电容器件及其制作方法、电子设备

    公开(公告)号:CN118800757A

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202310427258.9

    申请日:2023-04-12

    摘要: 本申请提供一种电容器件及其制作方法、电子设备,涉及电容技术领域,能够降低器件的制备工艺难度。该电容器件包括第一结构层、金属布线层、第一连接盘和第二连接盘。第一结构层中设置有沟槽和金属过孔,沟槽的底部具有开口。金属布线层位于沟槽底部、且暴露于开口中。沟槽中交替填充有多个电极层和多个第一介质层。第一连接盘和第二连接盘分别通过金属过孔与金属布线层连接。其中,多个电极层中包括第一电极层、第二电极层以及至少一个中间电极层;第一电极层在开口处与金属布线层接触;连接盘直接覆盖在第二电极层表面;中间电极层通过金属过孔与金属布线层连接;相邻的两个电极层分别与第一连接盘和第二连接盘电连接。

    一种芯片封装以及芯片封装的制备方法

    公开(公告)号:CN116547791A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202080107558.3

    申请日:2020-12-16

    发明人: 胡骁 赵南

    IPC分类号: H01L21/56

    摘要: 本申请实施例提供了一种芯片封装和芯片封装的制备方法,有利于提高芯片的性能。该芯片封装包括基板、裸芯片、第一保护结构和阻隔结构;该裸芯片、该第一保护结构和该阻隔结构均被设置在该基板的第一表面上;该第一保护结构包裹该裸芯片的侧面,该阻隔结构包裹该第一保护结构背离该裸芯片的表面,且该裸芯片的第一表面、该第一保护结构的第一表面和该阻隔结构的第一表面齐平,其中,该裸芯片的第一表面为该裸芯片背离该基板的表面,该第一保护结构的第一表面为该第一保护结构背离该基板的表面,该阻隔结构的第一表面为该阻隔结构背离该基板的表面。

    封装结构、电子设备及封装方法

    公开(公告)号:CN109087908B

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN201810781289.3

    申请日:2015-12-31

    摘要: 本发明公开一种封装结构,包括基板、扇出单元及布线层,扇出单元包括第一芯片和第二芯片。第一芯片包括第一引脚阵列,第二芯片包括第二引脚阵列。扇出单元还包括第三引脚阵列,所述第一引脚阵列、所述第二引脚阵列及所述第三引脚阵列均面对所述基板设置。布线层跨接于第一引脚阵列和第二引脚阵列之间,用于将第一引脚阵列中的第一引脚连接至第二引脚阵列中的对应的第二引脚。所述基板上设有与所述基板内部布线层电连接的焊垫,第三引脚阵列连接至焊垫。本发明还公开一种电子设备和封装方法。本发明之封装结构具有制造工艺难度小、成本低及小型化的优势。

    一种芯片及其制造方法、电子设备

    公开(公告)号:CN118841393A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202310472967.9

    申请日:2023-04-24

    摘要: 本申请实施例提供一种芯片及其制造方法、电子设备,用于解决芯片金属走线较长时发生信号延迟的技术问题。该芯片包括:衬底和设置在衬底上的互联结构。互联结构包括第一介电层和第二介电层。第一介电层内设置有贯通第一介电层的第一走线。第二介电层设置在第一介电层背离衬底的一侧,第二介电层内设置有贯通第二介电层的第二走线。第一走线和第二走线电连接。在第一走线和第二走线的长度之和不变的情况下,相比完全采用第二介电层,本申请实施例通过设置第一介电层,能够减少寄生电容,从而解决信号延迟的问题。以及,该芯片不需要增加第一走线和第二走线的线宽、不需要增大相邻走线之间的间距来减少寄生电容,从而保证走线的设置密度。

    芯片封装结构、电子设备及芯片封装结构的制备方法

    公开(公告)号:CN117995784A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202211347199.6

    申请日:2022-10-31

    摘要: 本申请提供一种芯片封装结构、电子设备及芯片封装结构的制备方法。涉及芯片封装技术领域。该芯片封装结构可以包括:电路结构、集成在电路结构上的至少两个芯片,比如,包括第一芯片和第二芯片;第一芯片和第二芯片设置在电路结构的同一表面上,第一芯片和第二芯片相对的两个侧面中的至少一个侧面被增黏层覆盖,且侧面被增黏层覆盖的第一芯片和第二芯片之间具有间隙,该间隙被填充层填充。通过在填充层与芯片侧面之间设置增黏层,该增黏层起到黏附力增强的作用,可以降低填充层与芯片脱层的风险,进而,有效降低裂缝延伸至电路结构上的几率,保护电路结构。

    扇出型芯片封装结构和制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117242555A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202180097862.9

    申请日:2021-08-11

    IPC分类号: H01L21/44

    摘要: 本申请实施例提供了一种扇出型封装结构和制备方法,该扇出型封装结构包括第一芯片和第一重布线层;第一芯片的第一表面设置有多个导电柱,第一芯片通过多个导电柱设置于第一重布线层的第一表面;多个导电柱的间隙填充有绝缘材料,绝缘材料设置于第一芯片的第一表面与第一重布线层的第一表面之间,绝缘材料向第一芯片的正投影位于第一芯片的边界范围内,且正投影的边界与第一芯片的边界具有预设距离;第一芯片的侧边、以及第一芯片的第一表面未被绝缘材料和多个导电柱覆盖的部分,被沉积于第一重布线层第一表面的塑封材料包裹,从而可以为第一芯片的边缘区域提供支撑和保护,避免第一芯片产生脱层或断裂,提高芯片的可靠性。

    一种封装结构、处理器及服务器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117153792A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202310575450.2

    申请日:2018-11-22

    IPC分类号: H01L23/367 H01L23/373

    摘要: 一种封装结构、处理器及服务器,该封装结构用于封装芯片,其包括芯片和导热片,且芯片和导热片之间层叠设置,并且在芯片和导热片之间填充了热界面材料层,芯片和导热片之间通过该热界面材料层导热连接。在具体设置时,导热片朝向芯片的一侧设置了一个圆滑的凸起结构,并且热界面材料层至少部分填充在凸起结构与芯片之间,使得热界面材料层至少部分包裹凸起结构。通过上述描述可以看出,在导热片上设置凸起结构,降低了芯片和导热片之间的间隔距离,从而使得填充在导热片与芯片之间的热界面材料层形成一个中间薄,边沿厚的结构,从而提高芯片的散热效果,同时,通过边沿较厚的结构改善了在芯片翘曲时热界面材料层的连接强度,进而提高了散热效果。

    芯片封装结构及电子设备
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117116868A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202210540630.2

    申请日:2022-05-17

    IPC分类号: H01L23/24 H05K1/18

    摘要: 一种芯片封装结构及电子设备,由于本申请的实施例提供的芯片封装结构包括芯片、封装基板及加强结构,加强结构可以抑制封装基板的翘曲,并且加强结构的模量随温度的升高而降低,因此,即使在高温的情况下,加强结构的刚性相对较低,对封装基板的抑制降低,不会引起封装基板的过压的问题。因此,封装基板可以在常温和高温环境下保持较小的翘曲。