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公开(公告)号：CN112441554B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN201910814031.3
申请日：2019-08-30
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及一种微纳金属三维结构的加工仪器，包括：本体，本体包括容置腔；原料及靶材装配模块，设置在容置腔的一端，贯穿容置腔内外，用于提供原料以及靶材；制备金属结构层模块，制备金属结构层模块设置于容置腔的底端，具体包括：光敏材料形成模块、固化处理模块、去除模块、第一金属形成模块、第二金属形成模块，制备金属结构层模块用于形成N层金属结构层，每层金属结构层具体包括图形化的第一金属层和第二金属层，第一金属层与第二金属层的材料不同；牺牲金属释放模块，牺牲金属释放模块用于去除每层金属结构层中的第一金属层或第二金属层，获得微纳金属三维结构，大幅度提高微纳三维金属结构的制备效率，更提高了加工的可靠性。
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公开(公告)号：CN114074918B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202111553874.6
申请日：2021-12-17
摘要： 本发明公开了一种微电子封装组件的高真空全自动封装测试方法，解决了如何设计一种低成本占地空间小，并可高质量完成平行封焊的全自动封装测试设备的问题。采用多个高真空腔室顺次串联的结构，实现高真空密封器件的自动化封装生产流水作业，顺次串联的高真空腔室包括真空预处理腔、真空激活腔、真空视觉对位及平行封焊腔、真空测试腔、真空转运腔；各工艺腔通过门阀，实现彼此隔离和连通；MEMS器件先通过进料门依次进入真空预处理腔后，被转运机构转运到真空激活腔，再被转运到真空视觉对位及平行封焊腔，通过平行焊接机构进行平行封焊，随后进入到真空测试腔进行测试，最后进入真空转运腔后，从出料门出料。
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公开(公告)号：CN118387830A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410289597.X
申请日：2024-03-14
申请人： 中北大学
摘要： 本发明属于量子传感相关的微型原子气室领域，具体涉及一种制备实现六面通光的微型原子气室的方法；包括清洗5片晶圆；通道层玻璃晶圆打孔、抛光；第一次连接层硅晶圆阳极键合；第一次连接层硅晶圆光刻；第一次连接层硅晶圆深硅刻蚀；第二次连接层硅晶圆阳极键合；第二次连接层硅晶圆光刻；第二次连接层硅晶圆深硅刻蚀；第一次盖板玻璃晶圆阳极键合；通道层玻璃晶圆的方形通孔内注入碱金属；第二次盖板玻璃晶圆阳极键合；晶圆切割；切割面抛光；采用MEMS工艺制作出完全规则的六面通光的正方体结构，每一个气室尺寸都保持一致，与传统工艺实现的玻璃气室相比，具备更稳定的热传导通道，参数更稳定。
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公开(公告)号：CN110155936B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201910395295.X
申请日：2019-05-13
申请人： 佛山科学技术学院
IPC分类号： B81C1/00 , B81C99/00 , H01L21/3063 , H01L21/66 , H01L21/67
摘要： 本发明一种可视化半导体光电化学微加工装置及方法，所述装置包括：半导体样品、光源、电解池、恒电位仪、光学斩波器、图像采集模块和电脑处理终端；所述电解池内设有参比电极和对电极，参比电极、对电极和作为工作电极的半导体样品浸泡在电解液中，所述参比电极、对电极和半导体样品均与恒电位仪电性连接；所述光源位于所述半导体样品的上方，用于照射所述半导体样品，所述光学斩波器位于所述光源和半导体样品之间；所述图像采集模块和恒电位仪均与所述电脑处理终端电性连接。本发明结构紧凑，实现可视化观察刻蚀过程，可扩展性强，根据半导体的禁带宽度可选择不同波长的光源，可应用于大部分半导体材料的微加工。
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公开(公告)号：CN118108173A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311603477.4
申请日：2023-11-28
申请人： 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： B81B7/02 , B81C99/00 , B81C1/00 , G01C19/5733 , G01C19/5769
摘要： 一种微机电器件包括：支撑体；至少一个可移动质量块，由半导体材料制成，该至少一个可移动质量块被弹性地约束至支撑体，从而能够振荡；固定检测电极，被刚性地连接至所述支撑体，并且被电容性地耦合至至少一个可移动质量块；以及至少一个测试结构，由半导体材料制成，该至少一个测试结构被刚性地连接至所述支撑体，并且不同于固定检测电极。测试结构被电容性地耦合至至少一个可移动质量块，并且被配置为响应于测试结构与至少一个可移动质量块之间的电压，向至少一个可移动质量块施加静电力。
