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公开(公告)号：CN101398634B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810166156.1
申请日：2004-10-21
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·H·M·比姆斯 , E·A·F·范德帕斯奇
CPC分类号： G03F7/70775
摘要： 本发明涉及光刻设备，它包括：辐射系统，用以提供投影辐射线束；投影系统，用以把投影线束投影在衬底的目标部分上；运动物体；位移装置，用以使运动物体在第一方向和不同于第一方向的第二方向上相对于投影系统运动；和测量装置，用以测量运动物体在基本上垂直于第一方向和第二方向的第三方向上的位移。按照本发明的光刻设备的特征在于包括编码器系统。
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公开(公告)号：CN100524027C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200410008016.3
申请日：2004-03-05
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： E·A·F·范德帕斯奇 , M·H·M·比姆斯 , E·J·M·尤森 , E·J·J·克里滕特
CPC分类号： G03F7/70775
摘要： 一种光刻投影装置，配有一种用于操纵和传送至少一部分辐射的计量光束的器件。该器件包括第一和第二光楔，其中第二光楔和第一光楔具有相对于彼此的相对位置。至少一部分计量光束沿入射光轴在第一光楔的第一主要表面处进入该器件，穿过第一和第二光楔，并在第二光楔的第二主要表面处射出。第一和第二光楔安排为通过改变第一和第二光楔的相对位置使至少一部分计量光束相对于入射光轴旋转和/或平移。
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公开(公告)号：CN1527140A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410008016.3
申请日：2004-03-05
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： E·A·F·范德帕斯奇 , M·H·M·比姆斯 , E·J·M·尤森 , E·J·J·克里滕特
CPC分类号： G03F7/70775
摘要： 一种光刻投影装置，配有一种用于操纵和传送至少一部分辐射的计量光束的器件。该器件包括第一和第二光楔，其中第二光楔和第一光楔具有相对于彼此的相对位置。至少一部分计量光束沿入射光轴在第一光楔的第一主要表面处进入该器件，穿过第一和第二光楔，并在第二光楔的第二主要表面处射出。第一和第二光楔安排为通过改变第一和第二光楔的相对位置使至少一部分计量光束相对于入射光轴旋转如/或平移。
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公开(公告)号：CN100487577C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200410032185.0
申请日：2004-04-02
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： E·A·F·范德帕斯 , M·H·M·比姆斯 , E·R·鲁普斯塔拉 , H·J·M·梅杰 , D·N·贾勃特
CPC分类号： G03F7/70775 , G03F7/70233 , G03F7/70283 , G03F7/70725 , G03F9/7003 , G03F9/7034
摘要： 一种光刻投影设备，包括：为提供辐射投影束的辐射系统；为支撑反射构图装置的支撑结构，该构图装置包括图案表面，以及使所述辐射投影束以预定的倾斜角度入射到所述构图装置上以根据需要的图案来构图所述辐射投影束；保持衬底的衬底台；以及为将构图的束投影到衬底的目标部分上的投影系统，其中，该支撑结构和衬底台在第一方向中可以相互移动。其中通过围绕平行于第二方向的轴线旋转衬底、围绕平行于第二方向的轴线旋转构图装置、以及在六个自由度中的至少一个自由度上调节包括在所述投影系统中的镜子的位置中的至少一种方法来校正图案表面在垂直于第一方向和图案表面的所述平面的第二方向中至少一部分的位置的变化。本发明还提供一种器件制造方法。
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公开(公告)号：CN1854901A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610075205.1
申请日：2006-04-19
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70775
摘要： 一种光刻装置，其包括保持基底的基底台，参考结构以及测量基底台相对参考结构的位置的测量系统。该测量系统包括用于测量基底台相对中间结构的位置的第一测量系统，和用于测量中间结构相对参考结构的位置的第二测量系统。该中间结构与驱动机构连接或可与驱动机构连接，以驱动基底台。基底台和中间结构之间的间距以及中间结构和参考结构之间的间距可以很小，从而获得高度精确的位置测量。
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公开(公告)号：CN108292111B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201680069983.1
申请日：2016-10-27
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 光刻设备具有衬底位于上面的衬底台和用于测量衬底的对准的对准传感器。在示例性处理方法中，对准传感器用于在第一步骤中执行一个或更多个边缘测量。在第二步骤中，在衬底的凹口上执行一个或更多个边缘测量。边缘测量值然后用于在光刻设备中对准衬底。在具体的示例中，衬底相对于对准传感器布置，以使得边缘表面的一部分被定位在透镜的焦距处。当对准传感器检测被透镜的焦距处的边缘表面散射的辐射时，检测衬底的边缘的存在。
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公开(公告)号：CN102645847A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210033001.7
申请日：2012-02-14
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G01B11/14 , G01B11/00 , G02B21/0048 , G02B26/105 , G03F7/70625 , G03F9/7088
摘要： 本发明公开了一种测量方法、测量设备、光刻设备以及器件制造方法。设备(AS)测量光刻衬底(W)上的标记(202)的位置。测量光学系统包括用于使用辐射斑(206)照射标记的照射子系统(504)和用于检测被所述标记衍射的辐射的检查子系统(580)。衬底和测量光学系统相对于彼此以第一速度(vW)的移动以便扫描所述标记，同时同步地以第二速度(VSPOT)相对于测量光学系统的参照框架(RF)移动辐射斑。辐射斑以第三速度(VEFF)扫描标记，第三速度低于第一速度以便允许获得更多的时间来用于精确的位置测量。在一个实施例中，物镜(524)相对于参照框架保持固定，同时移动光学元件(562)施加辐射斑相对于参照框架的移动。
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公开(公告)号：CN100533277C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200610075205.1
申请日：2006-04-19
申请人： ASML荷兰有限公司
CPC分类号： G03F7/70775
摘要： 一种光刻装置，其包括保持基底的基底台，参考结构以及测量基底台相对参考结构的位置的测量系统。该测量系统包括用于测量基底台相对中间结构的位置的第一测量系统，和用于测量中间结构相对参考结构的位置的第二测量系统。该中间结构与驱动机构连接或可与驱动机构连接，以驱动基底台。基底台和中间结构之间的间距以及中间结构和参考结构之间的间距可以很小，从而获得高度精确的位置测量。
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公开(公告)号：CN1538245A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410036874.9
申请日：2004-04-16
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： J·M·T·A·阿德里恩斯 , M·H·M·比姆斯 , E·A·F·范德帕斯
CPC分类号： G01B9/02027 , G01B9/02018 , G01B9/0207 , G03F7/70775 , G03F9/7003
摘要： 在干涉位移测量系统中，对光束切变进行修正。该修正可以是与测量光束穿过的光学路径长度以及测量镜的角成比例的变量的多项式。该修正补偿了由测量光束波前的非平面性造成的误差。
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公开(公告)号：CN101398633B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810166155.7
申请日：2004-10-21
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： M·H·M·比姆斯 , E·A·F·范德帕斯奇
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70775
摘要： 本发明涉及光刻设备，它包括：辐射系统，用以提供投影辐射线束；投影系统，用以把投影线束投影在衬底的目标部分上；运动物体；位移装置，用以使运动物体在第一方向和不同于第一方向的第二方向上相对于投影系统运动；和测量装置，用以测量运动物体在基本上垂直于第一方向和第二方向的第三方向上的位移。按照本发明的光刻设备的特征在于包括编码器系统。
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