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公开(公告)号：CN1797214A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510134132.4
申请日：2005-12-26
申请人： ASML荷兰有限公司 , ASML控股有限公司
发明人： A·J·布里克 , J·J·M·巴塞曼斯 , M·M·T·M·迪伊里奇斯 , C·瓦格纳 , L·赖齐科夫 , S·Y·斯米诺夫 , K·Z·特鲁斯特
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/702 , G03F7/70291
摘要： 一种系统和方法用于引导辐射束以非垂直地照射用于构图该辐射束的单独可控元件的构图阵列。这些单独可控元件可以改变该辐射束的远心。可以通过凹面镜或使用在这些单独可控元件的物场中放置的折叠式反射镜来将该辐射束投射到这些单独可控元件上。可替换地，这些单独可控元件可以改变该辐射束的光轴。
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公开(公告)号：CN101598904A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910151900.5
申请日：2005-12-26
申请人： ASML荷兰有限公司 , ASML控股有限公司
发明人： A·J·布里克 , J·J·M·巴塞曼斯 , M·M·T·M·迪伊里奇斯 , C·瓦格纳 , L·赖齐科夫 , S·Y·斯米诺夫 , K·Z·特鲁斯特
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/702 , G03F7/70291
摘要： 提供了一种光刻设备，包括：照明系统，所述照明系统调整辐射束；构图阵列，所述构图阵列包括单独可控元件以构图；以及投影系统，所述投影系统将该构图辐射束投射在衬底的目标部分上，其中布置该辐射束以便非垂直地照射该构图阵列，其中包括多个构图阵列和相应的多个耦合反射镜，布置每个耦合反射镜以将由相应的构图阵列之一选择性反射的辐射引导到该投影系统中。本发明还提供一种器件制造方法。
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公开(公告)号：CN101598904B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910151900.5
申请日：2005-12-26
申请人： ASML荷兰有限公司 , ASML控股有限公司
发明人： A·J·布里克 , J·J·M·巴塞曼斯 , M·M·T·M·迪伊里奇斯 , C·瓦格纳 , L·赖齐科夫 , S·Y·斯米诺夫 , K·Z·特鲁斯特
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/702 , G03F7/70291
摘要： 一种光刻设备，包括：照明系统，所述照明系统调整辐射束；构图阵列，所述构图阵列包括单独可控元件以构图；以及投影系统，所述投影系统将该构图的辐射束投射在衬底的目标部分上，其中布置该辐射束以便非垂直地照射该构图阵列，其中包括多个构图阵列和相应的多个耦合反射镜，布置每个耦合反射镜以将由相应的构图阵列之一选择性反射的辐射引导到该投影系统中，并且布置这些耦合反射镜以使从该投影系统看时，该构图阵列被布置在比该构图阵列的实际布置更密集的虚拟阵列中。本发明还提供一种器件制造方法。
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公开(公告)号：CN110892330B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201880046022.8
申请日：2018-06-12
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： P·H·P·科勒 , J·J·M·巴塞曼斯 , B·P·赖甲佩斯
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种确定对浸没式光刻设备的投影系统的变迹的测量结果的光电探测器贡献的方法，所述方法包括：提供辐射束，用所述辐射束照射物体，使用投影系统将所述物体的图像通过液体层进行投影并投影到光电探测器上，在第一液体层厚度执行横跨投影系统的光瞳平面的辐射强度的第一组测量，在不同的液体层厚度执行横跨投影系统的光瞳平面的辐射强度的第二组测量，根据所述第一组测量的结果和所述第二组测量的结果确定一组强度差；将所确定的一组强度差与预期的一组强度差进行比较，和使用比较的结果来确定对变迹的测量结果的光电探测器贡献。
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公开(公告)号：CN110892330A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880046022.8
申请日：2018-06-12
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： P·H·P·科勒 , J·J·M·巴塞曼斯 , B·P·赖甲佩斯
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种确定对浸没式光刻设备的投影系统的变迹的测量结果的光电探测器贡献的方法，所述方法包括：提供辐射束，用所述辐射束照射物体，使用投影系统将所述物体的图像通过液体层进行投影并投影到光电探测器上，在第一液体层厚度执行横跨投影系统的光瞳平面的辐射强度的第一组测量，在不同的液体层厚度执行横跨投影系统的光瞳平面的辐射强度的第二组测量，根据所述第一组测量的结果和所述第二组测量的结果确定一组强度差；将所确定的一组强度差与预期的一组强度差进行比较，和使用比较的结果来确定对变迹的测量结果的光电探测器贡献。
