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公开(公告)号：CN118575248A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202280089615.9
申请日：2022-12-20
申请人： 艾克塞利斯科技公司
IPC分类号： H01J37/05 , H01J37/317
摘要： 用于离子注入系统的离子源被配置为沿着束线从预定种类形成离子束，其中离子束具有初始能量。减速组件被配置为将离子束减速至小于初始能量的最终能量。工件支撑件被配置为沿着束线在减速组件下游的工件平面支撑工件。束线组件沿着束线定位在减速组件的下游。束线组件具有至少部分地被离子束撞击的特征，并且其中该特征具有相对于离子束具有预定入射角的表面。预定入射角在最终能量下提供离子束的预定溅射率，从而减轻离子种类在束线组件上的沉积。
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公开(公告)号：CN118019972A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202380013694.X
申请日：2023-01-18
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G01N23/2251 , G01N23/2204 , H01J37/05 , H01J37/10 , H01J37/20 , H01L21/66
摘要： 双聚焦离子束及扫描电子束系统包含产生电子束的电子源及产生离子束的离子源。电子束柱将电子束以相对于载物台的顶表面的法线角进行引导。离子束柱将所述离子束引向所述载物台。所述离子束相对于所述电子束成某个角度。检测器接收从所述载物台上的晶片反射的所述电子束。
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公开(公告)号：CN117995631A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410147196.0
申请日：2024-02-02
申请人： 芯嵛半导体(上海)有限公司
发明人： 陈炯
IPC分类号： H01J37/05 , H01J37/317
摘要： 本发明公开一种具有高分辨率电磁铁分析器的离子注入系统及离子束产生方法，属于半导体离子注入工艺技术领域，所述离子注入系统的高分辨率电磁铁分析器具有的弓形磁轭结构的横截面大体呈矩形，且横截面形状能够用于限定磁场的改变，从而改变聚焦特性，由此增加带状离子束的线焦点的纵横比和/或增加带状离子束穿过分辨槽的狭缝的束流量。本发明的离子注入系统使得离子束的长轴达到目标长度，离子束在四极磁透镜磁铁得以准直，通过分辨槽而继续往目标处前行。本发明可实现控制离子束流扩展角度小于10度；扩展离子束流在四极磁透镜磁铁得以准直，准直后的离子束流在几乎聚焦位置通过分辨槽狭缝而继续往目标处前行。
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公开(公告)号：CN108807118B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201810589383.9
申请日：2018-06-08
申请人： 聚束科技(北京)有限公司
IPC分类号： H01J37/05 , H01J37/145 , H01J37/147 , H01J37/28
摘要： 本发明公开了一种扫描电子显微镜系统，包括：电磁交叉场分析器、由电透镜和磁透镜构成的复合物镜、镜后偏转装置和样品台；其中，电磁交叉场分析器，位于磁透镜的上极靴与产生入射至所述扫描电子显微镜系统的初始电子束的电子源之间，用于使入射的具有第一能量的初始电子束沿光轴运动，具有第二能量的初始电子束偏转至所述初始电子束的光轴两侧；复合物镜，用于对经所述电磁交叉场分析器作用的初始电子束进行汇聚，形成汇聚电子束；镜后偏转装置，位于所述磁透镜的下极靴孔内，用于改变所述汇聚电子束的运动方向，以使所述汇聚电子束倾斜入射至所述样品台上的待测样品。本发明还公开了一种样品探测方法。
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公开(公告)号：CN110431650B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201880018758.4
申请日：2018-03-19
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 艾立克·赫尔曼森 , 菲力浦·莱恩 , 詹姆斯·艾伦·皮克斯利
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/12
摘要： 本发明提供一种离子植入系统及其方法以及静电过滤器的导电束光学器件。离子植入系统包括静电过滤器和电源供应器。静电过滤器位于离子植入系统的腔室内，且静电过滤器包括导电束光学器件，其中导电束光学器件具有形成在外表面中的多个沟槽。电源供应器与静电过滤器连通，且电源供应器被配置成向导电束光学器件供应电压及电流。本发明通过在导电束光学器件上提供沟槽或表面特征来增大导电束光学器件的表面积。
