公开(公告)号：CN106875976A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610437200.2

申请日：2016-06-17

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 李相昊 ,  金京兑 ,  朴宰范

IPC分类号： G11C29/10 ,  G11C29/14 ,  G11C29/18

CPC分类号： G11C29/36 ,  G11C29/08 ,  G11C29/14 ,  G11C29/38 ,  G11C29/44 ,  G11C29/46 ,  G11C29/50004 ,  G11C29/54 ,  G11C29/10 ,  G11C29/18

摘要： 一种测试模式设置电路可以包括：第一测试模式信号发生单元，其通过第一电源电压来操作，第一测试模式信号发生单元适用于在模式设置完成的状态下在第一电压电平处激活第一测试模式信号，所述第一测试模式信号在多个第一测试模式信号之中与测试码相对应；以及第二测试模式信号发生单元，其通过第二电源电压来操作，第二测试模式信号发生单元适用于将第一测试模式信号锁存在第二电压电平处，以及当第一电源电压被重置时将锁存的第一测试模式信号产生为第二测试模式信号。

公开(公告)号：CN106415839A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580031217.1

申请日：2015-06-12

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： A·T·米切尔

IPC分类号： H01L27/11558 ,  G11C16/04 ,  G11C29/50

CPC分类号： H01L21/326 ,  G11C16/0441 ,  G11C29/50004 ,  G11C2029/0403 ,  H01L21/324 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L27/11558

摘要： 对集成电路执行调节过程，所述集成电路包括浮栅器件，例如模拟或其他电路中的浮栅电容器或晶体管，在模拟或其他电路中所述器件被编程到特定电平。在将浮栅器件初始编程(22)到特定编程电平之后，对集成电路进行调节烘烤浮栅器件处弱保留的那部分电荷通过调节烘烤移除，而重新修整用更强保留(更高的活化能)编程电荷代替该电荷。(24)，然后重新修整(26)回到初始编程电平。在

公开(公告)号：CN103680629B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201310406525.0

申请日：2013-09-09

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 何坚柱 ,  李祥邦 ,  张锡嘉

IPC分类号： G11C16/26 ,  G11C16/34 ,  G11C29/42

CPC分类号： G11C29/50004 ,  G06F11/1048 ,  G11C11/5642 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/42

摘要： 本发明公开了一种存储器的操作方法及具有该存储器的集成电路，该操作方法包括以具有一第一字线感测电压的一存储器感测操作作多重测量，该多重测量包含一第一测量，其测量该存储器单元是否储存：(a)对应于一第一组阈值电压范围的数据，该第一组阈值电压范围由一或更多低于该第一字线感测电压的阈值电压范围所组成，或者(b)对应于一第二组阈值电压范围的数据，该第二组阈值电压范围由一或更多高于该第一字线感测电压的阈值电压范围所组成。该多重测量包含一第二测量，其测量该存储器单元的错误校正数据，该错误校正数据指示该存储器单元中的一储存的阈值电压在一特定阈值电压范围内的相对位置。

公开(公告)号：CN106024069A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610319267.6

申请日：2016-05-13

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 杨光军

IPC分类号： G11C29/50

CPC分类号： G11C29/50004

摘要： 一种存储器操作电压的侦测电路，所述侦测电路包括：分压电路，缓冲电路以及存储器测试机台，其中：所述分压电路，适于对存储器的操作电压进行分压，以输出分压电压；所述缓冲电路，适于对所述分压电压进行驱动并输入至所述存储器测试机台的测试通道；所述存储器的测试机台，包括多个测试通道，适于对所述操作电压进行侦测，以输出相应的侦测结果。应用上述侦测电路可以快捷地对存储器操作电压进行侦测，并且电路结构更加简单，易于实现。

公开(公告)号：CN105097048A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410195902.5

申请日：2014-05-09

申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 詹奕鹏 ,  金起準 ,  赵国旭 ,  叶晓 ,  杨震

IPC分类号： G11C29/56

CPC分类号： G11C29/50004 ,  G11C16/00 ,  G11C16/30 ,  G11C29/06 ,  G11C29/44

摘要： 本发明提供一种用于HTOL测试的闪存设置方法，涉及半导体技术领域。本发明的用于HTOL测试的闪存设置方法，通过设置在源极、控制栅与衬底上施加的电压，使得所述控制栅与所述源极之间以及所述控制栅与所述衬底之间不存在电压差，因此，可以改善控制栅的电荷储存能力，保证HTOL测试的质量。

公开(公告)号：CN102884585B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180023555.2

