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公开(公告)号：CN1279404C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN03136806.9
申请日：2003-04-07
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , G06K9/00 , G06T11/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70633 , G03F7/70733 , Y10T428/24802 , Y10T428/24835
摘要： 光刻投射装置1具有至少两个基底保持器WT1、WT2，包括减小由两基底保持器间差异引起成像差异的影响的装置。装置1包括内部的或外部的用于识别基底和将其与各自的一个基底保持器相联系的装置。从而，该装置确保在适当的基底保持器上加工该基底或者对成像进行修正。在另一个实施方案中，基底与各自的一个基底保持器相联系并且始终用该基底保持器加工而无需另外的识别步骤。
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公开(公告)号：CN100407054C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200410071464.8
申请日：2004-05-29
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： R·A·乔治 , 桂成群 , P·W·H·德伽葛尔 , R·E·范柳文 , J·萡沪恩
CPC分类号： G03B27/53 , G03F7/70291 , G03F7/70791 , G03F9/7003 , G03F9/7026
摘要： 本发明提供一种光刻装置，包括：照明系统，提供辐射投射光束；构图部件，用来使投射光束在其横截面内具有图案；基底台，用于支承基底；投影系统，把形成图案的光束投影到基底靶部；检测器，在基底位于投影系统将形成图案的光束投影到基底的位置的同时检查基底；控制器，响应来自检测器的信息调整至少下述一个参数：被投影到基底上的图案相对基底的位置；被投影到基底上的图案的放大率；和最佳聚焦象面；其中该检测器有多个传感器，用于同时检查横跨该基底的整个宽度的多个基底部分；构图部件和投影系统布置成曝光基底的整个宽度，由此能在基底相对装置的单次通过中检查和曝光基底。本发明还提供相应的器件制造方法、基底曝光方法和由此形成的平板显示器。
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公开(公告)号：CN1573576A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410071464.8
申请日：2004-05-29
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： R·A·乔治 , 桂成群 , P·W·H·德伽葛尔 , R·E·范柳文 , J·萡沪恩
CPC分类号： G03B27/53 , G03F7/70291 , G03F7/70791 , G03F9/7003 , G03F9/7026
摘要： 光刻装置，其中在基底的曝光期间检查基底上的对准标记、以便优化曝光条件。
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公开(公告)号：CN1456940A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN03136806.9
申请日：2003-04-07
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , G06K9/00 , G06T11/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70633 , G03F7/70733 , Y10T428/24802 , Y10T428/24835
摘要： 光刻投射装置1具有至少两个基底保持器WT1、WT2，包括减小由两基底保持器间差异引起成像差异的影响的装置。装置1包括内部的或外部的用于识别基底和将其与各自的一个基底保持器相联系的装置。从而，该装置确保在适当的基底保持器上加工该基底或者对成像进行修正。在另一个实施方案中，基底与各自的一个基底保持器相联系并且始终用该基底保持器加工而无需另外的识别步骤。
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