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公开(公告)号：CN117966257A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410108795.1
申请日：2024-01-26
Applicant: 齐鲁工业大学(山东省科学院) , 山东加睿晶欣新材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种全小面碳化硅单晶晶片及其制备方法，将正向的碳化硅单晶籽晶粘接在石墨坩埚上盖上，安装于填充有高纯碳化硅粉料的石墨坩埚桶上部，置于高温碳化硅单晶生长炉中，封闭好炉腔，抽真空；调整高温线位置使籽晶面的等温线凸度为6‑10mm，加热升温至1000~1300℃保温1~24h，通入氮气和氩气混合气体到腔内压力1000‑80000 Pa，升温至1950~2250℃保温8~20h，按0.5~1mm/h的速率移动等温线位置，使生长面的等温线凸度在0.2~1mm之间，并保持动态移动控制在0.2~1mm之间，生长结束后停止加热，通入氩气使腔内升压，冷却至室温得碳化硅晶体，经加工处理获得全小面碳化硅单晶晶片。采用本发明的方法制备出高质量低缺陷的全小面碳化硅单晶晶片，可以较好地应用于高压和特高压功率器件的制备。
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公开(公告)号：CN113430641B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110701742.7
申请日：2021-06-24
Applicant: 齐鲁工业大学 , 山东加睿晶欣新材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：制备具有倒六棱锥结构、暴露出半极性面的GaN晶体；可还原的金属盐溶液或金属盐熔液在GaN非极性面电解还原得到对应金属；以及在GaN晶体生长过程中，电沉积金属阻碍非极性面GaN生长，产生空隙进而在降温过程中由于应力作用得到自剥离GaN晶体。通过在半极性面沉积金属的方法，仅在样品半极性面形成了阻碍结构，借助空位辅助分离原理，制备的处理衬底在后期生长GaN体单晶过程中，有助于缓解晶体中的应力和实现晶体的自剥离。
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公开(公告)号：CN113430649A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110701740.8
申请日：2021-06-24
Applicant: 齐鲁工业大学 , 山东加睿晶欣新材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法，包括如下步骤：生长用GaN衬底在多温区多气氛的管式生长炉中的装配；GaN衬底在高温下氧化性气氛中氧化制备表面具有氧化镓层的衬底；具有氧化镓层的GaN衬底在腐蚀气体气氛中干刻蚀制备多孔GaN衬底；多孔GaN衬底上生长GaN单晶；生长工艺结束后控制氨气通入量实现界面出GaN分解；降温后烘箱静置得到自剥离GaN单晶。
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公开(公告)号：CN117361534A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311321819.3
申请日：2023-10-13
Applicant: 齐鲁工业大学(山东省科学院) , 山东加睿晶欣新材料股份有限公司
IPC: C01B32/984 , C01B32/956
Abstract: 本发明公开了一种高晶质半导体碳化硅粉料及制备方法，将高纯碳化硅单晶晶体进行裂解或破碎，筛分出10‑200μm粒径的碳化硅粉与高纯碳粉混合；将混合均匀的碳粉和硅粉置于石墨坩埚底部，混合的碳化硅粉与高纯碳粉置于上部，加装石墨盖封住，置于高温烧结炉中，封闭好炉腔，抽真空；升温至1050~1350℃，保温1~15h，通入高纯氩气到腔内压力到10000‑80000 Pa，继续升温至1750~2000℃，保温8~15h，实现底部碳化硅粉料的合成，继续升温至2000‑2500℃，同时降低炉腔内压力值在1000～10000Pa，持续通入高纯氩气流量为5‑800sccm，保温30~80h；停止通入氩气，冷却至室温，得高晶质半导体碳化硅粉料。高晶质半导体碳化硅粉料可应用于制备高性能、低缺陷、低包裹物密度的第三代半导体材料碳化硅单晶材料。
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公开(公告)号：CN113430649B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110701740.8
申请日：2021-06-24
Applicant: 齐鲁工业大学 , 山东加睿晶欣新材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多步连续调控直接生长自剥离氮化镓的方法，包括如下步骤：生长用GaN衬底在多温区多气氛的管式生长炉中的装配；GaN衬底在高温下氧化性气氛中氧化制备表面具有氧化镓层的衬底；具有氧化镓层的GaN衬底在腐蚀气体气氛中干刻蚀制备多孔GaN衬底；多孔GaN衬底上生长GaN单晶；生长工艺结束后控制氨气通入量实现界面出GaN分解；降温后烘箱静置得到自剥离GaN单晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113430641A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110701742.7