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公开(公告)号：CN113936983A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111084339.0
申请日：2016-02-03
申请人： 卡尔蔡司显微镜有限责任公司
摘要： 本发明涉及一种粒子束系统。该粒子束系统具有多粒子束发生器，其被配置成产生多条部分粒子束，部分粒子束在空间上间隔开，至少包括第一部分粒子束和第二部分粒子束。该粒子束系统具有透镜，其被配置成用于使入射的部分粒子束聚焦在第一平面中，使得该第一平面中该第一部分粒子束撞击的第一区域与该第二部分粒子束撞击的第二区是分开的。该粒子束系统包括具有多个检测区的检测器系统和投射系统，该投射系统被配置成将交互产物投射到检测器系统上。投射系统和多个检测区相匹配，使得源自该第一平面的第一区的交互产物被投射到第一检测区上，而源自第一平面的第二区的交互产物被投射到与第一检测区不同的第二检测区上。该检测器系统包括过滤器装置。
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公开(公告)号：CN110024075B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201780072678.2
申请日：2017-11-27
申请人： MI2工厂有限责任公司
发明人： 弗洛里安·克里彭多夫 , 康斯坦丁·科萨托
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/05
摘要： 公开了一种方法，包括使用穿过注入过滤器(6)的离子束(2)辐照晶片(8)，该离子束(2)在第一方向和第二方向上被静电偏转，以在晶片(8)上移动离子束(2)，并且注入过滤器(6)在第二方向上移动以配合离子束(2)的运动。
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公开(公告)号：CN111108579A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201780094839.8
申请日：2017-09-29
申请人： 株式会社日立高新技术
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/05 , H01J37/12 , H01J37/141 , H01J37/147 , H01J37/28
摘要： 本发明提供不应用减速法的扫描电子显微镜，其抑制因BSE而激发的SE3的检测量，具备针对在样品上产生的SE1的能量筛选检测功能。该扫描电子显微镜具有：电子光学系统，其具有产生照射电子束的电子源(21)和使照射电子束会聚于样品上的物镜(12)；检测器(13)，其配置于电子光学系统的光轴外，检测因照射电子束照射至样品而产生的信号电子；偏转电极，其形成将信号电子引导至检测器的偏转场(26)；圆盘状电极(23)，其配置于比偏转场靠电子源侧，具有使照射电子束穿过的开口部；以及控制电极，其在比偏转场靠样品侧沿光轴配置，样品及物镜被设为基准电位，对圆盘状电极施加比基准电位低的电位，对控制电极施加比基准电位高的电位。
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公开(公告)号：CN110546732A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880026685.3
申请日：2018-05-10
申请人： 国际商业机器公司
发明人： R·M·特朗普
IPC分类号： H01J37/05
摘要： 公开了一种电子显微镜系统和测量电子显微镜系统的像差的方法。光圈在所述电子显微镜的衍射平面处过滤电子束以穿过具有选定能量和动量的电子。在所述电子显微镜的像平面中的检测器处测量所述通过的电子的图像的位移。所述电子显微镜的像差系数由所述测量的位移和所述通过的电子的所述能量和动量中的至少一个确定。所述测量出的像差可用于改变所述电子显微镜或所述电子显微镜的光学元件的参数，从而控制所述电子显微镜的整体像差。
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公开(公告)号：CN110024075A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780072678.2
申请日：2017-11-27
申请人： MI2工厂有限责任公司
发明人： 弗洛里安·克里彭多夫 , 康斯坦丁·科萨托
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/05
摘要： 公开了一种方法，包括使用穿过注入过滤器(6)的离子束(2)辐照晶片(8)，该离子束(2)在第一方向和第二方向上被静电偏转，以在晶片(8)上移动离子束(2)，并且注入过滤器(6)在第二方向上移动以配合离子束(2)的运动。
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