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公开(公告)号：CN115274386B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210792857.6
申请日：2022-07-07
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/21 , H01J37/30 , H01J37/305 , B81C1/00 , B81C99/00 , B82B3/00 , B82Y5/00 , B82Y15/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种固态纳米孔批量精密加工装置及其加工方法。本发明包括：离子光学系统、透射式阵列载样样品台、自动位移台、真空样品室、二次电子探测器、图形扫描控制系统和计算机，采用聚焦离子束的焦点，在图形扫描控制系统的精密控制下，在硅基固态薄膜上定位扫描，可以实现固态纳米孔尺寸的精密可控制备；在加工过程中，能够通过透过纳米孔加工区域的离子束成像衬度，实时监测纳米孔的加工过程，获得可控的离子束加工参数，进一步提高加工精度；采用阵列载样台实现固态纳米孔的批量化精密加工，极大提高了加工效率，单个固态纳米孔的加工周期极大缩短；旨在制造尺寸在1μm与5nm之间的固态纳米孔，以用于蛋白质分子和DNA分子等生物传感检测。
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公开(公告)号：CN114261947B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111583113.5
申请日：2021-12-22
申请人： 东北林业大学
摘要： 一种利用振动辅助针尖轨迹运动加工纳米周期结构的方法，属于微纳机械加工技术领域。本发明解决了在采用纳米压头轨迹运动加工纳米周期结构的过程中，材料加工成形质量不高所导致的结构形状精度低的问题，所述方法为：通过控制两路输入正弦信号的幅值，频率和相位，设置实现不同加工轨迹；在纳米压头竖直轨迹运动加工的基础上，采用两轴压电陶瓷剪切叠堆为加工提供辅助振动场；通过选用不同型号的纳米压头获得不同形状的针尖刀具，设置不同的针尖朝向实现对不同空间位置以及周期分布方向纳米周期结构的加工。本发明可制备具有高质量纳米周期结构的功能表面，通过调节加工参数可实现金属表面复杂图案结构着色，在光学防伪等领域有极大的应用前景。
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公开(公告)号：CN115667941B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202180037084.4
申请日：2021-05-17
申请人： 应美盛股份有限公司
IPC分类号： G01P21/00 , B81B7/00 , B81C99/00 , G01P15/125 , G01P15/08
摘要： MEMS加速度计包括响应于感测到的线性加速度而同相移动的检验质块。自测驱动电路系统将异相移动赋予到检验质块上。将检验质块的响应于线性加速度和自测移动的运动感测为公共感测电极上的感测信号。处理电路系统提取出与由线性加速度引起的同相移动对应的线性加速度信号和与由自测驱动信号引起的异相移动对应的自测信号。
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公开(公告)号：CN117342521A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311297488.4
申请日：2023-10-09
申请人： 江苏致芯微电子技术有限公司
IPC分类号： B81C99/00
摘要： 本发明提供了一种硅压力应变器件的分离方法，包括：S1，准备已完成半导体工艺流程的硅晶圆，所述硅晶圆正面排列有制作好的硅压力应变器件；S2，将所述硅晶圆用粘合剂贴合到夹具上，所述硅晶圆的正面贴到所述贴片凹槽的底面；S3，将贴有所述硅晶圆的所述夹具放置于装有腐蚀剂溶液的容器内的支架上，所述夹具位于所述腐蚀剂溶液的上方且未接触到所述腐蚀剂溶液，所述硅晶圆的背面向下；S4，对所述容器内的腐蚀剂溶液进行加热，产生酸性气体腐蚀所述硅晶圆的背面；S5，将夹具取出并翻面放置于所述容器内的支架上，采用等离子化学反应刻蚀，直至所述硅压力应变器件与所述硅晶圆分开；S6，移除粘合剂，使得所述硅压力应变器件完全分离。
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公开(公告)号：CN107381495B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201710718750.6
申请日：2017-08-21
申请人： 南方科技大学
摘要： 本发明实施例公开了一种MEMS微热板及其制造方法，该MEMS微热板包括：硅基衬底，硅基衬底包括测量区域和加热区域；第一介电层，位于硅基衬底的上表面；加热电极和测量电极，加热电极和测量电极同层绝缘设置且均位于第一介电层上，加热电极对应设置在加热区域，以及测量电极对应设置在测量区域；隔热凹槽，位于硅基衬底的下表面且贯穿硅基衬底，以及隔热凹槽的槽底在垂直于硅基衬底的方向上覆盖加热区域。本发明实施例中，MEMS微热板的加热电极和测量电极采用共平面设计，只需要沉积一层金属电极层并采用一次金属图案化工艺即可完成；与现有技术相比，降低了加工工艺复杂度、减少了制造工序、并降低了制造成本，还提高MEMS微热板的制造良率。
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