申请日：2021-06-24
Applicant: 齐鲁工业大学 , 山东加睿晶欣新材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种阻碍半极性面氮化镓生长并制备自剥离氮化镓晶体的方法，包括以下步骤：制备具有倒六棱锥结构、暴露出半极性面的GaN晶体；可还原的金属盐溶液或金属盐熔液在GaN非极性面电解还原得到对应金属；以及在GaN晶体生长过程中，电沉积金属阻碍非极性面GaN生长，产生空隙进而在降温过程中由于应力作用得到自剥离GaN晶体。通过在半极性面沉积金属的方法，仅在样品半极性面形成了阻碍结构，借助空位辅助分离原理，制备的处理衬底在后期生长GaN体单晶过程中，有助于缓解晶体中的应力和实现晶体的自剥离。
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公开(公告)号：CN113832546A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111128254.8
申请日：2021-09-26
Applicant: 齐鲁工业大学 , 山东加睿晶欣新材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高温热处理辅助二维涂覆掩模衬底生长氮化镓单晶的方法，包括如下步骤：制备浓度适宜的二维材料纳米片溶液；对二维材料纳米片溶液进行粘度调控，制备前驱体溶液；使用旋涂仪将前驱体溶液均匀涂覆在衬底上；将二维材料涂覆的衬底放入气氛炉中在惰性气体气氛下进行高温热处理；将制备的高温热处理辅助二维涂覆掩模衬底装入生长炉中进行晶体生长；生长结束后降温得到低应力、自剥离的GaN单晶；二维材料先转移到衬底上形成了涂覆掩模，之后在没有二维涂覆层材料的区域优先成核，并依靠横向外延扩展至整个区域；在晶体持续的生长过程，二维涂覆层材料有效阻断了位错在晶体中的延伸，进而提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN218017752U
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202222377915.7
申请日：2022-09-07
Applicant: 山东加睿晶欣新材料股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种新型化学机械抛光机，涉及抛光机技术领域，包括机体，机体的顶端设有抛光组件，抛光组件包括支撑杆、加工板、支撑架、驱动电机、加工盘和辅助结构，支撑杆与机体顶端的中部转动连接，支撑杆的顶端固定加工板，支撑架固定设置在机体顶端的中部，支撑架的顶端开设有调节槽，调节槽的内部转动连接有固定架，本实用新型的有益效果是：通过支撑杆支撑加工板，并通过驱动电机固定加工盘，来配合对物料进行抛光打磨处理，同时使用支撑架对固定架进行支撑，并配合电动液压推杆的伸缩端带动支撑架快速转动调节加工盘的位置，来使其与放料板位置和加工板的位置对应来实现快速上下料使用。
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公开(公告)号：CN218089895U
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202222377969.3
申请日：2022-09-07
Applicant: 山东加睿晶欣新材料股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种新型氮化镓单晶生长炉，涉及氮化镓单晶生产加工技术领域，包括炉体，炉体内壁的底端固定设有阻燃导热保温筒，阻燃导热保温筒内壁的中部固定设有铂金隔板，阻燃导热保温筒内壁的顶端固定设有两个支撑架，两个支撑架的顶部和底部均固定设有籽晶，炉体顶端的一侧固定设有U型架，U型架内壁顶端的两侧均固定设有正反转电机，本实用新型的有益效果是：控制设置的两个正反转电机的输出轴转动带动相对应的转轴转动，其中一个转轴通过其中一个L型杆带动其中一个燃烧器转动，另一个转轴通过两个齿轮之间啮合配合带动安装管转动，安装管转动通过另一个L型杆带动另一个燃烧器转动，便于提供多角度加热功能。
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公开(公告)号：CN117127245B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202311105266.8
申请日：2023-08-30
Applicant: 齐鲁工业大学(山东省科学院)
Abstract: 本发明提供一种通过Zn掺杂提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度及其钠离子电导率的方法，属于晶体生长和固溶体制备技术领域。将氧化锌或者硝酸锌等不引入杂质元素的掺杂剂掺入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12前驱体，晶体生长时Zn进入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12的八面体空隙，同时抑制Na源和P源的挥发损失，提高Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相的含量。本发明通过Zn取代Zr进入Na3Zr2‑xZnxSi2PO12的八面体空隙，同时抑制Na源和P源的挥发损失，可显著减少ZrO2和/或Na2ZrSi2O7等晶相，为Na3Zr2‑xZnxSi2PO12晶相纯度提高及其钠离子电导率提高提供了理论基础和技术支撑。
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