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公开(公告)号：CN117642842A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202280049542.0
申请日：2022-05-24
申请人： 应用材料公司
发明人： E·文卡塔苏布磊曼聂 , B·J·布扬 , M·J·萨利 , A·B·玛里克
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/56 , C23C16/505 , C23C16/22 , H01L21/033
摘要： 示例性沉积方法可包括将含钌前驱物和含氢前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。含钌前驱物或含氢前驱物中的至少一者可包括碳。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积钌和碳材料。
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公开(公告)号：CN115386854B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202210813498.8
申请日：2022-07-11
申请人： 南方科技大学
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/22 , C23C16/455 , H01L21/768 , C23C14/04 , C23C14/22 , C23C14/24 , C23C14/35
摘要： 一种区域选择性沉积的方法，包括：有机功能分子修饰步骤，包括使用有机功能分子对金属互联半导体基底的金属表面和半导体表面进行分步化学修饰，获得的金属互联半导体基底具有亲油改性的金属表面以及疏油改性的半导体表面；涂覆步骤，包括使用化合物在亲油改性的金属表面形成阻隔层；沉积步骤，包括将涂覆后的基底置于沉积设备腔室内，使用前驱体进行沉积，获得沉积后的基底。该方法具备简洁性、普适性等优势，无需光刻蚀刻进行微观图案化，对介电氧化物的延迟成核效果明显高于目前主流的自组装单分子层技术，使选区原子层沉积选择率显著提升，有效解决了芯片制造工业中金属互联半导体材料选区原子层沉积选择率低的问题。
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公开(公告)号：CN113725075B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202110789451.8
申请日：2021-07-13
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/04 , H01L29/45 , C23C16/22 , C23C16/505
摘要： 本发明提供的一种金刚石混合终端表面电导的制备方法，利用C‑Si代替氢终端金刚石表面空气吸附层，采用原位刻蚀硅的方法作为Si的来源，在金刚石表面形成混合终端，制备C‑H/C‑Si混合终端金刚石，本发明操作简单，成本低廉，不需要复杂的工艺设备及步骤，就可以解决C‑H表面金刚石电导不稳定的问题，提高金刚石表面电导特性。
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公开(公告)号：CN117286478A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311226640.X
申请日：2023-09-22
申请人： 天津博瑞德思科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于PECVD法的表面镀膜方法，PECVD镀膜方法步骤如下：S1：来料检查；S2：离子清洗；S3：除静电；S4：烘干除湿；S5：沉积镀膜；S6：外观、膜厚及防水性检查；S7：包装；基于PECVD镀膜方法步骤的S5中：沉积镀膜步骤如下：SS1：将镀膜室抽成真空；SS2：将镀膜原料以气体形式注入镀膜室，镀膜室通电激发内部电场；SS3：电场激发下的原料气体分解成电子、离子和活性基团，在料板表面扩散；SS4：镀膜原料分解物产生化学反应，生成膜的初始成分和副反应物；SS5：各种副产物从膜的表面逐渐脱离。本发明能够在料板表面形成一层致密的高分子薄膜，有效阻隔水分子损坏、侵蚀被处理物，适用于各种形状的表面，具有优异的扩散性能与渗透性能。
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公开(公告)号：CN111211088B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201911053157.X
申请日：2019-10-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L21/8234 , C23C16/56 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/22 , C23C16/04
摘要： 本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种方法，包括：蚀刻半导体衬底以形成沟槽；以及使用原子层沉积(ALD)循环来沉积电介质层。电介质层延伸到沟槽中。ALD循环包括：脉冲六氯乙硅烷(HCD)到半导体衬底；清除HCD；脉冲三乙胺到半导体衬底；以及清除三乙胺。然后对电介质层执行退火工艺。
