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公开(公告)号:CN103226017B
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201310037748.4
申请日:2013-01-31
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G01C19/5684
CPC classification number: G01C19/5733 , G01C19/574
Abstract: 提供耐振动的X轴环形陀螺仪换能器。一种微机电系统(MEMS)换能器(100、700)适用于使用横轴振动来响应于换能器绕旋转轴(170、770)的旋转运动在一对跷跷板感测质体结构(120/140、720/730)中生成非平面振荡,感测电极被连接以将来自该对感测质体结构的拾取信号(例如,102/107、802/807)对角地相加以抵销与旋转振动相关联的信号。
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公开(公告)号:CN103964367A
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201410033777.8
申请日:2014-01-24
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: H02N1/006 , B81B2201/0235 , B81B2203/058 , B81C1/00976
Abstract: 本发明涉及抗静摩擦的MEMS器件及其操作方法。MEMS器件(20)包括通过有弹簧常数(104)的弹簧构件(34)悬挂在衬底(22)之上的可移动元件(20)。弹簧软化电压(58)在上电模式期间(100)被施加于面对可移动元件(20)的电极(24、26)以减小弹簧构件(34)的刚度,并且从而增加可移动元件(32)对输入刺激(46)的灵敏度。一旦检测到静摩擦条件(112),弹簧软化电压(58)被有效地移除以从静摩擦条件(112)恢复可移动元件(32)。较高的机械弹簧常数(104)在未上电模式(96)期间产生有较大恢复力(122)的硬弹簧(34)以从静摩擦条件(112)恢复。反馈电压(56)可以被施加于面对可移动元件(32)的反馈电极(28、30)以提供电阻尼。
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公开(公告)号:CN103542844A
公开(公告)日:2014-01-29
申请号:CN201310277351.2
申请日:2013-07-04
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor: 林义真
IPC: G01C19/5762
CPC classification number: G01C19/5719 , G01C19/5733
Abstract: 本发明涉及带有正交误差补偿的角速率传感器。角速率传感器(20)包括柔性地耦合到衬底(22)的驱动块(36)。传感块(42)悬浮于衬底(22)之上并通过柔性支撑元件(44)柔性地与驱动块(36)相连接。正交补偿电极(24)与驱动块(36)相关联以及传感电极(28)与传感块(42)相关联。驱动块(36)和传感块(42)响应于正交误差相对于传感轴(50)振荡。正交误差在正交补偿电极(24)和驱动块(36)之间产生信号误差分量(78)以及在传感电极(28)和传感块(42)之间产生信号误差分量(76)。补偿和传感电极(24、28)以相反极性耦合以便信号误差分量(78)基本上抵消信号误差分量(76)。
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公开(公告)号:CN103226017A
公开(公告)日:2013-07-31
申请号:CN201310037748.4
申请日:2013-01-31
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G01C19/5684
CPC classification number: G01C19/5733 , G01C19/574
Abstract: 提供耐振动的X轴环形陀螺仪换能器。一种微机电系统(MEMS)换能器(100、700)适用于使用横轴振动来响应于换能器绕旋转轴(170、770)的旋转运动在一对跷跷板感测质体结构(120/140、720/730)中生成非平面振荡,感测电极被连接以将来自该对感测质体结构的拾取信号(例如,102/107、802/807)对角地相加以抵销与旋转振动相关联的信号。
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公开(公告)号:CN103542844B
公开(公告)日:2017-11-17
申请号:CN201310277351.2
申请日:2013-07-04
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor: 林义真
IPC: G01C19/5762
CPC classification number: G01C19/5719 , G01C19/5733
Abstract: 本发明涉及带有正交误差补偿的角速率传感器。角速率传感器(20)包括柔性地耦合到衬底(22)的驱动块(36)。传感块(42)悬浮于衬底(22)之上并通过柔性支撑元件(44)柔性地与驱动块(36)相连接。正交补偿电极(24)与驱动块(36)相关联以及传感电极(28)与传感块(42)相关联。驱动块(36)和传感块(42)响应于正交误差相对于传感轴(50)振荡。正交误差在正交补偿电极(24)和驱动块(36)之间产生信号误差分量(78)以及在传感电极(28)和传感块(42)之间产生信号误差分量(76)。补偿和传感电极(24、28)以相反极性耦合以便信号误差分量(78)基本上抵消信号误差分量(76)。
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公开(公告)号:CN102642804B
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201210035054.2
申请日:2012-02-16
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G01P3/42
