公开(公告)号：CN104112743A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410145462.2

申请日：2014-04-11

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 李强 ,  O·L·哈丁 ,  S·贾拉勒戴恩 ,  R·M·塞卡雷努 ,  M·J·祖尼诺

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L27/0203 ,  H01L21/76 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/585 ,  H01L23/645 ,  H01L27/08 ,  H01L28/10 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及带有不连续保护环的集成电路芯片。电子装置(10)包括半导体衬底(16)、被放置在所述半导体衬底（16）并由其支撑并且包括电感器(20)的电路块(12)以及围绕所述电路块(12)的不连续噪声隔离保护环(22)。所述不连续噪声隔离保护环(22)包括由所述半导体衬底(16)支撑的金属环(40)以及被放置在所述半导体衬底(16)中，具有掺杂浓度水平，并且电耦合于所述金属环(40)以抑制所述半导体衬底(16)中的噪声到达所述电路的环形区域(42)。所述金属环(40)具有第一间隙(44)以及所述环形区域(42)具有第二间隙(46)。

公开(公告)号：CN101432881B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200780006446.3

申请日：2007-01-18

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： R·M·塞卡雷努 ,  S·K·本纳杰 ,  O·L·哈丁

IPC: H01L29/04

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/761 ,  H01L21/762 ,  H01L21/765 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0619

Abstract: 集成电路(10)，包括在衬底的一个区内形成的由于低掺杂浓度而具有高电阻率的p阱模块区(30)，用于提供第一电路模块(22)和第二电路模块(24)之间的噪声隔离。该集成电路(10)进一步包括围绕p阱模块区(30)形成的保护区(32)，用于提供第一电路模块(22)和第二电路模块(24)之间的噪声隔离。

公开(公告)号：CN101432881A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780006446.3

申请日：2007-01-18

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： R·M·塞卡雷努 ,  S·K·本纳杰 ,  O·L·哈丁

IPC: H01L29/04

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/761 ,  H01L21/762 ,  H01L21/765 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0619

Abstract: 集成电路(10)，包括在衬底的一个区内形成的由于低掺杂浓度而具有高电阻率的p阱模块区(30)，用于提供第一电路模块(22)和第二电路模块(24)之间的噪声隔离。该集成电路(10)进一步包括围绕p阱模块区(30)形成的保护区(32)，用于提供第一电路模块(22)和第二电路模块(24)之间的噪声隔离。