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公开(公告)号：CN1705871B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200380101667.0
申请日：2003-10-15
申请人： 高级技术材料公司
IPC分类号： G01N9/00
CPC分类号： G01N27/128 , H01J37/3244 , H01J37/32935 , H01J37/32981 , Y10T29/49007 , Y10T436/17 , Y10T436/19
摘要： 一种用于探测含氟气体中的含氟物质的气体探测器(54)和工艺，例如，经历用HF、NF3等刻蚀清洗的半导体处理工具的流出物。优选结构布置中的探测器采用基于微机电系统(MEMS)的器件结构和/或自立式金属元件(8)，当需要升温传感时，自立式金属元件用作传感器元件和选择性地作为热源。自立式金属元件可以直接在标准芯片载体/器件封装(6)上制造，以便封装变为探测器的平台。
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公开(公告)号：CN1934221A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009518.0
申请日：2005-03-14
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 迈克尔·B·克赞斯基 , 托马斯·H·鲍姆
CPC分类号： H01L21/31133 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2075 , C11D3/3947 , C11D3/43 , C11D11/0047 , G03F7/091 , G03F7/422 , G03F7/425 , H01L21/31111
摘要： 本发明描述了从具有底部抗反射涂层(BARC)的半导体基片去除此类BARC层的方法和组合物。该去除组合物包括超临界流体、共溶剂、蚀刻剂和表面活性剂。此类去除组合物克服了SCCO2作为去除试剂的固有缺陷，即SCCO2的非极性特性和与之相关的对必须从半导体基片除去的物质不具有溶解能力，所述物质例如无机盐和极性有机化合物。
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公开(公告)号：CN1361784A
公开(公告)日：2002-07-31
申请号：CN00810539.1
申请日：2000-05-22
申请人： 高级技术材料公司
CPC分类号： C07F1/08 , C07F1/005 , C23C16/18 , H01L21/28556 , Y10S428/901 , Y10T428/1291
摘要： 液体供应CVD所用的铜前体,该CVD用于在衬底上形成含铜材料。所公开的铜前体对半导体设备结构中互连的金属化特别有用。
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公开(公告)号：CN102981377B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210452842.1
申请日：2006-06-07
申请人： 高级技术材料公司
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/34 , C11D7/50 , G03F7/423
摘要： 本发明公开了金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物。所述清洗及去除组合物包括至少一种含氟化合物、至少一种有机溶剂、任选的水和任选的至少一种螯合剂。所述组合物在集成电路的制造中实现了SARC材料的至少部分的去除，而在基板上的例如铝、铜和钴合金的金属物质的蚀刻最少，并且不破坏在半导体结构中所使用的低-k介电材料。
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公开(公告)号：CN102460640A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080026047.5
申请日：2010-06-08
申请人： 高级技术材料公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/20 , H01L21/302 , H01L21/304
CPC分类号： B01F15/0203 , B01F3/0861 , B01F15/0258 , B01F2003/0896 , B65B3/14 , B67D7/025 , B67D7/0261 , B67D7/0283 , B67D7/741
摘要： 本发明公开了用于将包含流体的给料物质输送至处理设备的系统和方法。通过在衬套与外层包装之间施加真空，来填充基于衬套的压力分配容器。可针对单个给料物质选择性地并行操作不同校准流量范围的多个给料物质流量控制器。可对由多个基于衬套的压力分配容器供应的给料物质执行给料物质混合和测试以用于按比例增加。可用重力测量系统来确定多成分溶液或混合物中至少一种成分的浓度。
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公开(公告)号：CN102352488A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110300900.4
申请日：2007-03-12
申请人： 高级技术材料公司
发明人： 威廉·杭克斯 , 陈天牛 , 许从应 , 杰弗里·F·罗德 , 托马斯·H·鲍姆 , 梅利莎·A·彼特鲁斯卡 , 马蒂亚斯·斯滕德 , 陈世辉 , 格雷戈里·T·施陶夫 , 布赖恩·C·亨德里克斯
IPC分类号： C23C16/18 , H01L45/00 , C07C395/00 , C07F9/90 , C07F19/00
CPC分类号： H01L45/1616 , C07C251/08 , C07F7/003 , C07F7/10 , C07F7/28 , C07F9/90 , C07F9/902 , C07F17/00 , C23C16/18 , C23C16/305 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 本发明描述了对于相应含金属薄膜的CVD/ALD有用的锑、锗及碲前体；以及包含这样的前体的组合物；这样的前体的制造方法；及使用这样的前体制造的薄膜及微电子器件产品；以及相应的制造方法。本发明的前体对于形成锗-锑-碲(GST)薄膜及包含这样的薄膜的微电子器件产品如相变存储设备很有用。
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公开(公告)号：CN1739064A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200380109011.3
申请日：2003-12-17
申请人： 高级技术材料公司
摘要： 本发明公开了用于半导体加工的组合物和方法。在一实施方案中，提供了去除光刻胶用的湿法清洗组合物。该组合物包含强碱；氧化剂和极性溶剂。在另一实施方案中，提供了去除光刻胶的方法。该方法包括如下步骤：涂覆包含约0.1－约30wt％强碱；约1－约30wt％氧化剂；约20－约95wt％极性溶剂的湿法清洗组合物；并去除光刻胶。
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公开(公告)号：CN102981377A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210452842.1
申请日：2006-06-07
申请人： 高级技术材料公司
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/34 , C11D7/50 , G03F7/423
摘要： 本发明公开了金属和电介质相容的牺牲性抗反射涂层清洗及去除组合物。所述清洗及去除组合物包括至少一种含氟化合物、至少一种有机溶剂、任选的水和任选的至少一种螯合剂。所述组合物在集成电路的制造中实现了SARC材料的至少部分的去除，而在基板上的例如铝、铜和钴合金的金属物质的蚀刻最少，并且不破坏在半导体结构中所使用的低-k介电材料。
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公开(公告)号：CN101233456B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200680028153.0
申请日：2006-06-07
申请人： 高级技术材料公司
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/34 , C11D7/50 , G03F7/423
摘要： 本发明公开了用于从其上具有牺牲性抗反射涂层(SARC)材料的基板上去除所述牺牲性抗反射涂层材料的液体去除组合物及方法。所述液体去除组合物包括至少一种含氟化合物、至少一种有机溶剂、任选的水和任选的至少一种螯合剂。所述组合物在集成电路的制造中实现了SARC材料的至少部分的去除，而在基板上的例如铝、铜和钴合金的金属物质的蚀刻最少，并且不破坏在半导体结构中所使用的低-k介电材料。
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