公开(公告)号：CN105821479A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610039181.8

申请日：2016-01-21

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 山城浩嗣 ,  阿部信平

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B9/04

CPC分类号： C30B9/06 ,  C30B29/36 ,  C30B9/04

摘要： 本发明涉及SiC单晶的制造方法。提供一种能够使石墨坩埚内的Si-C溶液充分地对流而不使单晶制造装置大型化的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其包括：使第一频率的高频电流流经配置于石墨坩埚周围的感应加热线圈，将原料Si加热至规定温度，使上述原料Si熔化，同时使C从上述石墨坩埚溶解从而形成Si-C溶液，在加热至上述规定温度之后，使频率从第一频率降至第二频率，对上述Si-C溶液进行保温保持。

公开(公告)号：CN102791910B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201080060438.9

申请日：2010-11-03

申请人： 国立科学研究中心

发明人： P·韦贝尔 ,  V·贝拉斯克斯 ,  J-P·沙米纳德 ,  O·维拉潘蓬

IPC分类号： C30B9/00 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B19/06 ,  C30B29/22 ,  C30B29/24 ,  C30B29/04

CPC分类号： C30B29/22 ,  C30B9/00 ,  C30B9/04 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B19/062 ,  C30B29/24

摘要： 本发明涉及采用高温助熔剂生长技术制备块状或薄膜的掺杂有正三价镧系元素离子的钪、钇或者稀土金属的立方倍半氧化物单晶（空间群No.206,Ia-3）的方法，以及根据该方法获得的所述单晶的各种应用，特别是在光学领域中的应用。

公开(公告)号：CN103228825A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180058746.2

申请日：2011-12-02

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： U.维奇曼恩 ,  M.A.W.费克纳 ,  F.雷彻尔特 ,  H.W.K.佩特曼恩 ,  G.胡伯

IPC分类号： C30B29/24 ,  C30B9/00 ,  C30B33/02

CPC分类号： C30B9/04 ,  C09K11/7718 ,  C30B9/00 ,  C30B29/24 ,  C30B29/26 ,  C30B33/02

摘要： 本发明涉及一种制作具有快速冷却速率的包含Ce3+的激光材料的方法。已经证实这显著地增加了在激光材料内部的Ce3+的4f-5d跃迁的吸收率。

公开(公告)号：CN103154332B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201280003251.4

申请日：2012-01-26

申请人： 国立大学法人山口大学 ,  株式会社德山

发明人： 小松隆一 ,  伊东洋典 ,  东正信

IPC分类号： C30B29/06 ,  C01B33/02 ,  C04B38/06 ,  C30B11/00 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC分类号： C30B11/002 ,  C01B33/02 ,  C04B38/0615 ,  C04B2111/00612 ,  C30B9/04 ,  C30B11/00 ,  C30B11/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/64 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T117/1092 ,  C04B35/584 ,  C04B38/0054 ,  C04B38/0074

摘要： 本发明提供下述硅熔体接触构件，其可使相对于硅熔体的疏液性大幅增大、并使该疏液性持久持续、且适合于晶体硅制造，本发明还提供利用该硅熔体接触构件有效地制造晶体硅、特别是高结晶性的球形晶体硅的方法。该硅熔体接触构件为：其表面存在具有大量孔隙（优选的是，以30～80%的孔占有面积比例分散着大小为平均当量圆直径1～25μm的孔，各孔连结形成深度5μm以上的连通孔）的、以氮化硅为主要成分的厚度10～500μm的多孔烧结体层，优选的是，该烧结体层在氮化铝等陶瓷基板上存在。

公开(公告)号：CN104264222A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410455749.5

申请日：2014-09-09

申请人： 中国科学院理化技术研究所

发明人： 涂衡 ,  胡章贵 ,  赵营 ,  岳银超

IPC分类号： C30B29/10 ,  C30B9/04

CPC分类号： C30B29/10 ,  C30B9/04

摘要： 本发明公开一种用于大尺寸硼酸盐晶体生长的可调节晶体形貌的异形坩埚，所述异形坩埚在坩埚壁上设有用于调节坩埚内温场的缺口。本发明还公开了一种大尺寸硼酸盐晶体生长方法，采用所述异形坩埚进行晶体生长。本发明提供的异形坩埚结构简单、制造简便、成本较低。使用本发明提供的用于大尺寸硼酸盐晶体生长的可调节晶体形貌的异形坩埚和大尺寸硼酸盐晶体生长方法可以有效调节生长出的晶体形貌，显著提高晶体利用率，有利于切割出更大尺寸的器件。

公开(公告)号：CN103154332A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201280003251.4

申请日：2012-01-26

申请人： 国立大学法人山口大学 ,  株式会社德山

发明人： 小松隆一 ,  伊东洋典 ,  东正信

IPC分类号： C30B29/06 ,  C01B33/02 ,  C04B38/06 ,  C30B11/00 ,  H01L21/208 ,  H01L31/04

CPC分类号： C30B11/002 ,  C01B33/02 ,  C04B38/0615 ,  C04B2111/00612 ,  C30B9/04 ,  C30B11/00 ,  C30B11/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/64 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10T117/1092 ,  C04B35/584 ,  C04B38/0054 ,  C04B38/0074