CPC classification number: B81B3/0056 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2203/058 , B81B2203/06 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0831 , H01L21/6835 , H01L22/34 , H01L2924/1461 , Y10T29/49156
Abstract: 本发明涉及具有可变间隙宽度的MEMS装置和制造方法。MEMS装置(40)包括基础结构(42)和悬置在该基础结构上方的微结构(44)。基础结构(42)包括:形成在基板(48)上的氧化物层(50),形成在氧化物层上的结构层(54)以及形成在结构层上的绝缘层(56)。形成覆盖基础结构的牺牲层(112),并将微结构(44)形成在牺牲层(112)上的另一结构层(116)中。方法(90)涉及去除牺牲层(112)和氧化物层(50)的一部分以释放微结构,并暴露基板(48)的顶表面(52)。在去除之后,在微结构与顶表面之间生成的间隙(80)的宽度(86)大于在微结构与结构层之间生成的间隙(84)的宽度(88)。
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公开(公告)号:CN104049101A
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201410095382.0
申请日:2014-03-14
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G01P3/44
CPC classification number: G01C19/5712
Abstract: 一种微机电系统(MEMS)装置,包括至少两个悬挂在衬底(30)之上的速度传感器(20、50),并且被配置为平行于所述衬底(30)的表面(40)振荡。与所述速度传感器(20、50)中的至少一个通信的驱动元件(156、158)提供显示驱动频率的驱动信号(168)。一个或多个耦合弹簧结构(80、92、104、120)互连所述速度传感器(20、50)。所述耦合弹簧结构在由所述耦合弹簧结构决定的驱动方向启动速度传感器(20、50)的振荡。用于速度传感器(20)的所述驱动方向是与第一轴(28)相关联的旋转驱动方向(43),以及用于速度传感器(50)的所述驱动方向是与垂直于所述第一轴(28)的第二轴(24、26)相关联的平移驱动方向(64)。
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公开(公告)号:CN103076012A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201210417123.6
申请日:2012-10-26
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G01C19/5719 , G01C19/5755 , G01C19/574 , G01C19/5712
CPC classification number: G01C19/5747 , G01C19/5762
Abstract: 提供一种带有离轴弹簧系统的惯性传感器。惯性传感器(20)包括配置为经历振荡运动的驱动质体(30)和联接到驱动质体的感测质体(32)。同轴扭力弹簧(58)耦接到感测质体,同轴扭力弹簧与旋转轴(22)处于相同位置。惯性传感器还包括离轴弹簧系统(60)。离轴弹簧系统包括离轴弹簧(68、70、72、74),每个都具有在感测质体上的移离旋转轴的位置处耦接到感测质体的连接接口(76)。同轴扭力弹簧和离轴弹簧系统一起使感测质体以与驱动质体的驱动频率实质上匹配的感测频率绕旋转轴振荡到平面外。
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公开(公告)号:CN102745641A
公开(公告)日:2012-10-24
申请号:CN201210114188.3
申请日:2012-04-18
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2203/0136 , B81B2203/0307
Abstract: 一种MEMS装置(20)包括验证质块(32),其耦接到不可移动结构(30)并且围绕所述不可移动结构。不可移动结构(30)包括从该结构(30)的主体(34)向外延伸的固定指(36,38)。验证质块(32)包括可移动指(60),其每一都设置在一对(62)固定指(36,38)之间。主体(34)的中央区域(32)耦接到下面的基板(24),而验证质块(32)和不可移动结构(30)的其余部分悬置在基板(24)上方,以将MEMS装置(20)与封装应力极大地隔离开。另外,MEMS装置(20)包括隔离沟槽(80)和互谅(46,50,64),从而将固定指(36)、固定指(38)、可移动指(60)彼此电隔离,以形成差分装置结构。
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公开(公告)号:CN102642804A
公开(公告)日:2012-08-22
申请号:CN201210035054.2
申请日:2012-02-16
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81B3/0056 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2203/058 , B81B2203/06 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0831 , H01L21/6835 , H01L22/34 , H01L2924/1461 , Y10T29/49156
Abstract: 本发明涉及具有可变间隙宽度的MEMS装置和制造方法。MEMS装置(40)包括基础结构(42)和悬置在该基础结构上方的微结构(44)。基础结构(42)包括:形成在基板(48)上的氧化物层(50),形成在氧化物层上的结构层(54)以及形成在结构层上的绝缘层(56)。形成覆盖基础结构的牺牲层(112),并将微结构(44)形成在牺牲层(112)上的另一结构层(116)中。方法(90)涉及去除牺牲层(112)和氧化物层(50)的一部分以释放微结构,并暴露基板(48)的顶表面(52)。在去除之后,在微结构与顶表面之间生成的间隙(80)的宽度(86)大于在微结构与结构层之间生成的间隙(84)的宽度(88)。
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