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公开(公告)号：CN106537257B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201580039206.8
申请日：2015-06-26
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： T·W·波勒特 , J·J·M·巴塞曼斯 , W·J·鲍曼 , H·H·A·勒姆蓬斯 , T·M·莫德曼 , C·M·洛普斯 , B·斯密兹 , K·斯蒂芬斯 , R·范德汉姆
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 公开了光刻设备和器件制造方法。在一个布置中，提供了包括投影系统(PS)的浸没式光刻设备。投影系统被配置成将经图案化的辐射束通过浸没液体投影到衬底的目标部分上。投影系统的外表面包括第一表面(102)。第一表面具有非平面形状。元件(106)被附接至第一表面并且被定位成使得元件的至少一部分在使用中接触浸没液体。元件包括处于预成型状态且符合第一表面的非平面形状的连续整体材料的闭合环。
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公开(公告)号：CN1782886B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200510128823.3
申请日：2005-12-01
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： J·J·M·巴塞曼斯 , S·N·L·多德斯 , C·A·霍根达姆 , J·J·S·M·梅坦斯 , J·C·H·穆肯斯 , B·斯特里克
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70341
摘要： 光刻装置以及器件制造方法公开了一种包括液体供给系统的浸入式光刻装置，该液体供给系统具有设置成可将液体供给到光刻装置的投影系统与衬底之间的空间中的入口，以及设置成可去除至少部分液体的出口，该液体供给系统设置成可使入口、出口或这两者围绕基本上垂直于衬底的曝光面的轴线旋转。
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公开(公告)号：CN100570489C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200510104178.1
申请日：2005-09-13
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： J·J·M·巴塞曼斯 , A·J·A·布鲁恩斯马 , P·W·H·德贾格 , H·J·P·文克 , J·P·H·本肖普
CPC分类号： G03F7/70058 , G03F7/70291 , G03F7/70583
摘要： 一种光刻设备，它包括：照射系统，它提供辐射束；折射光栅，它将辐射束分裂成多个子辐射束；单独可控单元阵列，它配置成使多个所述子辐射束射向所述单独可控单元阵列中相关联的单独可控单元，使辐射束图案化；以及投射系统，它将图案化的辐射束投射到衬底的目标部分。所述照射系统提供至少另一个辐射束，把所述辐射束和所述至少另一个辐射束射向所述折射光栅，并且将它们各自分裂成子辐射束，以及把所述辐射束和所述至少另一个辐射束以彼此相关的角度射向所述折射光栅，使得从每一个辐射束导出的子辐射束中至少一个是叠合的。本发明还提供了一种器件制造方法。
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公开(公告)号：CN1746769A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510109890.0
申请日：2005-08-16
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： J·J·M·巴塞曼斯 , K·D·范德马斯特 , K·Z·特鲁斯特
CPC分类号： G03F7/70283 , G03F1/36 , G03F7/70291 , G03F7/70441
摘要： 通过用二维校正核心或两个一维校正核心旋绕器件特征将灰度级光学接近式校正器件特征添加到一掩模图案以便生成灰度级OPC特征。该结果图案可以用在具有适于生成三个或更多强度等级的可编程构图装置的投影光刻设备中。模拟由图案产生的空间图像、比较对希望的图案的模拟以及调整OPC特征的迭代过程，可以被用于生成投影的最佳图案。
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公开(公告)号：CN1673874A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510062763.X
申请日：2005-03-25
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： J·J·M·巴塞曼斯 , H·V·科克
IPC分类号： G03F7/20 , G01J9/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/706
摘要： 一种用于确定光刻装置的投影系统的像差的方法，该方法包含，投影参考测试图案，投影第二测试图案，测量所述参考测试图案与所述第二测试图案的所得图像中的物体之间的相对偏移，以及使用所述测量结果确定关于该投影系统的像差的信息，其中当使该第二测试图案成像从而选择通过该投影系统的特殊辐射路径时使用了滤光器，并且其中对于在沿着光轴彼此之间存在偏移的平面上获得的第二测试图案的多个图像都执行该测量。
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