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公开(公告)号：CN115971676A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211652770.5
申请日：2022-12-16
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/0622 , C23C16/22 , B01L3/00
摘要： 本发明提供一种双锥对撞点火中CD‑CH复合聚合物球冠及其制备方法，制备方法包括：采用微流控方法制备CD聚合物空心球；于所述CD聚合物空心球上沉积一层CH薄膜，形成CD‑CH复合聚合物空心球；采用激光留尾切割的方法对所述CD‑CH复合聚合物空心球进行切割；用端部尖锐的工具沿切割轮廓拨开，将切割后的CD‑CH复合聚合物球冠从所述CD‑CH复合聚合物空心球上剥离，得到双锥对撞点火中CD‑CH复合聚合物球冠。本发明解决了CD‑CH复合聚合物球冠制备中CH层厚度难以精确控制、切割球冠和取样难度大的问题，实现了高精度及可批量制备CD‑CH复合聚合物球冠。
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公开(公告)号：CN115911404A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310053318.5
申请日：2023-02-02
申请人： 扬州纳力新材料科技有限公司
IPC分类号： H01M4/66 , H01M4/64 , C23C16/22 , C23C16/06 , C23C16/505
摘要： 本发明公开了一种改性复合集流体，包括依次层叠于聚合物膜表面的改性层和金属层；所述改性层通过在所述聚合物膜的表面化学气相沉积聚乙二醇类物质形成。该改性层能够与聚合物膜紧密结合，增强聚合物膜与改性层之间的粘附力。区别于传统使用电晕处理改性的方法，本申请使用聚乙二醇类物质改性处理后的聚合物膜的具有较高的表面张力，且经三个月的存放后聚合物膜的表面张力依然稳定。同时，聚乙二醇类物质具有较多数目的羟基，易与金属原子发生相互作用，从而促进改性层与金属层的牢固结合。该制备方法处理效率高，制得的聚乙二醇类物质改性的聚合物膜放置三个月后表面张力依然不变，可实现复合集流体的间歇制备。
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公开(公告)号：CN113445022B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110722632.9
申请日：2021-06-29
申请人： 天津理工大学
摘要： 本发明提供了一种硼氮共掺杂金刚石纳米片/掺硼金刚石薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：步骤1，对衬底进行打磨、清洗、干燥，置于金刚石微纳粉末的悬浊液中，使金刚石微纳颗粒在衬底表面形核；步骤2，将经过步骤1处理的衬底置于密闭的反应腔室，甲烷、硼源及氢气构成的混合气氛，达到预定温度时，反应室中气体分解或放电，同时在电磁场作用下，在基底上生长出掺硼金刚石薄膜；步骤3，以甲烷为原材料，同时向反应腔室内引入氮源和硼源，掺硼金刚石薄膜为基底外延生长硼氮共掺杂金刚石纳米片。本发明的硼氮共掺杂金刚石纳米片/掺硼金刚石薄膜在高功率密度和超快速充放电上表现出优异的性能。
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公开(公告)号：CN111819305B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201880089259.4
申请日：2018-12-18
申请人： 韩国机械研究院 , 财团法人波动能量极限制御研究团
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/22 , C23C16/54
摘要： 本发明涉及一种金属物种渗入有机材料表面的有机无机复合物的制备方法及由该方法制备的有机无机复合物，上述有机无机复合物的制备方法包含：(a)将有机材料装入反应室的步骤；(b)将原料气体注入上述反应室的步骤；以及(c)按照关系式1使上述反应室内的有机材料暴露于上述原料气体的步骤。此时，关系式1与权利要求1中的定义相同。
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公开(公告)号：CN109689567B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201780056498.5
申请日：2017-07-14
申请人： 1D材料有限责任公司
IPC分类号： B82Y40/00 , B82Y99/00 , B82Y30/00 , C01B33/02 , C01B33/027 , C01B33/023 , C01B33/021 , C01B33/029 , C23C16/22
摘要： 提供了在碳基粉末例如石墨上制备硅(Si)纳米线的制造设备、系统和方法，碳基粉末上的硅纳米线可用作锂离子电池中的阳极。在一些实施方案中，描述了用于按比例增大的数量在碳基粉末上生长硅纳米线的本发明的转筒反应器和化学气相沉积(CVD)系统和方法从而提供用于电池工业的生产规模阳极。
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