德韦恩·S·赖希尔 ,  潘南西 ,  罗德尼·S·里德利 ,  哈罗德·海登赖希

IPC分类号： H01L29/872

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： 一种功率器件包括半导体区域，所述半导体区域反过来包括多个交替设置的第一和第二导电型支柱。所述多个第二导电型支柱中的每个进一步包括沿着第二导电型支柱的深度在彼此顶部设置的多个第二导电型注入区域，以及沟槽部分，所述沟槽部分直接在所述多个第二导电型注入区域之上填充有第二导电型半导体材料。

公开(公告)号：CN101868856B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200880117046.4

申请日：2008-09-19

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 约瑟夫·A·叶季纳科 ,  李在吉 ,  张浩铁 ,  尹钟晚 ,  普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺 ,  克里斯托夫·L·雷克塞尔 ,  金昌郁 ,  李宗宪 ,  詹森·M·希格斯 ,  德韦恩·S·赖希尔 ,  乔尔勒·夏普 ,  王琦 ,  金龙燮 ,  李廷吉 ,  马克·L·赖尼希默 ,  郑镇营

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L29/66712 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 功率器件包括有源区域和包围有源区域的终端区域。第一和第二导电类型的多个导柱在有源区域和终端区域的每一个中交替布置。有源区域和终端区域中的第一导电类型的导柱具有基本上相同的宽度，而有源区域中的第二导电类型的导柱具有比终端区域中的第二导电类型的导柱更小的宽度，使得有源区域和终端区域的每一个中的电荷平衡状态导致终端区域中的击穿电压比有源区域中的击穿电压更高。

公开(公告)号：CN101868856A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200880117046.4

申请日：2008-09-19

申请人： 飞兆半导体公司

发明人： 约瑟夫·A·叶季纳科 ,  李在吉 ,  张浩铁 ,  尹钟晚 ,  普拉韦恩·穆拉利德哈伦·谢诺 ,  克里斯托夫·L·雷克塞尔 ,  金昌郁 ,  李宗宪 ,  詹森·M·希格斯 ,  德韦恩·S·赖希尔 ,  乔尔勒·夏普 ,  王琦 ,  金龙燮 ,  李廷吉 ,  马克·L·赖尼希默 ,  郑镇营

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： H01L29/66712 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 功率器件包括有源区域和包围有源区域的终端区域。第一和第二导电类型的多个导柱在有源区域和终端区域的每一个中交替布置。有源区域和终端区域中的第一导电类型的导柱具有基本上相同的宽度，而有源区域中的第二导电类型的导柱具有比终端区域中的第二导电类型的导柱更小的宽度，使得有源区域和终端区域的每一个中的电荷平衡状态导致终端区域中的击穿电压比有源区域中的击穿电压更高。