摘要： 本发明提供下述硅熔体接触构件，其可使相对于硅熔体的疏液性大幅增大、并使该疏液性持久持续、且适合于晶体硅制造，本发明还提供利用该硅熔体接触构件有效地制造晶体硅、特别是高结晶性的球形晶体硅的方法。该硅熔体接触构件为：其表面存在具有大量孔隙（优选的是，以30～80%的孔占有面积比例分散着大小为平均当量圆直径1～25μm的孔，各孔连结形成深度5μm以上的连通孔）的、以氮化硅为主要成分的厚度10～500μm的多孔烧结体层，优选的是，该烧结体层在氮化铝等陶瓷基板上存在。

公开(公告)号：CN102791910A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201080060438.9

申请日：2010-11-03

申请人： 国立科学研究中心

发明人： P·韦贝尔 ,  V·贝拉斯克斯 ,  J-P·沙米纳德 ,  O·维拉潘蓬

IPC分类号： C30B9/00 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B19/06 ,  C30B29/22 ,  C30B29/24 ,  C30B29/04

CPC分类号： C30B29/22 ,  C30B9/00 ,  C30B9/04 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B19/062 ,  C30B29/24

摘要： 本发明涉及采用高温助熔剂生长技术制备块状或薄膜的掺杂有正三价镧系元素离子的钪、钇或者稀土金属的立方倍半氧化物单晶（空间群No.206,Ia-3）的方法，以及根据该方法获得的所述单晶的各种应用，特别是在光学领域中的应用。

公开(公告)号：CN107723795A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201710951942.1

申请日：2017-10-13

申请人： 北京首量科技股份有限公司

发明人： 张钦辉 ,  徐超 ,  刘建强 ,  刘晓阳 ,  史达威 ,  张国莹 ,  王琦

IPC分类号： C30B29/12 ,  C30B9/04

CPC分类号： C30B29/12 ,  C30B9/04

摘要： 本发明涉及一种掺氟化钇的氟化钡晶体及其制备方法，所述晶体由YF3、BaF2组成，其中YF3摩尔百分比为5～7mol％，通过本发明制备方法制得的所述晶体光输出快慢成分比最大可提高25倍，并且快成分衰减时间不变，而且所述晶体中掺入钇离子，钇离子半径较小，制备所述晶体质量高，完全可以取代纯氟化钡以及碘化铯晶体等，用于高能物理及核医学探测；所述晶体制备方法使掺杂钇元素充分溶解并分布均匀，保障了所述晶体的质量，通过设计的石墨坩埚外壁与加热器内壁之间的距离为20mm，保障了固液界面附近温度梯度约为5～10℃/cm，避免了梯度过大造成的晶体开裂问题，同时设备简单、易于操作。

公开(公告)号：CN103510155B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310254899.5

申请日：2013-06-25

申请人： 丰田合成株式会社

发明人： 山崎史郎 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC分类号： C30B19/00 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  C30B35/00 ,  H01L21/208

CPC分类号： C30B9/12 ,  C30B9/02 ,  C30B9/04 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  C30B35/002 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1092

摘要： 公开了半导体晶体移除设备和半导体晶体的产生方法。本发明提供了一种半导体晶体移除设备，该半导体晶体移除设备通过固化的熔剂的快速熔化而实现从坩埚有效移除半导体晶体；并且提供了一种用于产生半导体晶体的方法。所述半导体晶体移除设备包括：坩埚支撑件，用于支撑所述坩埚，使得所述坩埚的开口被定向为朝下；加热器，用于加热所述坩埚支撑件上支撑的所述坩埚；以及半导体晶体接纳网，用于接纳从所述坩埚的开口跌落的所述半导体晶体。所述半导体晶体移除设备进一步包括确定部，用于基于因所述半导体晶体的跌落而导致的重量的改变来确定所述半导体晶体的移除。

公开(公告)号：CN104775160A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510204731.2

申请日：2015-04-27

申请人： 电子科技大学

发明人： 杨青慧 ,  田晓洁 ,  张怀武 ,  梅兵 ,  文岐业 ,  贾利军

IPC分类号： C30B29/28 ,  C30B9/04

CPC分类号： C30B29/28 ,  C30B9/04

摘要： 本发明提供了一种单晶石榴石厚膜的制备方法，属于石榴石厚膜制备领域。具体包括以下步骤：准确称量Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3原料，其中，Tm2O3、Ga2O3、Fe2O3、Bi2O3的摩尔比为1：1：9.62：52.12，混料，熔料；清洗基片；将清洗后的基片放入熔体中，控制基片转速为60转/分，在935℃降到930℃的过程中生长薄膜，生长完成后，清洗，得到本发明所述单晶石榴石厚膜。本发明得到的单晶石榴石厚膜与基底之间的晶格常数和热膨胀系数匹配度好，为单晶态；薄膜的结构均匀，厚度可达40μm以上；且薄膜的结构致密、表面平整，是一种可应用于磁光器件的良好材料。