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公开(公告)号：CN107960077A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201680025326.7
申请日：2016-03-16
申请人： 利物浦大学
发明人： 马修·J·罗塞因斯基 , 普拉纳布·曼达尔 , 乔纳森·阿拉里亚 , 约翰·克拉里奇 , 迈克尔·皮彻
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/64 , H01F1/40 , H01F10/193 , H01L49/02
CPC分类号： C04B35/2683 , C04B35/62218 , C04B35/6261 , C04B35/6264 , C04B35/62695 , C04B35/6342 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3236 , C04B2235/3274 , C04B2235/3298 , C04B2235/85 , H01F1/407 , H01F10/1933 , H01L27/11507 , H01L27/222 , H01L28/55 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , C04B2235/656
摘要： 本发明涉及新的多铁性材料。更具体地，本发明涉及新的多铁性单相陶瓷材料以及由这些材料形成的薄膜，制备这些材料的方法及其作为电子部件和装置中的多铁性材料的用途。
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公开(公告)号：CN101855727A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115280.3
申请日：2008-11-04
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F1/401 , H01F1/404 , H01F10/1933 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3295 , H01L29/82
摘要： 本发明公开了自旋晶体管及操作该自旋晶体管的方法。所公开的自旋晶体管包括：沟道，由磁性材料形成且使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过；源极，由磁性材料形成；漏极；以及栅极电极。当预定电压施加到栅极电极时，沟道使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过，从而自旋晶体管被选择性地开启。
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公开(公告)号：CN104584250A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380043271.9
申请日：2013-09-04
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L43/02
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/18 , H01F10/1933 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/325 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 本发明描述了适用于自旋转移矩存储器(STTM)器件的磁性隧道结(MTJ)，其包括垂直磁层、以及由结晶阻碍层而与自由磁层分开的一个或多个各向异性增强层。在实施例中，各向异性增强层改善所述自由磁层的垂直取向，而结晶障碍利用所述自由磁层的晶体织构与隧穿层的晶体织构的更好的对准来改善隧道磁致电阻(TMR)比。
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公开(公告)号：CN1181055A
公开(公告)日：1998-05-06
申请号：CN95196543.3
申请日：1995-10-18
申请人： 加利福尼亚大学董事会 , 西米克斯技术公司
IPC分类号： C01G51/04
CPC分类号： C04B35/16 , B01J19/0046 , B01J2219/00313 , B01J2219/00317 , B01J2219/00378 , B01J2219/0043 , B01J2219/00432 , B01J2219/00436 , B01J2219/00441 , B01J2219/00443 , B01J2219/00475 , B01J2219/005 , B01J2219/00511 , B01J2219/00515 , B01J2219/0052 , B01J2219/00527 , B01J2219/00531 , B01J2219/00533 , B01J2219/00536 , B01J2219/0054 , B01J2219/00585 , B01J2219/0059 , B01J2219/00592 , B01J2219/00596 , B01J2219/00605 , B01J2219/0061 , B01J2219/00612 , B01J2219/00619 , B01J2219/00621 , B01J2219/00626 , B01J2219/00628 , B01J2219/0063 , B01J2219/00635 , B01J2219/00637 , B01J2219/00644 , B01J2219/00646 , B01J2219/00648 , B01J2219/00659 , B01J2219/00689 , B01J2219/00691 , B01J2219/00711 , B01J2219/0072 , B01J2219/00722 , B01J2219/00736 , B01J2219/00745 , B01J2219/00747 , B01J2219/00752 , B01J2219/00754 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , C01G51/006 , C01G51/68 , C01P2002/34 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C01P2006/42 , C04B35/01 , C04B35/4508 , C04B35/4521 , C04B35/4525 , C04B35/62218 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/327 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3463 , C04B2235/656 , C04B2235/761 , C04B2235/762 , C04B2235/768 , C04B2235/96 , C23C14/042 , C23C14/087 , C23C16/042 , C40B30/08 , C40B40/14 , C40B40/18 , C40B60/08 , C40B60/14 , C40B70/00 , C40B80/00 , G01R33/16 , H01F1/401 , H01F1/407 , H01F10/007 , H01F10/1933 , H01F41/18 , H01F41/34 , H01L43/10 , Y10T428/24479 , Y10T428/24612 , Y10T428/2462 , Y10T428/31 , Y10T428/31645 , Y10T428/31855 , Y10T428/31931 , Y10T436/25 , Y10T436/2525 , Y10T436/255 , Y10T436/25875