申请日：2011-05-02

申请人： 美光科技公司

发明人： 威廉·H·拉德克 ,  沈震雷 ,  彼得·菲利

IPC分类号： G11C16/34 ,  G11C16/06

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C7/14 ,  G11C11/26 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/349 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/42 ,  G11C29/50004

摘要： 本发明包含用于在存储器装置及系统中确定及使用软数据的方法、装置及系统。一个或一个以上实施例包含存储器单元阵列及耦合到所述阵列的控制电路。所述控制电路经配置以使用若干个感测电压对所述存储器单元执行若干个感测操作以确定与所述存储器单元的目标状态相关联的软数据，且至少部分地基于所述所确定的软数据来调整用以确定所述目标状态的感测电压。

公开(公告)号：CN104051018A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310293667.0

申请日：2013-07-12

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 洪俊雄 ,  郭乃萍 ,  张坤龙 ,  陈耕晖 ,  王裕谦

IPC分类号： G11C16/34

CPC分类号： G11C16/34 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431 ,  G11C16/349 ,  G11C29/12005 ,  G11C29/50004 ,  G11C29/50016

摘要： 本发明公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法，该存储器装置，包含非易失性电荷陷获存储器单元的一阵列，用以使用多个临界状态来储存多个数据值于该阵列中的这些存储器单元，其中这些临界状态包含一其最低临界值超过一选定的读取偏压的一较高临界状态；一控制器，包含一待机模式、一写入模式及一读取模式；保持检查程序在电源开启时执行，或者在待机模式时执行，用以辨识未通过一保持临界检查的这些较高临界状态的存储器单元；另外，提供一程序，用以重新编程这些辨识出的存储器单元。

公开(公告)号：CN102937929A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201110252619.8

申请日：2011-08-29

申请人： 擎泰科技股份有限公司

发明人： 黄汉龙 ,  周铭宏

IPC分类号： G06F11/22

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/00 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/349 ,  G11C29/44 ,  G11C29/50004 ,  G11C2211/5641

摘要： 一种多位/单元(multi-bit per cell)非挥发性内存的测试方法，包含藉由写入及读取来测试n位/单元(n-bpc)非挥发性内存，其包含多个m-bpc页，其中m为1至n之间的正整数。如果m-bpc页经测试失败，则将失败m-bpc页所相应区块计入(m-1)-bpc区块，其中每一个该m-bpc页最多进行一次的写入及读取。当m等于1时，则0-bpc区块对应至坏区块。

公开(公告)号：CN101241751B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200810009733.6

申请日：2008-02-13

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 桥本洁和 ,  常定信利

IPC分类号： G11C7/10 ,  G11C29/12 ,  G11C16/10

CPC分类号： G11C29/52 ,  G11C16/04 ,  G11C16/3445 ,  G11C29/26 ,  G11C29/50004

摘要： 一种半导体器件，包括：第一存储器；以及第二存储器。第一存储器包括：第一存储器单元阵列，其被配置以被分成多个扇区；擦除时间设置寄存器，其被配置以保持扇区擦除保证时间，以确保用于擦除存储在一个扇区中的数据的擦除时间；以及第一控制电路，其被配置以执行扇区擦除测试，其中在扇区擦除保证时间内擦除在从多个扇区中选择的至少一个所选扇区中存储的数据。第二存储器包括：第二存储器单元阵列，其被配置以具有不同于第一存储器单元阵列的数据存储系统；以及第二控制电路，其被配置以在执行扇区擦除测试的同时对于第二存储器单元阵列执行数据保持测试。

公开(公告)号：CN101796589A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880105828.6

申请日：2008-09-04

申请人： 美光科技公司

发明人： 弗朗姬·鲁帕尔瓦尔 ,  维沙尔·萨林 ,  俊·S·辉

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C29/00

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/04 ,  G11C16/20 ,  G11C29/028 ,  G11C29/12005 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50004 ,  G11C2029/5004

摘要： 通过将电压写入到选定单元来执行针对存储器控制器的自校准。对围绕所述选定单元的邻近单元进行编程。在所述邻近编程操作中的每一者之后，读取所述选定单元上的电压以确定由例如浮动栅极到浮动栅极的耦合等系统偏移引起的任何电压变化。求这些变化的平均值且将其作为偏移存储在表中供在由所述偏移表示的特定存储器区域中调节编程电压或读取电压时使用。针对温度的自校准方法是通过在不同温度下写入单元及在不同温度下读取以产生用于写入路径及读取路径的温度偏移表来确定。这些偏移表用于在编程期间及在读取期间调节系统温度相关的偏移。