公开(公告)号：CN105895619A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510063397.3

申请日：2015-01-23

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 张致琛 ,  J·M·皮古特 ,  王传政 ,  张奇林 ,  M·J·祖尼诺

IPC分类号： H01L23/544

CPC分类号： G01R31/2879 ,  G01R31/2817 ,  G01R31/2818

摘要： 本发明涉及用于监测集成电路上金属退化的电路。一种集成电路(IC)，具有诸如功率MOSFET的热发生元件、耦合到热发生元件的载流导体、邻近载流导体的感测导体以及耦合到感测导体的失效检测电路。当IC的热循环导致感测导体的电阻变得大于依赖于温度的阈值时，失效检测电路生成信号，该信号指示集成电路将不久失效。由通过将电流注入到感测导体中以生成电压来确定感测导体的电阻。依赖于温度的阈值是通过将电流注入到被布置得远离载流和感测导体的参考导体中所生成的电压。电压比较器比校两个电压以生成输出。替代地，失效检测电路包括处理器，该处理器从在集成电路上采取的温度测量计算依赖于温度的阈值。

公开(公告)号：CN104112743A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410145462.2

申请日：2014-04-11

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 李强 ,  O·L·哈丁 ,  S·贾拉勒戴恩 ,  R·M·塞卡雷努 ,  M·J·祖尼诺

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L27/0203 ,  H01L21/76 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/585 ,  H01L23/645 ,  H01L27/08 ,  H01L28/10 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及带有不连续保护环的集成电路芯片。电子装置(10)包括半导体衬底(16)、被放置在所述半导体衬底（16）并由其支撑并且包括电感器(20)的电路块(12)以及围绕所述电路块(12)的不连续噪声隔离保护环(22)。所述不连续噪声隔离保护环(22)包括由所述半导体衬底(16)支撑的金属环(40)以及被放置在所述半导体衬底(16)中，具有掺杂浓度水平，并且电耦合于所述金属环(40)以抑制所述半导体衬底(16)中的噪声到达所述电路的环形区域(42)。所述金属环(40)具有第一间隙(44)以及所述环形区域(42)具有第二间隙(46)。