摘要： 通过组合合成制备巨磁致电阻氧化钴化合物。组合合成是利用其上有不同材料的阵列的基材完成的,该阵列是将各组分供应至基材的预定区域,然后使各组分同时反应,形成至少两种材料而制得的。可用这种方法制备的其他材料有共价网状固体、离子型固体和分子型固体。例子有无机、有机金属、金属间材料、陶瓷、有机聚合物和复合材料。一旦制备后,可以筛选具有有用性能,(如磁致电阻)的材料。于是,本发明提供了并行地合成和分析具有有用性能的新颖材料的方法。
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公开(公告)号：CN104584250B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201380043271.9
申请日：2013-09-04
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L43/02
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/18 , H01F10/1933 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/325 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 本发明描述了适用于自旋转移矩存储器(STTM)器件的磁性隧道结(MTJ)，其包括垂直磁层、以及由结晶阻碍层而与自由磁层分开的一个或多个各向异性增强层。在实施例中，各向异性增强层改善所述自由磁层的垂直取向，而结晶障碍利用所述自由磁层的晶体织构与隧穿层的晶体织构的更好的对准来改善隧道磁致电阻(TMR)比。
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公开(公告)号：CN101855727B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200880115280.3
申请日：2008-11-04
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L29/66984 , B82Y25/00 , H01F1/401 , H01F1/404 , H01F10/1933 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3295 , H01L29/82
摘要： 本发明公开了自旋晶体管及操作该自旋晶体管的方法。所公开的自旋晶体管包括：沟道，由磁性材料形成且使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过；源极，由磁性材料形成；漏极；以及栅极电极。当预定电压施加到栅极电极时，沟道使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过，从而自旋晶体管被选择性地开启。
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公开(公告)号：CN1082936C
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN95196543.3
申请日：1995-10-18
申请人： 加利福尼亚大学董事会 , 西米克斯技术公司
IPC分类号： C01G51/04
CPC分类号： C04B35/16 , B01J19/0046 , B01J2219/00313 , B01J2219/00317 , B01J2219/00378 , B01J2219/0043 , B01J2219/00432 , B01J2219/00436 , B01J2219/00441 , B01J2219/00443 , B01J2219/00475 , B01J2219/005 , B01J2219/00511 , B01J2219/00515 , B01J2219/0052 , B01J2219/00527 , B01J2219/00531 , B01J2219/00533 , B01J2219/00536 , B01J2219/0054 , B01J2219/00585 , B01J2219/0059 , B01J2219/00592 , B01J2219/00596 , B01J2219/00605 , B01J2219/0061 , B01J2219/00612 , B01J2219/00619 , B01J2219/00621 , B01J2219/00626 , B01J2219/00628 , B01J2219/0063 , B01J2219/00635 , B01J2219/00637 , B01J2219/00644 , B01J2219/00646 , B01J2219/00648 , B01J2219/00659 , B01J2219/00689 , B01J2219/00691 , B01J2219/00711 , B01J2219/0072 , B01J2219/00722 , B01J2219/00736 , B01J2219/00745 , B01J2219/00747 , B01J2219/00752 , B01J2219/00754 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , C01G51/006 , C01G51/68 , C01P2002/34 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2006/40 , C01P2006/42 , C04B35/01 , C04B35/4508 , C04B35/4521 , C04B35/4525 , C04B35/62218 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/327 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3463 , C04B2235/656 , C04B2235/761 , C04B2235/762 , C04B2235/768 , C04B2235/96 , C23C14/042 , C23C14/087 , C23C16/042 , C40B30/08 , C40B40/14 , C40B40/18 , C40B60/08 , C40B60/14 , C40B70/00 , C40B80/00 , G01R33/16 , H01F1/401 , H01F1/407 , H01F10/007 , H01F10/1933 , H01F41/18 , H01F41/34 , H01L43/10 , Y10T428/24479 , Y10T428/24612 , Y10T428/2462 , Y10T428/31 , Y10T428/31645 , Y10T428/31855 , Y10T428/31931 , Y10T436/25 , Y10T436/2525 , Y10T436/255 , Y10T436/25875
摘要： 通过组合合成制备巨磁致电阻氧化钴化合物。组合合成是利用其上有不同材料的阵列的基材完成的，该阵列是将各组分供应至基材的预定区域，然后使各组分同时反应，形成至少两种材料而制得的。可用这种方法制备的其他材料有共价网状固体、离子型固体和分子型固体。例子有无机、有机金属、金属间材料、陶瓷、有机聚合物和复合材料。一旦制备后，可以筛选具有有用性能，(如磁致电阻)的材料。于是，本发明提供了并行地合成和分析具有有用性能的新颖材料的方法。
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